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NPN硅平面
中功率晶体管
第2期？ JULY 94
特点
* 150伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
*低饱和电压
* P
合计
= 1瓦
ZTX654
ZTX655
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
ZTX654
125
125
5
2
1
1
电子线
TO92兼容
ZTX655
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
50
50
20
30
20
3-225
ZTX654
ZTX655
分钟。
125
125
5
100
100
0.5
0.5
1.1
1.0
50
50
20
30
20
兆赫
pF
MAX 。 MIN 。
150
150
5
100
100
0.5
0.5
1.1
1.0
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0*
I
E
=100
A，I
C
=0
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
CB
= 125V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 1A ，我
B
=200mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
ZTX654
ZTX655
典型特征
0.18
100
h
FE
- 归一化增益（％）
V
CE （ SAT ）
- （伏）
80
V
CE
=5V
60
0.10
I
C
/I
B
=10
40
20
0
0.01
0.1
1
10
0
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
1.2
1.2
I
C
/I
B
=10
V
CE
=5V
V
BE （ SAT ）
- （伏）
V
BE
- （伏）
1.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
0.4
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
10
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
td
tr
tf
s
0.7
V
BE（上）
V I
C
I
C
- 集电极电流（安培）
ts
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
ts
s
3.0
1.0
0.6
开关时间
td
2.0
0.5
0.4
0.3
tf
0.2
0.1
tr
0.1
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
300s
1.0
ZT
X6
54
ZTX655
0
0.01
1
0.01
1
10
100
1000
V
CE
-
集电极电压（伏特）
I
C
-
集电极电流（安培）
安全工作区
转换速度
3-226
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ZUR64W-8
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ZM7308G-65508Y-B1
ZSH560
ZLF645S0H2832G
ZXT13P12DE6TC
ZM200-Y
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    ZTX655
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