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SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1998年4月
特点
* 60伏V
DS
* R
DS ( ON)
= 1
*重复雪崩额定值
*无需瞬态保护
* Characterised为5V逻辑驱动器
应用
*汽车继电器驱动器
*步进电机驱动器
PARTMARKING详细信息 -
ZVN4206V
ZVN4206GV
D
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
= 25°C
连续体二极管电流在T
AMB
=
25°C
雪崩电流 - 重复
雪崩能量 - 重复
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
I
SD
I
AR
E
AR
T
j
:T
英镑
价值
60
1
8
±
20
2
600
600
15
-55到+150
单位
V
A
A
V
W
mA
mA
mJ
°C
ZVN4206GV
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流( 1 )
静态漏源导通状态
电阻(1)
正向跨导
(1)(2)
输入电容( 2 )
共源输出
电容(2)
反向传输电容
(2)
导通延迟时间( 2 ) ( 3 )
上升时间( 2 )(3)
关断延迟时间( 2 ) ( 3 )
下降时间(2)( 3)
符号最小值。
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
300
100
60
20
8
12
12
15
3
1
1.5
60
1.3
3
100
10
100
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
= 1.5A ,V
=10V
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ,T = 125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=1.5A
V
GS
= 5V ,我
D
=0.5A
V
DS
=25V,I
D
=1.5A
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
( 2 )样品测试。
( 3 )开关时间测量50Ω源阻抗和< 5ns的上升时间的脉冲发生器
ZVN4206GV
典型特征
10
V
GS =
20V
16V
14V
12V
10V
9V
8V
7V
2
6V
5V
4.5V
4V
3.5V
50
10
V
GS =
20V
16V
14V
12V
10V
9V
8V
7V
6V
5V
4.5V
4V
3.5V
10
I
D
- 漏电流(安培)
6
I
D
- 漏电流(安培)
8
8
6
4
4
2
0
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏源
电压(伏)
V
DS
- 漏源
电压(伏)
输出特性
饱和特性
V
DS-
漏源
电压(伏)
10
I
D
- 漏电流(安培)
6
V
DS =
10V
4
8
6
4
I
D=
3A
1.5A
0.5A
0
2
4
6
8
10
2
2
0
0
0
2
4
6
8
10
V
GS-
门源电压
(伏)
V
GS-
门源
电压(伏)
电压饱和特性
R
DS ( ON)
- 漏源导通电阻
()
传输特性
V
GS
=3.5V
10
4.5V
6V
8V 10V
2.6
归一化
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
Re
ce
ur
o
-S
in
ra
D
R
ce
an
IST
s
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
1.5A
14V
1.0
20V
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
栅极阈值电压V
GS ( TH)
0
25 50 75 100 125 150 175 200 225
0.1
0.1
1.0
10
I
D-
漏电流
(安培)
T
j
-Junction温度(℃ )
导通电阻V漏极电流
归一化
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
V温度
ZVN4206GV
典型特征
1000
1000
g
fs
-Transconductance (MS )
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
g
fs
-Transconductance (MS )
900
800
V
DS =
10V
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS =
10V
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
- 漏电流(安培)
V
GS
-Gate源极电压(伏特)
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
V
DS
=
20V 40V 60V
I
D=
1.5A
V
GS
-Gate源极电压(伏特)
200
16
14
12
10
8
6
4
2
0
C-电容(pF )
160
120
80
C
国际空间站
40
C
OSS
0
0
10
20
30
40
50
60
C
RSS
70
80
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
V
DS
- 漏源极电压(伏特)
Q-费( NC )
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
E
AR
- 但却难免重复雪崩能量(mJ )
T
j
- 结温( ° C)
I
AR
- 但却难免重复雪崩电流(A )
T
j
- 结温( ° C)
最大但却难免重复雪崩能量
V结温
最大但却难免重复雪崩电流
V结温
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    ZVN4206GVTA
    -
    -
    -
    -
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ZVN4206GVTA
ZETEX
09+
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联系人:小邹
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ZVN4206GVTA
DIODES
22+
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原厂封装
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ZVN4206GVTA
DIODES/美台
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5000
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100%原装正品,可长期订货
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地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
ZVN4206GVTA
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20+
3000
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全新原装房间现货
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电话:19928739245
联系人:黄生
地址:深圳市福田区振兴路上步工业区505栋608室
ZVN4206GVTA
DIODES/美台
2020+
65000
SOT223
全新进口原装正品现货热卖
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18530
SOT-22..
全新原装现货热卖
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ZVN4206GVTA
Z
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6000
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授权分销 现货热卖
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