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对产品线
Diodes公司
ZXGD3101T8
同步整流控制器,用于反激式转换器。
零点检测器驱动程序“ ZPDD ”
描述
该ZXGD3101用于驱动MOSFET的
配置为理想二极管的替代品。该
装置是由一个差动放大器的
检测阶段和高电流驱动器。该
检测器监视的反向电压
的MOSFET ,使得如果体二极管导通
发生正的电压被施加到
MOSFET的栅极管脚。
一旦该正电压被施加到栅
在允许反向的MOSFET开关
电流流动。检测器“的输出电压是
然后正比于MOSFET的漏源
反向电压降和这个被施加到
通过驾驶员门。这一行动提供了一个快速
关闭作为当前的衰减。
特点
关断传播延迟为15ns ,并开启
关断时间为20ns
合适的不连续模式(DCM ) ,
临界导电模式(临界模式)和
连续模式(CCM)操作
符合能源之星V2.0和
行为V3欧典
元件数量少
无卤
5-15V V
CC
范围
应用
反激式转换器中:
转接器
液晶显示器
服务器电源的
机顶盒
请参阅文件; AN54 , DN90和DN91
可从网站
引脚输出详细
典型配置
变压器
N / C
REF
GATEL
GATEH
1
2
3
4
8
7
6
5
BIAS
R
再F
R
B IA S
EF
BIAS
VCC
GND
V
CC
,D R AIN
ZX摹
3101
C1
GAT EL GAT EH GN
SM8
S YN CH RO N 2 O ü S R ê ctifie
M 2 O 3 S FE牛逼
订购信息
设备
ZXGD3101T8TA
状态
活跃
SM8
零件标记
ZXGD3101
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
第3期 - 2008年11月
Diodes公司2008
1
www.zetex.com
www.diodes.com
ZXGD3101T8
绝对最大额定值
参数
电源电压
1
连续漏极引脚电压
1
GATEH和GATEL输出电压
1
驱动器峰值源电流
驱动器峰值灌电流
参考电流
偏压
偏置电流
在T功耗
A
=25°C
工作结温
储存温度
符号
V
CC
V
D
V
G
I
来源
I
SINK
I
REF
V
BIAS
I
BIAS
P
D
T
j
T
英镑
极限
15
-3 180
-3 V
CC
+ 3
3
3
25
V
CC
100
500
-40到+150
-50至+150
单位
V
V
V
A
A
mA
V
mA
mW
°C
°C
注意事项:
1.所有电压都是相对于GND引脚
热阻
参数
结到环境
(*)
交界处领导
()
符号
R
θJA
R
-IA
价值
250
54
单位
° C / W
° C / W
注意事项:
( * )安装在最小盎司镀铜的FR4 PCB在静止空气条件
( )输出驱动器 - 结点到焊点处的导线5和6月底
ESD额定值
模型
人体
等级
4,000
400
单位
V
V
第3期 - 2008年11月
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2
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ZXGD3101T8
在T电气特性
A
= 25°C;
V
CC
= 10V ;
BIAS
= 1.8kΩ ;
REF
=3k
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入和电源特性
V
D
-200m V
工作电流
栅极驱动器
V
D
0V
(*)
GATE输出电压
V
G
( GATEH连接
GATEL )
V
D
= -50mV
()
V
D
= -75mV
()
V
D
= -100mV
()
V
D
-200mV
()
GATEH峰源
当前
GATEL峰值灌电流
打开的传播延迟
关闭传播
延迟
门上升时间
GATE下降时间
注意事项:
(*) R
H
= 1kΩ的,R
L
= O / C
() R
H
= O / C,R
L
= 1k
-
-
3
8
-
-
mA
I
OP
V
D
0V
-
2
6
8
9.0
0
6
8
9
9.4
2.5
2.5
525
15
305
20
1.0
-
-
-
-
-
-
A
A
ns
ns
ns
ns
V
I
来源
I
SINK
t
d1
t
d2
t
r
t
f
V
GH
= 1V
V
GL
= 5V
C
L
= 2.2nF
()
C
L
= 2.2nF
()
C
L
= 2.2nF
()
C
L
= 2.2nF
()
参考图4;测试电路和图5 ;第11页的时序图
第3期 - 2008年11月
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ZXGD3101T8
原理图符号和引脚说明
VCC
+
室内运动场V LT
摹吃里沃 ONTROL
-
+
-
COM PARATOR
GATEH
室内运动场V LT
COM PARATOR
,D R A IN
牛逼瓮开/关C ONTROL
GATEL
牛逼hreshold V oltage
ONTROL
REF
B IA S
GND
PIN号
1
2
符号
NC
REF
说明与功能
无连接
该引脚可以连接到GND
参考
该引脚连接到V
CC
经由电阻器R
REF
. R
REF
应选择
源 3毫安到该引脚。
(*)
门关闭
该引脚吸收电流,我
SINK
从同步MOSFET栅极。
门打开
该引脚的电流源,我
来源
,在同步MOSFET栅极。
电源
这是电源引脚。建议解耦这点
与陶瓷电容接地紧密。
这是在地面参考点。连接到同步MOSFET
源极端子。
BIAS
该引脚连接到V
CC
经由电阻器R
BIAS
. R
BIAS
应选择
到源 5毫安到该引脚。
(*)
漏极连接
该引脚直接连接到同步MOSFET漏极。
3
4
5
GATEL
GATEH
V
CC
6
GND
7
BIAS
8
注意事项:
(*)
BIAS
REF
引脚应假定为在
GND+0.7V.
