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对产品线

Diodes公司

ZVN3310F

100V N沟道增强型MOSFET

请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。

产品概述

(V)

DS （ ON）

()

100

特点和优点

高脉冲电流处理以线性模式

低输入电容

开关速度快

铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）

说明与应用

这种MOSFET的采用，结合低输入结构

电容具有较低的导通电阻，并且具有固有的

在比线性模式较高的脉冲电流处理能力

可比的沟槽技术结构。该MOSFET适用于

一般用途的应用。

通用100V场效应管

电源管理

隔离开关

电信

互补型 - ZVP3310F

机械数据

案例： SOT -23

表壳材质：采用UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端：雾锡完成了退火合金引线框架42

（无铅电镀）。每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

重量： 0.008克（近似值）

SOT-23

漏

门

来源

顶视图

引脚输出配置

等效电路

订购信息

产品

ZVN3310FTA

注意事项：

（注2 ）

记号

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

3000

1.没有故意添加铅。

2.对于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

MF =产品型号标识代码

ZVN3310F

文件编号DS31980版本4 - 2

1 5

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2009年10月

Diodes公司

对产品线

Diodes公司

ZVN3310F

最大额定值

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

价值

100

±20

100

单位

特征

热特性

特征

功耗@T

= 25°C

工作和存储温度范围

符号

英镑

价值

330

-55到+150

单位

°C

电气特性

特征

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

民

100

0.8

500

100

典型值

最大

单位

μA

测试条件

= 1mA时， V

= 0V

= 100V, V

= 0V

= 80V, V

= 0V

±20V,

= 0V

= V

, I

= 1毫安

= 25V, V

= 10V

= 10V ，我

= 500毫安

= 25V ，我

= 500毫安

= 25V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

= 25°C

= 125°C （注4 ）

DSS

GSS

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

栅源漏

栅极阈值电压

基本特征（注3 ）

通态漏电流

静态漏源导通电阻

动态特性（注4 ）

正向跨导（注3 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间（注5 ）

导通上升时间（注5 ）

关断延迟时间（注5 ）

关断下降时间（注5 ）

注意事项：

2.4

≈

25V ，我

= 500毫安

脉冲条件下测得的3 。宽度= 300μS 。占空比

≤2%

4.样品测试。

与50Ω的源阻抗和<5ns 5.测量开关时间上升时间的脉冲发生器。

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2 5

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2009年10月

Diodes公司

对产品线

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3 5

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2009年10月

Diodes公司

对产品线

Diodes公司

ZVN3310F

包装外形尺寸

3 LEADS

DIM 。

MILLIMETERS

分钟。

马克斯。

1.12

0.10

0.50

0.20

3.04

分钟。

英寸

马克斯。

0.044

0.004

0.020

0.008

0.120

DIM 。

MILLIMETERS

分钟。

马克斯。

分钟。

英寸

马克斯。

注意：

0.01

0.30

0.085

2.80

1.90 NOM

2.10

1.20

0.25

0.45

2.64

1.40

0.60

0.62

0.075 NOM

0.083

0.047

0.0098

0.018

0.104

0.055

0.0236

0.024

0.0004

0.012

0.003

0.110

0.95 NOM

0.037 NOM

控制尺寸以毫米为单位。近似尺寸以英寸为单位提供

拟议的焊盘布局

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

英寸

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4 5

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2009年10月

Diodes公司

对产品线

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包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

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Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

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商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

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网站上，反对一切损害无害。

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如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

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文件编号DS31980版本4 - 2

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2009年10月

Diodes公司

SOT23封装N沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期？ 1995年10月

特点

* 100伏V

* R

DS （ ON）

= 10

ZVN3310F

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

ZVP3310F

SOT23

符号

合计

英镑

价值

100

330

-55到+150

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

栅源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

单位

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

漏源

击穿电压

门极 - 源

电压

门体漏

零栅极电压

漏电流

通态漏电流（ 1 ）

静态漏源导通状态

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

常见的来源

输出电容（ 2 ）

反向传输电容

(2)

