【ZX5T869G25V NPN低饱和晶体管采用SOT223摘要BV首席执行官= 25V ，RSAT=】,IC型号ZX5T869GTC,ZX5T869GTC PDF资料,ZX5T869GTC经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZX5T869G

25V NPN低饱和晶体管采用SOT223

摘要

首席执行官

= 25V ，R

SAT

= 30米;我

= 7A

描述

打包在SOT223概述这一新的第五代低饱和25V

NPN晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在

的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能。

特点

导通电阻烹饪极具低等效;

SAT

=在6.5A 30米

7安培连续电流

高达20A的峰值电流

极低的饱和电压

优秀

特点高达20A

SOT223

应用

直流 - 直流转换器

MOSFET栅极驱动器

充电电路

电源开关

电机控制

引脚

订购信息

设备

ZX5T869GTA

ZX5T869GTC

REEL

SIZE

7”

13”

TAPE

宽度

12mm

压花

单位数量

REEL

1000个单位

4000台

器件标识

X5T869

顶视图

第2期 - 2005年6月

半导体

ZX5T869G

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

在T功耗

=25°C

线性降额因子

在T功耗

=25°C

线性降额因子

(a)

符号

CBO

首席执行官

EBO

, T

英镑

极限

3.0

1.6

12.8

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

°C

(b)

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

符号

价值

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

第2期 - 2005年6月

半导体

ZX5T869G

特征

第2期 - 2005年6月

半导体

ZX5T869G

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

CBO

CER

首席执行官

EBO

CBO

CER

EBO

CE （ SAT ）

115

195

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

BE （ SAT ）

BE（上）

300

200

跃迁频率

输出电容

开关时间

敖包

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

980

890

400

450

275

150

464

300秒;占空比

2%.

分钟。

典型值。

120

8.1

0.5

140

230

1080

980

MAX 。单位条件

=100 A

= 1 A， RB 1K

=10mA*

=100 A

=50V

= 50V ，T

AMB

=100 C

=50V

= 50V ，T

AMB

=100 C

=6V

= 500毫安，我

=10mA*

= 1A ，我

=100mA*

= 1A ，我

=10mA*

= 2A ，我

=10mA*

= 6.5A ，我

=150mA*

= 6.5A ，我

=150mA*

= 6.5A ，V

=1V*

= 10毫安，V

=1V*

= 1A ，V

=1V*

= 7A ，V

=1V*

= 20A ，V

=1V*

= 100mA时V

=10V

f=50MHz

= 10V ， F = 1MHz的*

= 1A ，V

=10V,

=-I

=100mA

第2期 - 2005年6月

半导体

ZX5T869G

典型特征

第2期 - 2005年6月

半导体