SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期 - 1995年11月
特点
*低字节R
DS （ ON）
= 1.5
PARTMARKING详细信息 - ZVN4210
ZVN4210G
D
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
100
0.8
6
±
20
2
-55到+150
单位
V
A
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
符号最小值。
BV
DSS
100
0.8
2.4
100
10
100
2.5
1.5
1.8
250
100
40
12
4
8
20
30
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=1.5A
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=1.5A
V
GS
=5V,I
D
=500mA
V
DS
=25V,I
D
=1.5A
门源阈值电压V
GS （ TH）
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
正向跨导（ 1 ） （ 2 ）G
fs
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
C
国际空间站
C
OSS
反向传输电容（ 2 ）C
RSS
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
ZVN4210G
漏源二极管的特性
参数
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间
（要我
R
=10%)
符号最小值。
V
SD
T
RR
-
-
-
典型值
0.79
0.89
135
MAX 。单位条件。
-
-
V
V
ns
I
S
= 0.32A ，V
GS
=0V
I
S
= 1.0A ，V
GS
=0V
I
F
= 0.45A ，V
GS
=0V,
I
R
= 100mA时V
R
=10V
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
ZVN4210G
典型特征
的RDS（on ） - 漏源导通电阻
()
100
V
GS
=3V 3.5V
5V 6V 8V 10V
V
GS =
10V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
10
5
I
D
- 漏电流（安培）
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.1
1.0
10
V
DS
- 漏源
电压（伏）
I
D-
漏电流
（安培）
饱和特性
导通电阻V漏极电流
2.6
1000
900
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
0
g
fs
-Transconductance （MS ）
e
rc
ou
S
n-
ai
V
GS =
V
DS
Dr
门
I
D=
1mA
THRES
持V
oltage
V
GS （ TH
)
Re
SIS
e
nc
ta
R
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
1.5A
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
V
DS =
10V
25 50 75 100 125 150 175 200 225
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
跨导V漏电流
16
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
200
V
DD
=
20V 50V
80V
I
D=
1.5A
14
12
10
8
6
4
2
0
0
C-电容（pF ）
160
120
80
C
国际空间站
40
0
C
OSS
C
RSS
100
0
20
40
60
80
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
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