ZXMC3A16DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N沟道V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.035 ; I
D
= 6.4A
P- V频道
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.048 ; I
D
= -5.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A16DN8TA
ZXMC3A16DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
3A16
顶视图
第1期 - 2005年10月
1
ZXMC3A16DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在TA功耗= 25°C
（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道P沟道
30
20
6.4
5.1
4.9
30
3.4
30
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
-30
20
-5.4
-4.3
-4.1
-25
-3.2
-25
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（二） （五）
结到环境
（二） （四）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
第1期 - 2005年10月
2
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