NPN硅平面中功率
高增益晶体管
第3期 - 1995年11月
特点
* 180伏V
首席执行官
500在I *增益
C
=100mA
*非常低饱和电压
应用
*达林顿更换
*电池供电的电路
*电机驱动器
*继电器/螺线管驱动器
ZTX696B
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
实际功耗*
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOTP
P
合计
T
j
:T
英镑
180
180
5
1
0.5
1.5
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
500
150
3-247
分钟。
180
180
5
0.1
0.1
0.2
0.2
0.25
0.9
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=145V
V
EB
=4V
I
C
= 50mA时我
B
=0.5mA*
I
C
= 100mA时我
B
=2mA*
I
C
=的200mA，我
B
=5mA*
I
C
=的200mA，我
B
=5mA*
I
C
=的200mA， V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
=的200mA， V
CE
=5V*
V
V
V
V
V
ZTX696B
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
70
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
pF
ns
ns
条件。
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
f=50MHz
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 100mA时我
B!
=10mA
I
B2
= 10毫安，V
CC
=50V
200
6
80
4400
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
3-248
NPN硅平面中功率
高增益晶体管
第3期 - 1995年11月
特点
* 180伏V
首席执行官
500在I *增益
C
=100mA
*非常低饱和电压
应用
*达林顿更换
*电池供电的电路
*电机驱动器
*继电器/螺线管驱动器
ZTX696B
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
实际功耗*
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOTP
P
合计
T
j
:T
英镑
180
180
5
1
0.5
1.5
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
500
150
3-247
分钟。
180
180
5
0.1
0.1
0.2
0.2
0.25
0.9
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=145V
V
EB
=4V
I
C
= 50mA时我
B
=0.5mA*
I
C
= 100mA时我
B
=2mA*
I
C
=的200mA，我
B
=5mA*
I
C
=的200mA，我
B
=5mA*
I
C
=的200mA， V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
=的200mA， V
CE
=5V*
V
V
V
V
V
ZTX696B
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
70
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
pF
ns
ns
条件。
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
f=50MHz
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 100mA时我
B!
=10mA
I
B2
= 10毫安，V
CC
=50V
200
6
80
4400
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
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QQ：2880707522 复制
