对产品线
Diodes公司
ZXMC3AMC
30V互补对增强型MOSFET
产品概述
I
D
最大
设备
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
T
A
= 25°C
（注4 & 7 ）
特点和优点
薄型封装，薄应用
低R
θJA
和高热效率的封装
2
6毫米足迹，比TSOP6和SOT23-6小50 ％
低导通电阻
开关速度快
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
120m @ V
GS
= 10V
Q1
30V
180mΩ @ V
GS
= 4.5V
210mΩ @ V
GS
= -10V
Q2
-30V
330mΩ @ V
GS
= -4.5V
3.7A
3.0A
-2.7A
-2.2A
机械数据
案例： DFN3020B - 8
终端：预镀镍钯金引线框架
标称封装高度： 0.8毫米
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.013克（近似值）
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
MOSFET栅极驱动器
LCD背光逆变器
电机控制
便携式应用
DFN3020B-8
D2
D2
D1
D1
D1
D2
D2
D1
G1
S1
G2
S2
Q2 P沟道
G2
顶视图
底部视图
S2
G1
S1
销1
Q1 N沟道
底部视图
引脚输出
等效电路
订购信息
（注3）
产品型号
ZXMC3AMCTA
注意事项：
记号
C01
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
C01
C01 =产品型号标识代码
俯视图，点表示引脚1
ZXMC3AMC
文件编号： DS35088修订版1 - 2
1 11
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2010年12月
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对产品线
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ZXMC3AMC
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注4 & 7 ）
T
A
= 70 ° C（注4 & 7 ）
（注3 & 7 ）
（注6 & 7 ）
（注4 & 7 ）
（注6 & 7 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
N沟道 - Q1 P沟道 - Q2
-30
30
±20
±20
3.7
-2.7
3.0
-2.2
2.9
-2.1
13
-9.2
3.2
-2.8
13
-9.2
单位
V
A
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注3 & 7 ）
功耗
线性降额因子
（注4 & 7 ）
P
D
（注5 & 7 ）
（注5 & 8 ）
（注3 & 7 ）
（注4 & 7 ）
（注5 & 7 ）
（注5 & 8 ）
（注7 & 9 ）
符号
N沟道 - Q1 P沟道 - Q2
1.50
12
2.45
19.6
1.13
9
1.70
13.6
83.3
51.0
111
73.5
17.1
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
R
θJA
R
θJL
T
J
,
T
英镑
° C / W
°C
3.对于设备的表面安装在28毫米X 28毫米（ 8厘米
2
） FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。散热片被分割为一半与连接到每个半露出漏焊盘。
4.同注（ 3 ）除设备测量在t < 5秒。
5.同注（3 ），除了该装置是表面安装在31毫米X 31毫米（10厘米
2
） FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜。
6.同注（3 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉冲宽度300μS 。该脉冲电流由最大结温限制。
7.对于与主动裸芯片的双设备。
8.对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
从结点到焊接点9，热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
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2010年12月
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电气特性 - Q1 N沟道
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注10 ）
正向跨导（注10 & 11 ）
二极管的正向电压（注10 ）
反向恢复时间（注11 ）
反向恢复电荷（注11 ）
动态特性（注11 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注12 ）
总栅极电荷（注12 ）
门源费（注12 ）
栅 - 漏极电荷（注12 ）
导通延迟时间（注12 ）
导通上升时间（注12 ）
关断延迟时间（注12 ）
关断下降时间（注12 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
0.100
0.140
3.5
0.85
17.7
13.0
190
38
20
2.3
3.9
0.6
0.9
1.7
2.3
6.6
2.9
最大
-
0.5
±100
3.0
0.120
0.180
-
0.95
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.0A
V
DS
= 10V ，我
D
= 2.5A
I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
I
S
= 2.5A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 15V
I
D
= 2.5A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 10V ，R
G
= 6
脉冲条件下测得10分。宽度
≤
300μS 。占空比
≤
2%.
11.辅助设计只，不受生产测试。
12.开关特性是独立的工作结温。
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