SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年10月
特点
*非常低R
DS （ ON）
= .33
应用
*直流 - 直流转换器
*螺线管/继电器驱动汽车
PARTMARKING详细信息 -
ZVN4306
ZVN4306G
D
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
60
2.1
15
±
20
3
-55到+150
单位
V
A
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
符号最小值。
60
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
12
0.22
0.32
0.7
350
140
30
8
25
30
16
0.33
0.45
1.3
单位条件。
V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
nA
A
A
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
V
根
= 10V ，我
D
=3A
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=10V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
V
GS
= 5V ，我
D
=1.5A
V
DS
=25V,I
D
=3A
3
20
10
100
导通状态漏极
I
D（上）
Current(1)
静态漏源
R
DS （ ON）
通态电阻（ 1 ）
前锋
跨导（1）
输入电容（ 2 ）
常见的来源
输出电容（ 2 ）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间
(2)(3)
上升时间（ 2 ）（3）
打开-O FF延迟时间
(2)(3)
下降时间（2）（ 3）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 411
ZVN4306G
典型特征
12
11
7V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS =
20V 12V 10V 9V 8V
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
()
V
GS
=3V
10
3.5V
5V 6V
I
D
- 漏电流（安培）
6V
1.0
5V
8V
10V
4V
3.5V
3V
10
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
I
D-
漏电流
（安培）
饱和特性
导通电阻V漏极电流
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
D
eR
nc
ta
SIS
)
on
S(
5
g
fs
-Transconductance （S）
V
GS =
10V
I
D=
3A
4
3
2
1
V
DS =
10V
Re
ce
ur
o
-S
艾因
Dr
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
栅极阈值电压V
GS （ TH）
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
跨导V漏电流
500
16
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
14
12
10
8
6
4
2
0
0 1
I
D=
3A
V
DD
=
20V
40V
60V
C-电容（pF ）
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
60
70
80
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 412
SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年10月
特点
*非常低R
DS （ ON）
= .33
应用
*直流 - 直流转换器
*螺线管/继电器驱动汽车
PARTMARKING详细信息 -
ZVN4306
ZVN4306G
D
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
60
2.1
15
±
20
3
-55到+150
单位
V
A
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
符号最小值。
60
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
12
0.22
0.32
0.7
350
140
30
8
25
30
16
0.33
0.45
1.3
单位条件。
V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
nA
A
A
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
V
根
= 10V ，我
D
=3A
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=10V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
V
GS
= 5V ，我
D
=1.5A
V
DS
=25V,I
D
=3A
3
20
10
100
导通状态漏极
I
D（上）
Current(1)
静态漏源
R
DS （ ON）
通态电阻（ 1 ）
前锋
跨导（1）
输入电容（ 2 ）
常见的来源
输出电容（ 2 ）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间
(2)(3)
上升时间（ 2 ）（3）
打开-O FF延迟时间
(2)(3)
下降时间（2）（ 3）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 411
ZVN4306G
典型特征
12
11
7V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS =
20V 12V 10V 9V 8V
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
()
V
GS
=3V
10
3.5V
5V 6V
I
D
- 漏电流（安培）
6V
1.0
5V
8V
10V
4V
3.5V
3V
10
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
I
D-
漏电流
（安培）
饱和特性
导通电阻V漏极电流
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
D
eR
nc
ta
SIS
)
on
S(
5
g
fs
-Transconductance （S）
V
GS =
10V
I
D=
3A
4
3
2
1
V
DS =
10V
Re
ce
ur
o
-S
艾因
Dr
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
栅极阈值电压V
GS （ TH）
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
跨导V漏电流
500
16
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
14
12
10
8
6
4
2
0
0 1
I
D=
3A
V
DD
=
20V
40V
60V
C-电容（pF ）
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
60
70
80
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 412
QQ：2880707522 复制
