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N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 350伏V
DS
* R
DS （ ON）
=50
ZVN0535A
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
350
90
600
±
20
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
700
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
100
70
10
4
7
7
16
10
3-353
150
50
350
1
3
20
10
400
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
ID = 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=350 V, V
GS
=0
V
DS
=280 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=100mA
V
DS
=25V,I
D
=100mA
mA
正向跨导（ 1 ） （2克
fs
)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
C
国际空间站
C
OSS
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容C
RSS
(2)
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
≈
25V ，我
D
=100mA
(
1
ZVN0535A
典型特征
I
D（上）
通态漏电流（mA ）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3V
4V
V
GS
=
10V
8V
6V
5V
400
V
GS
=
10V
6V
5V
4V
I
D（上）
漏极电流（mA ）
300
200
100
3V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
V
DS-
漏源
电压（伏）
20
500
I
D（上）
漏极电流（mA ）
16
I
D=
250mA
400
V
DS =
25V
12
300
8
200
4
100mA
50mA
2
4
6
8
10
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
传输特性
100
250
g
fs
-Transconductance （MS ）
C-电容（pF ）
80
60
C
国际空间站
40
20
0
0
10
20
30
40
50
C
OSS
C
RSS
200
150
100
50
0
0
100
200
V
DS =
25V
300
400
500
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
I
D（上）
- 漏电流（mA ）
电容V漏源电压
跨导V漏电流
3-354
ZVN0535A
典型特征
V
DS
=100V 200V 360V
g
fs
-forward跨导（MS ）
250
V
DS =
25V
10
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
200
150
8
I
D=
500mA
6
100
4
2
0
0
0.4
0.8 1.2 1.6
2.0 2.4 2.8
3.2 3.6 4.0
50
0
2
4
6
8
10
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
跨导V栅源电压
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
()
栅极电荷V栅源电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
I
D=
250mA
100mA
50mA
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
e
rc
ou
-S
n
ai
Dr
e
nc
ta
is
s
Re
R
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
0.1A
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
门牛逼
HRE
shold V
oltage
V
GS （T
h)
10
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
0.4
-80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
-Gate源电压
（伏）
T
j
-Junction温度（ C° ）
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3-355
N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 350伏V
DS
* R
DS （ ON）
=50
ZVN0535A
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
350
90
600
±
20
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
700
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
100
70
10
4
7
7
16
10
3-353
150
50
350
1
3
20
10
400
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
ID = 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=350 V, V
GS
=0
V
DS
=280 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=100mA
V
DS
=25V,I
D
=100mA
mA
正向跨导（ 1 ） （2克
fs
)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
C
国际空间站
C
OSS
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容C
RSS
(2)
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
≈
25V ，我
D
=100mA
(
1
ZVN0535A
典型特征
I
D（上）
通态漏电流（mA ）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3V
4V
V
GS
=
10V
8V
6V
5V
400
V
GS
=
10V
6V
5V
4V
I
D（上）
漏极电流（mA ）
300
200
100
3V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
V
DS-
漏源
电压（伏）
20
500
I
D（上）
漏极电流（mA ）
16
I
D=
250mA
400
V
DS =
25V
12
300
8
200
4
100mA
50mA
2
4
6
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10
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0
0
1
2
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9
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0
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
传输特性
100
250
g
fs
-Transconductance （MS ）
C-电容（pF ）
80
60
C
国际空间站
40
20
0
0
10
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C
OSS
C
RSS
200
150
100
50
0
0
100
200
V
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25V
300
400
500
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
I
D（上）
- 漏电流（mA ）
电容V漏源电压
跨导V漏电流
3-354
ZVN0535A
典型特征
V
DS
=100V 200V 360V
g
fs
-forward跨导（MS ）
250
V
DS =
25V
10
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
200
150
8
I
D=
500mA
6
100
4
2
0
0
0.4
0.8 1.2 1.6
2.0 2.4 2.8
3.2 3.6 4.0
50
0
2
4
6
8
10
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
跨导V栅源电压
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
()
栅极电荷V栅源电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
100
90
80
70
60
50
40
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20
I
D=
250mA
100mA
50mA
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
e
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s
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R
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(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
0.1A
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
门牛逼
HRE
shold V
oltage
V
GS （T
h)
10
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
0.4
-80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
-Gate源电压
（伏）
T
j
-Junction温度（ C° ）
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3-355
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Z8470B1
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联系人：刘经理
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