【p沟道增强模式垂直DMOS FET第2期？ MARCH 94特点* 350伏VDS* RDS （ O】,IC型号ZVP0535A,ZVP0535A PDF资料,ZVP0535A经销商,ic,电子元器件-51电子网

p沟道增强

模式垂直DMOS FET

第2期？ MARCH 94

特点

* 350伏V

* R

DS （ ON）

=100

ZVP0535A

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

门源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

合计

英镑

电子线

TO92兼容

价值

-350

-50

-480

单位

°C

700

-55到+150

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

漏源

击穿电压

栅极 - 源

阈值电压

门体漏

零栅极电压

漏电流

通态漏电流（ 1 ）

静态漏源导通状态

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

共源输出

电容（2）

反向传输电容

(2)

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

符号最小值。 MAX 。单位条件。

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

120

-120

100

-350

-1.5

-4.5

100

-20

-2

= -1mA ，V

=0V

ID = -1mA ，V

= V

20V, V

=0V

=-350 V, V

=-280 V, V

=0V,

T=125°C

(2)

=-25 V, V

=-10V

=-10V,I

=-50mA

=-25V,I

=-50mA

=-25 V, V

= 0V ， F = 1MHz的

≈

-25V ，我

=-50mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300

秒。占空比

≤

3-409

(

ZVP0535A

典型特征

-700

-600

GS =

-10V

-8V

-160

-140

-10V

-8V

-6V

-5V

- 漏电流（mA ）

-500

-400

-300

-200

-100

-20

-40

-60

-80

- 漏电流（mA ）

-120

-100

-80

-60

-40

-20

-6V

-5V

-4V

-100

-4V

-2

-4

-6

-8

-10

- 漏源

电压（伏）

- 漏源

电压（伏）

输出特性

饱和特性

-10

DS-

漏源

电压（伏）

-140

- 漏电流（mA ）

-120

-100

-80

-60

-40

-20

DS =

-10V

-8

-6

75mA

-50mA

-2

-25mA

-2

-4

-6

-8

-10

-4

-2

-4

-6

-8

-10

GS-

门源电压

（伏）

GS-

门源

电压（伏）

电压饱和特性

传输特性

FS-

正向跨导（MS ）

100

DS =

-10V

C-电容（pF ）

国际空间站

OSS

RSS

-100

-20

-40

-60

-80

-20

-40

-60

-80

-100

-120

- 漏源电压

（伏）

- 漏电流

（MA ）

电容V漏源电压

跨导V漏电流

3-410

ZVP0535A

典型特征

-forward跨导（MS ）

-Gate源极电压（伏特）

0 -1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

DS =

-10V

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-100V -200V -350V

-250mA

-Gate源极电压（伏特）

Q-费（ NC ）

跨导V栅源电压

栅极电荷V栅源电压

DS （ ON）

- 漏源电阻

()

1000

2.4

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

=-4V

-5V

-6V

-8V

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-40 -20

100

-10V

IST

-S

)

GS =

-10V

-50mA

门Thresh的

老

GS =

-1mA

电压V

（ TH ）

-1

-10

-100

-1000

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180

D-

漏极电流（mA ）

T - 温度（℃ ）

导通电阻的V栅极 - 源极电压

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

与温度

3-411

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