ZVN4525E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ; TA = 25 ℃） （一）
(V
GS
= 10V ; TA = 70 ℃） （一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
T
j
:
T
英镑
极限
250
±40
230
183
1.44
1.1
1.44
1.1
8.8
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θ
JA
R
θ
JA
价值
113
65
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
NB高电压应用
对于高电压应用，相应的行业部门的准则，应考虑有关
导体之间的电压间隔。
第1期 - 2001年3月
2
ZVN4525E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻（ 1 ）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.8
250
285
35
±1
1.4
5.6
5.9
6.4
0.3
0.475
500
±100
1.8
8.5
9.0
9.5
V
nA
nA
V
S
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
GS
=±40V, V
DS
=0V
I = 1mA时， V
DS
= V
GS
D
符号最小值。
典型值。
马克斯。
UNI条件。
T
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=360mA
V
GS
= 2.4V ，我
D
=20mA
V
DS
=10V,I
D
=0.3A
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
72
11
3.6
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.25
1.70
11.40
3.5
2.6
0.2
0.5
3.65
0.28
0.70
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=25V,V
GS
=10V,
I
D
= 360毫安（参照
测试电路）
V
DD
= 30V ，我
D
=360mA
R
G
=50, V
qs
=10V
（请参考测试电路）
V
SD
t
rr
Q
rr
186
34
0.97
260
48
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=360mA,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=360mA,
的di / dt = 100A / μs的
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2001年3月
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ZVN4525E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ; TA = 25 ℃） （一）
(V
GS
= 10V ; TA = 70 ℃） （一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
T
j
:
T
英镑
极限
250
±40
230
183
1.44
1.1
1.44
1.1
8.8
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θ
JA
R
θ
JA
价值
113
65
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
NB高电压应用
对于高电压应用，相应的行业部门的准则，应考虑有关
导体之间的电压间隔。
第1期 - 2001年3月
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ZVN4525E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻（ 1 ）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.8
250
285
35
±1
1.4
5.6
5.9
6.4
0.3
0.475
500
±100
1.8
8.5
9.0
9.5
V
nA
nA
V
S
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
GS
=±40V, V
DS
=0V
I = 1mA时， V
DS
= V
GS
D
符号最小值。
典型值。
马克斯。
UNI条件。
T
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=360mA
V
GS
= 2.4V ，我
D
=20mA
V
DS
=10V,I
D
=0.3A
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
72
11
3.6
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.25
1.70
11.40
3.5
2.6
0.2
0.5
3.65
0.28
0.70
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=25V,V
GS
=10V,
I
D
= 360毫安（参照
测试电路）
V
DD
= 30V ，我
D
=360mA
R
G
=50, V
qs
=10V
（请参考测试电路）
V
SD
t
rr
Q
rr
186
34
0.97
260
48
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=360mA,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=360mA,
的di / dt = 100A / μs的
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2001年3月
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