PNP硅平面中功率
高增益晶体管
临时数据表第2期？九月94
特点
* 15伏V
首席执行官
200在I *增益
C
= 2安培
*非常低饱和电压
ZTX788A
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
实际功耗*
功耗
在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOTP
P
合计
T
j
:T
英镑
-20
-15
-5
-10
-3
1.5
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
工作和存储温度范围
-55到+200
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
250
200
80
3-271
分钟。
-20
-15
-5
典型值。
-30
-20
-8.5
-0.1
-10
-0.1
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-10V
V
CB
= -10V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-2mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA*
IC = -2A ，V
CE
=-3V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V*
-0.025 -0.035 V
-0.25 -0.32 V
-0.28 -0.33 V
-0.85
-0.8
800
-1.0
V
V
ZTX788A
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
100
典型值。
150
30
40
500
60
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
2.5
200
最大功率耗散 - （瓦特）
热阻（ ° C / W）
D = 1 （直流）
2.0
t
1
D =吨
1
/t
P
t
P
C
1.5
as
e
te
m
pe
1.0
Am
ra
100
D=0.5
BIE
tu
NT吨
re
em
0.5
0
每
在ü
re
D=0.2
D=0.1
单脉冲
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-272
PNP硅平面中功率
高增益晶体管
临时数据表第2期？九月94
特点
* 15伏V
首席执行官
200在I *增益
C
= 2安培
*非常低饱和电压
ZTX788A
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
实际功耗*
功耗
在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOTP
P
合计
T
j
:T
英镑
-20
-15
-5
-10
-3
1.5
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
工作和存储温度范围
-55到+200
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
250
200
80
3-271
分钟。
-20
-15
-5
典型值。
-30
-20
-8.5
-0.1
-10
-0.1
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-10V
V
CB
= -10V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-2mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA*
IC = -2A ，V
CE
=-3V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V*
-0.025 -0.035 V
-0.25 -0.32 V
-0.28 -0.33 V
-0.85
-0.8
800
-1.0
V
V
ZTX788A
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
100
典型值。
150
30
40
500
60
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
2.5
200
最大功率耗散 - （瓦特）
热阻（ ° C / W）
D = 1 （直流）
2.0
t
1
D =吨
1
/t
P
t
P
C
1.5
as
e
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m
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1.0
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100
D=0.5
BIE
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在ü
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D=0.2
D=0.1
单脉冲
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0
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0
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1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-272
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