ZXM64P02X
20V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -20V ;
DS （ ON）
=0.090
;
I
D
= -3.5A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
MSOP8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXM64P02XTA
ZXM64P02XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度（mm）
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
S
G
3
器件标识
ZXM4P02
暂定发行A - 1999年7月
137
4
顶视图
5
6 7
S
2
1
8
ZXM64P02X
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-20
±
12
-3.5
-2.8
-19
-2.0
-19
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
暂定发行A - 1999年7月
138
ZXM64P02X
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
46.0
35.0
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=-2.4A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=-2.4A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.6
12.3
45.5
40.0
6.9
1.3
2.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=-16V,V
GS
=-4.5V,
I
D
=-2.4A
（请参考测试电路）
V
DD
= -10V ，我
D
=-2.4A
R
G
=6.0, R
D
=4.0
（请参考测试电路）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
900
350
150
pF
pF
pF
V
DS
=-15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
2.6
-0.7
0.090
0.13
-20
-1
±100
V
A
nA
V
S
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
GS
=± 12V, V
DS
=0V
I
D
= -250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.4A
V
GS
= -2.7V ，我
D
=-1.2A
V
DS
=-10V,I
D
=-1.2A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 1999年7月
140
ZXM64P02X
20V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -20V ;
DS （ ON）
=0.090
;
I
D
= -3.5A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
MSOP8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXM64P02XTA
ZXM64P02XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度（mm）
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
S
G
3
器件标识
ZXM4P02
第1期 - 2004年6月
1
4
顶视图
5
6 7
S
2
1
8
ZXM64P02X
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-20
±
12
-3.5
-2.8
-19
-2.0
-19
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
第1期 - 2004年6月
2
ZXM64P02X
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
46.0
35.0
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=-2.4A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=-2.4A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.6
12.3
45.5
40.0
6.9
1.3
2.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=-16V,V
GS
=-4.5V,
I
D
=-2.4A
（请参考测试电路）
V
DD
= -10V ，我
D
=-2.4A
R
G
=6.0, R
D
=4.0
（请参考测试电路）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
900
350
150
pF
pF
pF
V
DS
=-15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
2.6
-0.7
0.090
0.13
-20
-1
±100
V
A
nA
V
S
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
GS
=± 12V, V
DS
=0V
I
D
= -250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.4A
V
GS
= -2.7V ，我
D
=-1.2A
V
DS
=-10V,I
D
=-1.2A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年6月
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