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N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第1期？四月94
特点
* 170伏BV
DS
应用
*电话手机
ZVN0117TA
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
170
160
2
±
20
单位
V
mA
A
V
mW
°C
700
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号最小值。
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
100
23
23
170
100
10
50
马克斯。
单位条件。
V
nA
A
A
漏源击穿
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源
通态电阻（ 1 ）
I
D
=10
A，V
GS
=0V
V
GS
=
±
15V, V
DS
=0V
V
DS
=170 V, V
GS
=0
V
DS
=140 V, V
GS
=0V,
T=50°C
(2)
V
DS
=3V, V
GS
=3.3V
V
GS
=3.3V,I
D
=100mA
V
GS
=3V,I
D
=30mA
mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2%
PAGE NO
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第1期？四月94
特点
* 170伏BV
DS
应用
*电话手机
ZVN0117TA
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
170
160
2
±
20
单位
V
mA
A
V
mW
°C
700
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号最小值。
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
100
23
23
170
100
10
50
马克斯。
单位条件。
V
nA
A
A
漏源击穿
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源
通态电阻（ 1 ）
I
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=10
A，V
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=0V
V
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=
±
15V, V
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=0V
V
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=170 V, V
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=0
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=140 V, V
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=0V,
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(2)
V
DS
=3V, V
GS
=3.3V
V
GS
=3.3V,I
D
=100mA
V
GS
=3V,I
D
=30mA
mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2%
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特点
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绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
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价值
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2
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20
单位
V
mA
A
V
mW
°C
700
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号最小值。
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
100
23
23
170
100
10
50
马克斯。
单位条件。
V
nA
A
A
漏源击穿
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源
通态电阻（ 1 ）
I
D
=10
A，V
GS
=0V
V
GS
=
±
15V, V
DS
=0V
V
DS
=170 V, V
GS
=0
V
DS
=140 V, V
GS
=0V,
T=50°C
(2)
V
DS
=3V, V
GS
=3.3V
V
GS
=3.3V,I
D
=100mA
V
GS
=3V,I
D
=30mA
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18650
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全新原装正品/质量有保证
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