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SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年12月
特点
* 450伏特V
DS
* R
DS （ ON）
= 50
*易于并联的
7
ZVN0545G
D
S
PARTMARKING详细信息 - ZVN0545
G
D
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
450
140
600
±
20
2
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
前锋
Transconductance(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输电容
(2)
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
450
1
3
20
10
400
150
50
100
70
10
4
7
7
16
10
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=100mA
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=450 V, V
GS
=0
V
DS
=405 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=100mA
V
DS
=25V,I
D
=100mA
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
3 - 384
SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年12月
特点
* 450伏特V
DS
* R
DS （ ON）
= 50
*易于并联的
7
ZVN0545G
D
S
PARTMARKING详细信息 - ZVN0545
G
D
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
450
140
600
±
20
2
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
前锋
Transconductance(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输电容
(2)
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
450
1
3
20
10
400
150
50
100
70
10
4
7
7
16
10
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=100mA
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=450 V, V
GS
=0
V
DS
=405 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=100mA
V
DS
=25V,I
D
=100mA
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
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