ZVP4525Z
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ; TA = 25 ℃） （一）
(V
GS
= 10V ; TA = 70 ℃） （一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
T
j
:
T
英镑
极限
250
±40
-205
-164
-1
-0.75
-1
1.2
9.6
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θ
JA
R
θ
JA
价值
103
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
NB高电压应用
对于高电压应用，相应的行业部门的准则，应考虑有关
导体之间的电压间隔。
第1期 - 2001年3月
2
ZVP4525Z
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻（ 1 ）
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
205
21
0.97
290
29
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=-200mA,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=-200mA,
di/dt=100A/s
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.53
3.78
17.5
7.85
2.45
0.22
0.45
3.45
0.31
0.63
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=-25V,V
GS
=-10V,
I
D
= -200mA （参照
测试电路）
V
DD
= -30V ，我
D
=-200mA
R
G
=50, V
GS
=-10V
（请参考测试电路）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
73
12.8
3.91
pF
pF
pF
V
DS
=-25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
80
-0.8
-250
-285
-30
±1
-1.5
10
13
200
-500
±100
-2.0
14
18
V
nA
nA
V
mS
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
V
DS
=-250V, V
GS
=0V
V
GS
=±40V, V
DS
=0V
I = -1mA ，V
DS
= V
GS
D
符号最小值。
典型值。
MAX 。单位条件。
V
GS
= -10V ，我
D
=-200mA
V
GS
= -3.5V ，我
D
=-100mA
V
DS
=-10V,I
D
=-0.15A
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2001年3月
4
ZVP4525Z
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V GS = 10V ， TA = 25 ℃） （一）
（V GS = 10V ， TA = 70 ℃） （一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
ID
我DM
IS
我SM
PD
T J
:
T英镑
极限
250
±40
-205
-164
-1
-0.75
-1
1.2
9.6
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
103
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
NB高电压应用
对于高电压应用，相应的行业部门的准则，应考虑有关
导体之间的电压间隔。
第2期 - 2007年6月
半导体
2
ZVP4525Z
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻（ 1 ）
V（ BR ） DSS -250
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
R DS （ ON）
-0.8
-285
-30
±1
-1.5
10
13
-500
±100
-2.0
14
18
V
nA
nA
V
Ω
Ω
I D = -1mA ，V GS = 0V
V DS = -250V ，V GS = 0V
V GS = ± 40V ，V DS = 0V
I = -1mA ，V DS = V GS
D
V GS = -10V ，
I D = -200mA
V GS = -3.5V ，
I D = -100mA
V DS = -10V ， I D = -0.15A
符号最小值。
典型值。
MAX 。单位条件。
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
克FS
80
200
mS
国际空间站
OSS
RSS
73
12.8
3.91
pF
pF
pF
V DS = -25 V， V GS = 0V ，
f=1MHz
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Q GS
Q GD
1.53
3.78
17.5
7.85
2.45
0.22
0.45
3.45
0.31
0.63
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = -25V ，V GS = -10V ，
I
D
= -200mA （参照
测试电路）
V DD = -30V ， I D = -200m
A
R G = 50Ω ，V GS = -10V
（请参考测试电路）
V SD
吨RR
Q RR
205
21
0.97
290
29
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = -200mA ，
V GS = 0V
T J = 25 ° C， I F = -200mA ，
di/dt=100A/μs
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2007年6月
半导体
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