N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
DS
* R
DS （ ON）
= 0.5
*提供Spice模型
ZVN4310A
D
G
S
电子线
TO92兼容
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
实用的连续漏电流在
T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
在T的实际功率消耗
AMB
=25°C*
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DP
I
DM
V
GS
P
合计
P
TOTP
T
j
:T
英镑
价值
100
0.9
1
12
±
20
850
1.13
-55到+150
单位
V
A
A
A
V
mW
W
°C
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上
用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
栅极 - 源
阈值电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
导通状态漏极
Current(1)
静态漏源
导通状态电阻
(1)
前锋
跨
(1)(2)
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
9
0.36
0.48
600
0.5
0.65
100
1
3
20
10
100
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
V
nA
A
A
A
mS
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
ID = 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=3A
V
GS
= 5V ，我
D
=1.5A
V
DS
=25V,I
D
=3A
g
fs
3-393
ZVN4310A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
输入电容（ 2 ）
常见的来源
输出电容
(2)
反向传输
电容（2）
导通延迟时间
(2)(3)
上升时间（ 2 ）（3）
打开-O FF延迟时间
(2)(3)
下降时间（2）（ 3）
符号最小值。
C
国际空间站
C
OSS
典型值。
马克斯。
350
140
单位
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
条件。
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
30
8
25
30
16
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
V
根
= 10V ，我
D
=3A
R
GS
=50
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
热特性
参数
热阻：结到环境
结到外壳
符号
R
日（ J- AMB ）
R
号（j -情况下）
马克斯。
150
50
单位
° C / W
° C / W
最大功率耗散 - （瓦特）
1.0
热阻（ ° C / W）
150
t
1
特区
D =吨
1
/t
P
0.75
100
t
P
D=0.6
Am
tt
en
bi
0.50
em
pe
tu
ra
50
D=0.2
D=0.1
0.25
re
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
D=0.05
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-394
ZVN4310A
典型特征
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
()
V
GS =
20V 10V
12V 9V 8V
V
GS
=3V
10
4V
5V 6V 8V10V
7V
I
D
- 漏电流（安培）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
6V
1.0
5V
4V
3V
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
I
D-
漏电流
（安培）
饱和特性
导通电阻V漏极电流
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
5
g
fs
-Transconductance （S）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
0
n-
ai
Dr
门
THRE
e
rc
ou
S
s
Re
is
e
nc
ta
R
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
3.3A
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
DS =
10V
SHOLD
VOLTA
GE V
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
GS （ TH
)
25 50 75 100 125 150 175 200 225
12
14
16
18
20
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
跨导V漏电流
16
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
500
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
I
D=
3A
C-电容（pF ）
400
300
200
100
0
C
OSS
C
RSS
50
C
国际空间站
V
DD
=
10V
20V
50V
100V
0
10
20
30
40
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3-395
N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
DS
* R
DS （ ON）
= 0.5
*提供Spice模型
ZVN4310A
D
G
S
电子线
TO92兼容
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
实用的连续漏电流在
T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
在T的实际功率消耗
AMB
=25°C*
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DP
I
DM
V
GS
P
合计
P
TOTP
T
j
:T
英镑
价值
100
0.9
1
12
±
20
850
1.13
-55到+150
单位
V
A
A
A
V
mW
W
°C
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上
用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
栅极 - 源
阈值电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
导通状态漏极
Current(1)
静态漏源
导通状态电阻
(1)
前锋
跨
(1)(2)
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
9
0.36
0.48
600
0.5
0.65
100
1
3
20
10
100
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
V
nA
A
A
A
mS
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
ID = 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=3A
V
GS
= 5V ，我
D
=1.5A
V
DS
=25V,I
D
=3A
g
fs
3-393
ZVN4310A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
输入电容（ 2 ）
常见的来源
输出电容
(2)
反向传输
电容（2）
导通延迟时间
(2)(3)
上升时间（ 2 ）（3）
打开-O FF延迟时间
(2)(3)
下降时间（2）（ 3）
符号最小值。
C
国际空间站
C
OSS
典型值。
马克斯。
350
140
单位
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
条件。
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
30
8
25
30
16
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
V
根
= 10V ，我
D
=3A
R
GS
=50
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
热特性
参数
热阻：结到环境
结到外壳
符号
R
日（ J- AMB ）
R
号（j -情况下）
马克斯。
150
50
单位
° C / W
° C / W
最大功率耗散 - （瓦特）
1.0
热阻（ ° C / W）
150
t
1
特区
D =吨
1
/t
P
0.75
100
t
P
D=0.6
Am
tt
en
bi
0.50
em
pe
tu
ra
50
D=0.2
D=0.1
0.25
re
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
D=0.05
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-394
ZVN4310A
典型特征
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
()
V
GS =
20V 10V
12V 9V 8V
V
GS
=3V
10
4V
5V 6V 8V10V
7V
I
D
- 漏电流（安培）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
6V
1.0
5V
4V
3V
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
I
D-
漏电流
（安培）
饱和特性
导通电阻V漏极电流
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
5
g
fs
-Transconductance （S）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
0
n-
ai
Dr
门
THRE
e
rc
ou
S
s
Re
is
e
nc
ta
R
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
3.3A
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
DS =
10V
SHOLD
VOLTA
GE V
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
GS （ TH
)
25 50 75 100 125 150 175 200 225
12
14
16
18
20
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
跨导V漏电流
16
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
500
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
I
D=
3A
C-电容（pF ）
400
300
200
100
0
C
OSS
C
RSS
50
C
国际空间站
V
DD
=
10V
20V
50V
100V
0
10
20
30
40
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3-395
QQ：2881677436 复制