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ZXGD3101T8
手术
正常工作
该装置的动作进行说明的一步一步参照下面的时序图。
1.检测器监测的MOSFET漏源电压。
2.当由于变压器动作时,MOSFET的体二极管被强制进行有
大约-0.6V的漏极引脚。
3.检测器输出正的电压相对于地,这个电压被馈送到
MOSFET驱动级和电流源出GATEH引脚。
4.当前出GATEH引脚的来源为同步MOSFET栅极开启
设备上。
5. GATEH输出电压现在是正比于跨越所述漏极 - 源极电压降
MOSFET由于流过MOSFET的电流。
6. MOSFET的导通一直持续到漏极电流达到零。
7.在零电流检测器的输出电压是零和同步MOSFET栅极电压
拉低了GATEL ,关掉设备。
体D IODE
2
onduction
M OSF ET
雨电压
1
RAIN
当前
6
M OSF ET
栅极电压
M OSF ET
门光凭目前
3
4
5
7
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对产品线
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ZXGD3101T8
同步整流控制器,用于反激式转换器。
描述
该ZXGD3101用于驱动MOSFET的
配置为理想二极管的替代品。该
装置是由一个差动放大器的
检测阶段和高电流驱动器。该
检测器监视的反向电压
的MOSFET ,使得如果体二极管导通
发生正的电压被施加到
MOSFET的栅极管脚。
一旦该正电压被施加到栅
在允许反向的MOSFET开关
电流流动。检测器“的输出电压是
然后正比于MOSFET的漏源
反向电压降和这个被施加到
通过驾驶员门。这一行动提供了一个快速
关闭作为当前的衰减。
特点
关断传播延迟为15ns ,并开启
关断时间为20ns
合适的不连续模式(DCM ) ,
临界导电模式(临界模式)和
连续导通模式( CCM )
手术
符合能源之星V2.0和
行为V3欧典
元件数量少
无卤
5-15V V
CC
范围
应用
反激式转换器中:
转接器
液晶显示器
服务器电源的
机顶盒
请参阅文件; AN54 , DN90 , DN91和
DN94可从网站
引脚输出详细
典型配置
变压器
N / C
REF
GATEL
GATEH
1
2
3
4
8
7
6
5
BIAS
R
再F
R
B IA S
EF
BIAS
VCC
GND
V
CC
,D R AIN
ZX摹
3101
C1
GAT EL GAT EH GN
SM8
S YN CH RO N 2 O ü S R ê ctifie
M 2 O 3 S FE牛逼
订购信息
设备
ZXGD3101T8TA
状态
活跃
SM8
零件标记
ZXGD3101
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
第4期 - 2009年1月
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1
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ZXGD3101T8
绝对最大额定值
参数
电源电压
1
连续漏极引脚电压
1
GATEH和GATEL输出电压
1
驱动器峰值源电流
驱动器峰值灌电流
参考电流
偏压
偏置电流
在T功耗
A
=25°C
工作结温
储存温度
符号
V
CC
V
D
V
G
I
来源
I
SINK
I
REF
V
BIAS
I
BIAS
P
D
T
j
T
英镑
极限
15
-3 180
-3 V
CC
+ 3
4
7
25
V
CC
100
500
-40到+150
-50至+150
单位
V
V
V
A
A
mA
V
mA
mW
°C
°C
注意事项:
1.所有电压都是相对于GND引脚
热阻
参数
结到环境
(*)
交界处领导
()
符号
R
θJA
R
-IA
价值
250
54
单位
° C / W
° C / W
注意事项:
( * )安装在最小盎司镀铜的FR4 PCB在静止空气条件
( )输出驱动器 - 结点到焊点处的导线5和6月底
ESD额定值
模型
人体
等级
4,000
400
单位
V
V
第4期 - 2009年1月
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2