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

符号最小值。

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

3 ，典型值

5 ，典型值

4 ，典型值

5 ，典型值

100

500

100

0.8

2.4

MAX 。单位条件。

≈25V,

=500mA

=25V, V

= 0V ， F = 1MHz的

= 1mA时， V

=0V

= 1mA时， V

= V

=± 20V, V

=0V

=100V, V

=80V, V

= 0V ，T = 125°C

(2)

=25V, V

=10V

= 10V ，我

=500mA

= 25V ，我

=500mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比

≤2%

（ 2 ）样品测试。

（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器

3 - 396

ZVN3310F

典型特征

D（上）

- 酮状态漏电流（安培）

160

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

GS =

10V

-Transconductance （MS ）

DS =

25V

120

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

- 漏电流（安培）

- 漏源

电压（伏）

跨导V漏电流

饱和特性

20V 50V

0.6A

-Gate源极电压（伏特）

0.2

0.4

0.6

0.8

80V

C-电容（pF ）

国际空间站

OSS

RSS

1.0

1.2

- 漏源极电压（伏特）

Q-费（ NC ）

电容V漏源电压

栅极电荷V栅源电压

DS （ ON）

- 漏源电阻

()

100

2.4

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

D=-

0.5A

0.2A

-S

艾因

IST

)

门Thresh的

老Voltag

GS （ TH）

-80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160

-Gate源电压

（伏）

T-温度（ C° ）

上的电阻与栅极 - 源极电压

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

与温度

3 - 397

SOT23封装P沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期？ 1995年10月

特点

* 100伏V

* R

DS （ ON）

=20

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

ZVP3310F

ZVN3310F

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

门源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

漏源击穿

电压

门极 - 源

电压

门体漏

零栅压漏

当前

通态漏电流（ 1 ）

符号最小值。

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

-300

-100

-1.5

-3.5

-20

-1

-50

符号

合计

英镑

价值

-100

-1.2

单位

°C

330

-55到+150

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

MAX 。单位条件。

= -1mA ，V

=0V

= -1mA ，V

= V

20V, V

=0V

=-100V, V

=-80V, V

= 0V ，T = 125°C

(2)

=-25 V, V

=-10V

= -10V ，我

=-150mA

= -25V ，我

=-150mA

静态漏源导通国家科研

DS （ ON）

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

共源输出

电容（2）

反向传输

电容（2）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=-25V, V

= 0V ， F = 1MHz的

≈

-25V ，我

=-150mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300

秒。占空比

≤

2 ％（ 2 ）样品测试。

（3 ）测定的，用50开关时间

源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器

3 - 436

ZVP3310F

典型特征

GS =

-20V

-16V

-14V

-12V

-10V

-9V

-8V

-10

-0.6

我 - 漏电流（安培）

-8

-0.4

-6

-0.2

漏源

-7V

-6V

-5V

-4

-0.3A

-0.15A

-0.075A

-2

-4

-6

-8

-4V

-10

-2

-4

-6

-8

-10

- 漏源

电压（伏）

GS-

门源电压

（伏）

饱和特性

电压饱和特性

100

克-Transconductance （MS ）

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

C-电容（pF ）

DS =

-10V

GS =

= 1MHz的

国际空间站

OSS

RSS

-20

-40

-60

-80

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

- 漏极电流（安培

)

- 漏源极电压（伏特）

跨导V漏电流

电容V漏源电压

-16

2.6

2.4

2.2

-Gate源极电压（伏特）

-14

和V

-12

-10

-8

GS =

-10V

-150mA

2.0

1.8

1.6

-4

-2

-25V

-50V -100V

D= -

0.2A

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

归一化

-6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-40 -20

80 100 120 140 160 180

GS =

-1mA

0.2

Q-费（ NC ）

-Junction温度（℃ ）

栅极电荷V栅源电压

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

V温度

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