【NPN硅平面中功率高压晶体管第2期 - 2002年4月特点* 400伏V首席执行官* 0.5安培连续】,IC型号ZTX658_02,ZTX658_02 PDF资料,ZTX658_02经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NPN硅平面中功率

高压晶体管

第2期 - 2002年4月

特点

* 400伏V

首席执行官

* 0.5安培连续电流

* P

合计

= 1瓦

应用

*电话拨号器电路

ZTX658

C

B

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

400

400

5

1

500

1

5.7

电子线

TO92兼容

价值

单位

V

V

V

A

mA

W

毫瓦/°C的

°C

-55到+200

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

集电极截止

当前

符号最小值。

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO）

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CBO

400

400

5

100

100

100

0.3

0.25

0.5

0.9

0.9

50

50

40

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

nA

nA

nA

V

V

V

V

V

条件。

I

C

=100

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

A

V

CB

=320V

V

CE

=320V

V

EB

=4V

I

C

= 20mA时，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA*

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

IC = 100mA时V

CE

=5V*

I

C

= 1mA时， V

CE

=5V*

I

C

= 100mA时V

CE

=5V*

I

C

=的200mA， V

CE

=10V*

发射极截止电流I

EBO

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

关闭电压

静态正向电流

传输比

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

3-229

ZTX658

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

符号

分钟。

50

10

130

3300

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

ns

ns

条件。

I

C

= 20mA时， V

CE

=20V

f=20MHz

V

CB

= 20V ， F = 1MHz的

I

C

= 100mA时V

C

=100V

I

B1

= 10毫安，我

B2

=-20mA

过渡频率f

T

输出Capcitance

开关时间

C

敖包

t

on

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

热特性

参数

热阻：结到环境

1

结到环境

2

结到外壳

符号

R

th(j-amb)1

R

th(j-amb)2

R

号（j -情况下）

马克斯。

175

116

70

单位

° C / W

° C / W

° C / W

??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。

2.5

200

最大功率耗散 - （瓦特）

热阻（ ° C / W）

D = 1 （直流）

2.0

t

1

D =吨

1

/t

P

t

P

C

1.5

as

e

te

m

pe

1.0

Am

ra

100

D=0.5

BIE

tu

NT吨

re

em

0.5

0

每

在ü

re

D=0.2

D=0.1

单脉冲

-40 -20

0

20 40

60 80 100 120 140 160 180 200

0

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

牛逼 - 温度

(°C)

脉冲宽度（秒）

降额曲线

最大瞬态热阻抗

3-230

ZTX658

典型特征

I

C

/I

B

=10

I

C

/I

B

=20

I

C

/I

B

=50

T

AMB

=25°C

1.6

1.4

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

1.6

I

C

/I

B

=10

V

CE （ SAT ）

- （伏）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.001

V

CE （ SAT ）

- （伏）

0.01

0.1

1

10

20

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.001

0.01

0.1

1

10

20

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

V

CE （ SAT ）

V I

C

1.6

h

FE

- 归一化增益

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.001

+100°C

+25°C

-55°C

V

CE

=10V

1.6

300

1.4

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

I

C

/I

B

=10

h

FE

- 典型增益

V

BE （ SAT ）

- （伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

200

100

0.01

0.1

1

10 20

0

0.001

0.01

0.1

1

10

20

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

h

FE

V I

C

1.0

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V

BE （ SAT ）

V I

C

在T单脉冲测试

AMB

=25°C

1.6

1.4

V

CE

=10V

I

C

- 集电极电流（安培）

V

BE

- （伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.001

0.01

0.1

1

10 20

0.1

0.01

特区

1s

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.001

1

10

100

1000

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE

-

集电极电压（伏特）

V

BE（上）

V I

C

安全工作区

3-231

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