NPN硅平面中功率
高电流晶体管
第1期？四月94
特点
* 25伏V
首席执行官
* 5安培连续电流
*高达20A的峰值电流
*非常低饱和电压
*高增益
* P
合计
= 1.2瓦
ZTX869
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
实际功耗*
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOTP
P
合计
T
j
:T
英镑
60
25
6
20
5
1.58
1.2
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
-55到+200
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
voltag
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CER
R
≤
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
50
100
180
880
3-306
分钟。
60
60
25
6
典型值。
120
120
35
8
50
1
50
1
10
50
80
200
220
950
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=100
A
IC=1
A， RB
≤
1K
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
=100°C
V
CB
=50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=6V
I
C
= 0.5A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2A ，我
B
=100mA*
I
C
= 5A ，我
B
=100mA*
I
C
= 5A ，我
B
=100mA*
A
A
基射
饱和电压
V
BE （ SAT ）
ZTX869
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
V
BE（上）
h
FE
300
300
250
40
分钟。
典型值。
800
450
450
400
100
100
70
60
680
兆赫
pF
ns
ns
马克斯。
900
单位
mV
条件。
IC = 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 20A ，V
CE
=1V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=100mA
I
B2
= 100mA时V
CC
=10V
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
结到外壳
符号
R
日（ J- AMB ）
R
号（j -情况下）
马克斯。
150
50
单位
° C / W
° C / W
最大功率耗散 - （瓦特）
4.0
热阻（ ° C / W）
150
t
1
特区
D =吨
1
/t
P
3.0
Ca
se
100
te
t
P
D=0.6
2.0
m
1.0
AMB
ient牛逼
EMP
eratu
-40 -20
0
20 40
pe
ra
tu
re
50
D=0.2
D=0.1
re
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
D=0.05
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-307
NPN硅平面中功率
高电流晶体管
第1期？四月94
特点
* 25伏V
首席执行官
* 5安培连续电流
*高达20A的峰值电流
*非常低饱和电压
*高增益
* P
合计
= 1.2瓦
ZTX869
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
实际功耗*
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOTP
P
合计
T
j
:T
英镑
60
25
6
20
5
1.58
1.2
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
-55到+200
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
voltag
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CER
R
≤
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
50
100
180
880
3-306
分钟。
60
60
25
6
典型值。
120
120
35
8
50
1
50
1
10
50
80
200
220
950
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=100
A
IC=1
A， RB
≤
1K
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
=100°C
V
CB
=50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=6V
I
C
= 0.5A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2A ，我
B
=100mA*
I
C
= 5A ，我
B
=100mA*
I
C
= 5A ，我
B
=100mA*
A
A
基射
饱和电压
V
BE （ SAT ）
ZTX869
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
V
BE（上）
h
FE
300
300
250
40
分钟。
典型值。
800
450
450
400
100
100
70
60
680
兆赫
pF
ns
ns
马克斯。
900
单位
mV
条件。
IC = 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 20A ，V
CE
=1V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=100mA
I
B2
= 100mA时V
CC
=10V
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
结到外壳
符号
R
日（ J- AMB ）
R
号（j -情况下）
马克斯。
150
50
单位
° C / W
° C / W
最大功率耗散 - （瓦特）
4.0
热阻（ ° C / W）
150
t
1
特区
D =吨
1
/t
P
3.0
Ca
se
100
te
t
P
D=0.6
2.0
m
1.0
AMB
ient牛逼
EMP
eratu
-40 -20
0
20 40
pe
ra
tu
re
50
D=0.2
D=0.1
re
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
D=0.05
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-307
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