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PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ JULY 94
特点
* 200伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX776
C
B
E
详阅ZTX755关于图
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述牛逼
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-200
-200
-5
-2
-1
1
5.7
-55到+200
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
50
50
20
30
20
兆赫
pF
分钟。
-200
-200
-5
-100
-100
-0.5
-0.5
-1.1
-1.0
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100
A，I
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0*
I
E
=-100
A，I
C
=0
V
CB
= -160V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
IC = -500mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V
I
C
= -500mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3-270
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批号
数量
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