【PNP硅平面中功率达林顿晶体管第3期？ MAY 94特点* 120伏V首席执行官* 1安培连续电流*】,IC型号ZTX704M1TA,ZTX704M1TA PDF资料,ZTX704M1TA经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅平面中功率

达林顿晶体管

第3期？ MAY 94

特点

* 120伏V

首席执行官

* 1安培连续电流

* 3K的增益，在我

C

= 1安培

* P

合计

= 1瓦

应用

*灯，电磁阀和继电器驱动器

ZTX704

ZTX705

C

B

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

ZTX704

-120

-100

电子线

TO92兼容

ZTX705

-140

-120

-10

-4

-1

1

5.7

-55到+200

单位

V

V

V

A

A

W

毫瓦/°C的

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

符号

V

（ BR ） CBO

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

I

CBO

ZTX704

分钟。

-120

-100

-10

-0.1

-10

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

-10

-0.1

-1.3

-2.5

-1.8

-1.7

3-250

ZTX705

马克斯。

V

V

V

A

A

A

A

A

A

单位

条件。

I

C

=-100

A

I

C

=-10mA*

I

E

=-100

A

V

CB

=-100V

V

CB

=-120V

V

CB

=-100V,

T

AMB

=100°C

V

CB

=-120V,

T

AMB

=100°C

V

CES

=-80V

V

EB

=-8V

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-2mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-10mA*

IC = -1A ，V

CE

=-5V*

MAX 。 MIN 。

-140

-120

-10

-0.1

-10

-10

-0.1

-1.3

-2.5

-1.8

-1.7

集电极截止

当前

发射极截止

当前

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

V

V

V

V

ZTX704

ZTX705

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

符号

h

FE

ZTX704

分钟。

静态前进

电流传输

比

过渡

频率

输入电容

输出电容

开关时间

3K

3K

3K

2K

MAX 。 MIN 。

30K

3K

3K

3K

2K

ZTX705

马克斯。

30K

I

C

= -10mA ，V

CE

=-5V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-5V*

I

C

= -1A ，V

CE

=-5V*

I

C

= -2A ，V

CE

=-5V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-10V

f=20MHz

V

EB

= -0.5V ， F = 1MHz的

V

CE

= -10V ， F = 1MHz的

I

C

= -0.5A ，V

CE

=-10V

I

B1

=I

B2

=-0.5mA

单位

条件。

f

T

C

IBO

C

敖包

t

on

t

关闭

160的典型

90典型

15典型

0.6典型

0.8典型

160 MHz的典型

90典型

15典型

0.6典型

0.8典型

pF

pF

s

s

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

最大功率耗散（ W）

1.0

R

5

= 100K

R

5

= 1M

0.8 R

5

=

∞

0.6

0.4

0.2

0

1

10

DC条件

R

5

= 22K

100

V

CE

- 集电极 - 发射极电压（伏特）

电压降额图

所允许的最大工作温度可以从该曲线图使用得到

下面的等式

T

AMB

(

最大

)

=

动力

（最大值） -

动力

(

法案

)

0.0057

+25°

C

T

AMB （最大值）

=最高工作环境温度

功率（最大） =最大功率耗散图中，从上面的曲线图，一个获得

鉴于V

CE

和源电阻（R

S

)

功率（实际值） =在用户电路实际功耗

3-251

ZTX704

ZTX705

典型特征

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

I

C

/I

B

=1000

16k

14k

12k

1.8

1.6

+100°C

+25°C

-55°C

V

CE

=-5V

V

CE （ SAT ）

- （伏）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

1

10 20

h

FE

- 增益

10k

8k

6k

4k

2k

0

0.001

0.01

0.1

1

10 20

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

h

FE

V I

C

1.8

1.6

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

2.4

I

C

/I

B

=1000

2.2

2.0

-55°C

+25°C

+100°C

V

CE

=-5V

V

BE （ SAT ）

- （伏）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

1

10 20

V

BE

- （伏）

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.001

0.01

0.1

1

10 20

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

BE （ SAT ）

V I

C

10

在T单脉冲测试

AMB

=25°C

V

BE（上）

V I

C

I

C

- 集电极电流（安培）

1

0.1

特区

1s

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

ZTX704

ZTX705

1

10

100

1000

V

CE

-

集电极电压（伏特）

安全工作区

3-252

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