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ZXGD3101T8
在T电气特性
A
= 25°C;
V
CC
= 10V ;
BIAS
= 1.8kΩ ;
REF
=3k
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入和电源特性
工作电流
栅极驱动器
关断阈值
电压
(**)
I
OP
V
-200m V
V
0V
-
-
3
8
-
-
mA
V
T
V
G( OFF)
V
G
= 1V,
(*)
V
0V,
(*)
V
= -60mV ,
()
-45
-
5.0
7.0
8.4
9.2
9.3
-16
0.6
7.5
8.5
9
9.4
9.5
2.5
2.5
525
0
1
-
-
mV
GATE输出电压
(**)
V
G
V
= -80mV ,
()
V
= -100mV ,
()
V
-140mV,
()
V
-200mV,
()
V
-
-
-
-
-
A
A
ns
ns
ns
ns
GATEH峰值电流源
GATEL峰值灌电流
打开的传播延迟
关闭传播延迟
门上升时间
GATE下降时间
注意事项:
I
来源
I
SINK
t
d1
t
d2
t
r
t
f
V
GH
= 1V
V
GL
= 5V
C
L
= 2.2nF ,
()
(a)
15
305
20
(**) GATEH连接到GATEL
(*) R
H
= 100kΩ的,R
L
= 0/C
()
R
L
= 100kΩ的,R
H
= 0/C
(一) (参考图4 ;试验电路和图5 ,第11页的时序图
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原理图符号和引脚说明
VCC
+
室内运动场V LT
摹吃里沃 ONTROL
-
+
-
COM PARATOR
GATEH
室内运动场V LT
COM PARATOR
,D R A IN
牛逼瓮开/关C ONTROL
GATEL
牛逼hreshold V oltage
ONTROL
REF
B IA S
GND
PIN号
1
2
符号
NC
REF
说明与功能
无连接
该引脚可以连接到GND
参考
该引脚连接到V
CC
经由电阻器R
REF
. R
REF
应选择为源
3毫安到该引脚。见注1
门关闭
该引脚吸收电流,我
SINK
从同步MOSFET栅极。
门打开
该引脚的电流源,我
来源
,在同步MOSFET栅极。
电源
这是电源引脚。建议解耦这点与地
紧密配合的陶瓷电容器。
这是在地面参考点。连接到同步MOSFET源
终奌站。
BIAS
该引脚连接到V
CC
经由电阻器R
BIAS
. R
BIAS
应选择
来源1.6倍我
REF
这个引脚。见注1
漏极连接
该引脚直接连接到同步MOSFET漏极。
3
4
5
GATEL
GATEH
V
CC
6
GND
7
BIAS
8
注意事项:
1. BIAS和REF引脚应假定为在GND + 0.7V
第4期 - 2009年1月
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ZXGD3101T8
手术
正常工作
该装置的动作进行说明的一步一步参照下面的时序图。
1.检测器监测的MOSFET漏源电压。
2.当由于变压器动作时,MOSFET的体二极管被强制进行有
大约-0.6V的漏极引脚。
3.检测器输出正的电压相对于地,这个电压被馈送到
MOSFET驱动级和电流源出GATEH引脚。
4.当前出GATEH引脚的来源为同步MOSFET栅极开启
设备上。
5. GATEH输出电压现在是正比于跨越所述漏极 - 源极电压降
MOSFET由于流过MOSFET的电流。
6. MOSFET的导通一直持续到漏极电流达到零。
7.在零电流检测器的输出电压是零和同步MOSFET栅极电压
拉低了GATEL ,关掉设备。
体D IODE
2
onduction
M OSF ET
雨电压
1
RAIN
当前
6
M OSF ET
栅极电压
M OSF ET
门光凭目前
3
4
5
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    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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