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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第91页 > ZVP2120G
SOT223 p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年10月
特点
* 200伏V
DS
* R
DS （ ON）
=25
PARTMARKING详细信息 -
互补式 -
7
ZVP2120G
D
ZVP2120
ZVN2120G
G
S
D
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-200
-200
-1.2
±
20
单位
V
mA
A
V
W
°C
2
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
符号最小值。 MAX 。单位条件。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
50
100
25
7
7
15
12
15
-300
25
-200
-1.5
-3.5
-20
-10
-100
V
V
nA
A
A
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-200 V, V
GS
=0
V
DS
=-160 V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
mA
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ，我
D
=-150mA
V
DS
= -25V ，我
D
=-150mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容（ 2 ）C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
≈
-25V ，我
D
=-150mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2 ％ （ 2 ）样品测试。
（3 ）测定的，用50开关时间
源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
3 - 431
ZVP2120G
典型特征
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
V
GS =
-10V
-8V
-7V
-6V
-0.4
-0.4
V
GS
=
-10V
-8V
-7V
-6V
-0.6
-0.3
-5V
-0.2
-4.5V
-0.1
-4V
-3.5V
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-5V
-0.2
-4.5V
-4V
0
0
-20
-40
-60
-80
-3.5V
-100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
I
D（上） -
通态漏电流（安培）
-20
V
DS-
漏源
电压（伏）
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
I
D=
-
300mA
V
DS =
-25V
-0.6
-0.4
-10V
-0.2
-200mA
-100mA
-50mA
-10
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
()
传输特性
100
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
ta
SIS
Re
e
rc
ou
-S
艾因
Dr
D
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nc
)
on
S(
50
I
D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
V
GS =
-10V
I
D=-
0.1A
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
门Thresh的
老电压
V
GS （ TH）
10
-1
-10
-20
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
-Gate源电压
（伏）
T-温度
(°C)
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3 - 432
ZVP2120G
典型特征
200
200
V
DS =
-25V
g
fs
-Transconductance （MS ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
-0.2
-0.4
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fs
-Transconductance （MS ）
180
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
DS =
-25V
-0.6
-0.8
I
D
- 漏电流（安培）
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
0
I
D=-
0.4A
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
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V
DS
=
-50V -100V -180V
100
C-电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
40
20
C
OSS
C
RSS
0
-10
-20
-30
-40
-50
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 433
SOT223 p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年10月
特点
* 200伏V
DS
* R
DS （ ON）
=25
PARTMARKING详细信息 -
互补式 -
7
ZVP2120G
D
ZVP2120
ZVN2120G
G
S
D
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-200
-200
-1.2
±
20
单位
V
mA
A
V
W
°C
2
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
符号最小值。 MAX 。单位条件。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
50
100
25
7
7
15
12
15
-300
25
-200
-1.5
-3.5
-20
-10
-100
V
V
nA
A
A
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-200 V, V
GS
=0
V
DS
=-160 V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
mA
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ，我
D
=-150mA
V
DS
= -25V ，我
D
=-150mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容（ 2 ）C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
≈
-25V ，我
D
=-150mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2 ％ （ 2 ）样品测试。
（3 ）测定的，用50开关时间
源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
3 - 431
ZVP2120G
典型特征
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
V
GS =
-10V
-8V
-7V
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-0.4
-0.4
V
GS
=
-10V
-8V
-7V
-6V
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-0.3
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-0.2
-4.5V
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-4V
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-4
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-8
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0
-20
-40
-60
-80
-3.5V
-100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
I
D（上） -
通态漏电流（安培）
-20
V
DS-
漏源
电压（伏）
-18
-16
-14
-12
-10
-8
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-4
-2
0
0
-2
-4
-6
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I
D=
-
300mA
V
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-0.6
-0.4
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-200mA
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-50mA
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-4
-6
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V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
()
传输特性
100
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
ta
SIS
Re
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ou
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Dr
D
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)
on
S(
50
I
D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
V
GS =
-10V
I
D=-
0.1A
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
门Thresh的
老电压
V
GS （ TH）
10
-1
-10
-20
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
-Gate源电压
（伏）
T-温度
(°C)
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3 - 432
ZVP2120G
典型特征
200
200
V
DS =
-25V
g
fs
-Transconductance （MS ）
160
140
120
100
80
60
40
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0
0
-0.2
-0.4
g
fs
-Transconductance （MS ）
180
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
DS =
-25V
-0.6
-0.8
I
D
- 漏电流（安培）
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
0
I
D=-
0.4A
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
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=
-50V -100V -180V
100
C-电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
40
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C
OSS
C
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0
-10
-20
-30
-40
-50
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 433
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ZTX301
ZX-LD40
ZMY9V1-GS08
Z86E4700ZDP
Z16C3510QSC
ZFSC-2-10G+
Z-D250CWA
ZB4BVJ1
ZMM8V2HCA
ZMM55C3V0
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    ZVP2120G
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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电话：13528893675
联系人：朱先生
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ZVP2120G
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22+
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SOT-22
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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联系人：李先生
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SOT-223
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
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联系人：何小姐
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SOT26
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