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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第82页 > ZX3CD1S1M832TC
ZX3CD1S1M832
MPPS 微型封装电源解决方案
12V PNP低饱和晶体管和40V ， 1A肖特基
二极管的组合DUAL
摘要
PNP晶体管
肖特基二极管
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP这个组合双
包括超低饱和PNP晶体管和一个1A的肖特基势垒
二极管。这个优秀的组合为用户提供了高效
性能中的应用，包括DC -DC和充电电路。
用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
采用3mm x 2毫米双芯片MLP
V
首席执行官
= -12V ;
SAT
= 65m ;
C
= -4A
V
R
= 40V; V
F
=为500mV （ @ 1A ） ;我
C
=1A
C
阴极
特点
超低饱和电压
（ -140mV @ 1A ）
H
FE
特征值最高达-10A
I
C
= -4A连续集电极电流
超低V
F
，快速开关肖特基
采用3mm x 2毫米MLP
B
E
阳极
应用
直流 - 直流转换器
手机
充电电路
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZX3CD1S1M832TA
ZX3CD1S1M832TC
REEL
7
13
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
1S1
第1期 - 2002年6月
1
ZX3CD1S1M832
绝对最大额定值。
参数
晶体管
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（A ） （F ）
连续集电极电流（B ） （F ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
-20
-12
-7.5
-12
-4
-4.4
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
V
V
V
A
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
价值
单位
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
2
ZX3CD1S1M832
晶体管典型特征
3.5
最大功耗（ W）
I
C
集电极电流（ A）
10
V
CE （ SAT ）
有限
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
1
DC
1s
100ms
10ms
注意事项（一） （F ）
单脉冲，T
AMB
=25°C
1ms
100us
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
0.1
0.01
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
热阻（ ° C / W）
热阻（ ° C / W）
80
60
D=0.5
注意事项（一） （F ）
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
10
100
脉冲宽度（S ）
董事会铜区（ sqcm ）
瞬态热阻抗
3.5
T
AMB
=25°C
2盎司覆铜
注（ G）
热电阻V电路板面积
P
D
耗散（W）的
3.0
T
j max的情况
=150°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
连续
2盎司覆铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
第1期 - 2002年6月
3
ZX3CD1S1M832
绝对最大额定值。
参数
肖特基二极管
连续反向电压
正向电压@ I
F
=1000mA(typ)
正向电流
平均峰值正向电流D = 50 ％
不重复正向电流T≤ 100秒
T≤ 10毫秒
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
V
R
V
F
I
F
I
FAV
I
FSM
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
40
425
1850
3
12
7
1.2
12
2
20
0.8
8
0.9
9
1.36
13.6
2.4
24
-55到+150
125
V
A
mA
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
价值
单位
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 400mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
4
ZX3CD1S1M832
肖特基典型特征
3.0
热阻（ ° C / W）
80
60
最大功耗（ W）
注意事项（一） （F ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
D=0.5
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
25
50
75
100
125
脉冲宽度（S ）
温度（℃）
瞬态热阻抗
3.0
T
AMB
=25°C
2.5
T
j max的情况
=125°C
连续
2盎司覆铜
注（ G）
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
热阻（ ° C / W）
P
D
耗散（W）的
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
1
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
10
100
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
热电阻V电路板面积
第1期 - 2002年6月
5
ZX3CD1S1M832
MPPS 微型封装电源解决方案
12V PNP低饱和晶体管和40V ， 1A肖特基
二极管的组合DUAL
摘要
PNP晶体管
肖特基二极管
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP这个组合双
包括超低饱和PNP晶体管和一个1A的肖特基势垒
二极管。这个优秀的组合为用户提供了高效
性能中的应用，包括DC -DC和充电电路。
用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
采用3mm x 2毫米双芯片MLP
V
首席执行官
= -12V ;
SAT
= 65m ;
C
= -4A
V
R
= 40V; V
F
=为500mV （ @ 1A ） ;我
C
=1A
C
阴极
特点
超低饱和电压
（ -140mV @ 1A ）
H
FE
特征值最高达-10A
I
C
= -4A连续集电极电流
超低V
F
，快速开关肖特基
采用3mm x 2毫米MLP
B
E
阳极
应用
直流 - 直流转换器
手机
充电电路
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZX3CD1S1M832TA
ZX3CD1S1M832TC
REEL
7
13
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
1S1
第1期 - 2002年6月
1
ZX3CD1S1M832
绝对最大额定值。
参数
晶体管
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（A ） （F ）
连续集电极电流（B ） （F ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
-20
-12
-7.5
-12
-4
-4.4
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
V
V
V
A
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
价值
单位
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
2
ZX3CD1S1M832
晶体管典型特征
3.5
最大功耗（ W）
I
C
集电极电流（ A）
10
V
CE （ SAT ）
有限
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
1
DC
1s
100ms
10ms
注意事项（一） （F ）
单脉冲，T
AMB
=25°C
1ms
100us
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
0.1
0.01
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
热阻（ ° C / W）
热阻（ ° C / W）
80
60
D=0.5
注意事项（一） （F ）
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
10
100
脉冲宽度（S ）
董事会铜区（ sqcm ）
瞬态热阻抗
3.5
T
AMB
=25°C
2盎司覆铜
注（ G）
热电阻V电路板面积
P
D
耗散（W）的
3.0
T
j max的情况
=150°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
连续
2盎司覆铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
第1期 - 2002年6月
3
ZX3CD1S1M832
绝对最大额定值。
参数
肖特基二极管
连续反向电压
正向电压@ I
F
=1000mA(typ)
正向电流
平均峰值正向电流D = 50 ％
不重复正向电流T≤ 100秒
T≤ 10毫秒
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
V
R
V
F
I
F
I
FAV
I
FSM
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
40
425
1850
3
12
7
1.2
12
2
20
0.8
8
0.9
9
1.36
13.6
2.4
24
-55到+150
125
V
A
mA
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
价值
单位
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 400mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
4
ZX3CD1S1M832
肖特基典型特征
3.0
热阻（ ° C / W）
80
60
最大功耗（ W）
注意事项（一） （F ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
D=0.5
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
25
50
75
100
125
脉冲宽度（S ）
温度（℃）
瞬态热阻抗
3.0
T
AMB
=25°C
2.5
T
j max的情况
=125°C
连续
2盎司覆铜
注（ G）
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
热阻（ ° C / W）
P
D
耗散（W）的
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
1
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
10
100
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
热电阻V电路板面积
第1期 - 2002年6月
5
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