ZVP0120A
典型特征
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
-0.7
-0.6
-0.5
-6V
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0
-10 -20
-30 -40 -50 -60
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
-70 -80 -90 -100
V
GS =
-10V
-8V
-7V
-0.4
V
GS
=
-10V
-8V
-7V
-6V
-0.3
-5V
-0.2
-4.5V
-0.1
-4V
-3.5V
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
I
D（上） -
通态漏电流（安培）
饱和特性
V
DS-
漏源
电压（伏）
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
I
D=
-
300mA
-200mA
-100mA
-50mA
-10
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
V
DS =
-25V
-10V
-10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
()
传输特性
100
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
-
艾因
Dr
Re
ce
ur
So
D
eR
nc
ta
SIS
)
on
S(
50
V
GS =
-10V
I
D=-
0.1A
I
D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
门Thresh的
老电压
V
GS （ TH）
20 40 60 80 100 120 140 160 180
10
-1
-2
-3
-4 -5 -6 -7 -8 -9-10
-20
V
GS
-Gate源电压
（伏）
温度
(°C)
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3-407
ZVP0120A
典型特征
200
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
g
fs
-Transconductance （MS ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
-0.1
-0.2
-0.3 -0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
V
DS =
-25V
g
fs
-Transconductance （MS ）
V
DS =
-25V
I
D
- 漏电流（安培）
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
110
100
0
I
D=-
0.4A
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V
DS
=
-50V -100V -180V
C-电容（pF ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-50
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3-408
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