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SOT223 p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第1期 - 98年3月
特点
* 450伏V
DS
* R
DS （ ON）
=150
ZVP0545G
D
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-450
-75
-400
±
20
2
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源
通态电阻（ 1 ）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-450
-1.5
-4.5
20
-20
-2
-100
150
40
120
20
5
10
15
15
20
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
mA
mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈-25V,
I
D
=-50mA
V
DS
=-25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=-450 V, V
GS
=0
V
DS
=-360 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-50mA
V
DS
=-25V,I
D
=-50mA
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    ZVP0545GTA
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联系人：彭小姐
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ZVP0545GTA
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3000
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原包装原标现货，假一罚十，
0.1
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