超前信息
ZXMC3A18DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N沟道= V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS
(
on
)= 0.025 ; I
D
= 7.6A
P沟道= V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS
(
on
)= 0.035 ; I
D
= -6.3A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A18DN8TA
ZXMC3A18DN8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
器件标识
ZXMC
3A18
顶视图
草案版本C - 2003年6月
1
半导体
ZXMC3A18DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
超前信息
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
±20
7.6
6.1
5.8
37
3.6
37
1.25
10
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
1.8
14
（二） （四）
单位
-30
±20
-6.3
-5.0
-4.8
-30
待定
30
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
（一） （五）
2.1
17
-55到+150
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。脉冲宽度300 S，D = 0.02 。请参阅瞬态热阻抗
图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
草案版本C - 2003年6月
半导体
2
ZXMC3A18DN8
N沟道
超前信息
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
30
0.5
100
1.0
0.025
0.030
17.5
V
A
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
nA
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.3A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
1800
289
178
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
5.5
8.7
33
8.5
19.4
36
5.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 15V ，我
D
=6A
R
G
6.0 ,
V
GS
= 10V
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
7.0
0.95
20.5
41.5
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 6A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
草案版本C - 2003年6月
半导体
4
ZXMC3A18DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道P沟道
30
±20
7.6
6.1
5.8
37
3.6
37
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
-30
±20
-6.3
-5.0
-4.8
-30
3.2
30
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。脉冲宽度300秒， d< = 0.02 。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第2期 - 2007年9月
捷特科PLC 2007
2
www.zetex.com
ZXMC3A18DN8
N沟道
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
30
0.5
100
1.0
0.025
0.030
17.5
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1800
289
178
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
5.5
8.7
33
8.5
19.4
36
5.5
7.0
0.95
20.5
41.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
nC
V
DD
= 15V ，我
D
= 6A
R
G
6.0 , V
GS
= 10V
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6A ，V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6A,
的di / dt = 100A / S
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
第2期 - 2007年9月
捷特科PLC 2007
4
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互补30V增强型MOSFET
摘要
N沟道= V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS
(
on
)= 0.025 ; I
D
= 7.6A
P沟道= V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS
(
on
)= 0.035 ; I
D
= -6.3A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A18DN8TA
ZXMC3A18DN8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
器件标识
ZXMC
3A18
顶视图
第1期 - 2005年5月
1
半导体
ZXMC3A18DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
±20
7.6
6.1
5.8
37
3.6
37
1.25
10
1.8
14
2.1
17
单位
-30
±20
-6.3
-5.0
-4.8
-30
3.2
30
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
（二） （四）
（一） （五）
工作和存储温度范围
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。脉冲宽度300 S，D = 0.02 。请参阅瞬态热阻抗
图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2005年5月
半导体
2
ZXMC3A18DN8
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
30
0.5
100
1.0
0.025
0.030
17.5
V
A
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
nA
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.3A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
1800
289
178
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
5.5
8.7
33
8.5
19.4
36
5.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 15V ，我
D
=6A
R
G
6.0 ,
V
GS
= 10V
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
7.0
0.95
20.5
41.5
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 6A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年5月
半导体
4
超前信息
ZXMC3A18DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N沟道= V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS
(
on
)= 0.025 ; I
D
= 7.6A
P沟道= V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS
(
on
)= 0.035 ; I
D
= -6.3A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A18DN8TA
ZXMC3A18DN8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
器件标识
ZXMC
3A18
顶视图
草案版本C - 2003年6月
1
半导体
ZXMC3A18DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
超前信息
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
±20
7.6
6.1
5.8
37
3.6
37
1.25
10
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
1.8
14
（二） （四）
单位
-30
±20
-6.3
-5.0
-4.8
-30
待定
30
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
（一） （五）
2.1
17
-55到+150
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。脉冲宽度300 S，D = 0.02 。请参阅瞬态热阻抗
图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
草案版本C - 2003年6月
半导体
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N沟道
超前信息
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
30
0.5
100
1.0
0.025
0.030
17.5
V
A
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
nA
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.3A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
1800
289
178
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
5.5
8.7
33
8.5
19.4
36
5.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 15V ，我
D
=6A
R
G
6.0 ,
V
GS
= 10V
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
7.0
0.95
20.5
41.5
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 6A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
草案版本C - 2003年6月
半导体
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