ZTX653LCC4
NPN晶体管一
密封陶瓷
表面贴装封装
高可靠性的应用
机械数据
尺寸mm （英寸）
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
≈
2.16 (0.085)
特点
硅平面晶体管NPN
密封表面贴装封装
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
CECC筛选选择
空间品质级别选项
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
弧度。
0.08 (0.003)
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 （ 0.007拉德。
LCC4包装
仰视图
BASE
集热器
辐射源
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
绝对最大额定值每边
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
R
q
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
结 - 环境热阻
120V
100V
5V
2A
2W
16mW/°C
-55 ℃150℃
62.5°C/W
J- á
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 5/00
问题2
ZTX653LCC4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极导通电压
测试条件
I
C
= 100
m
A
I
E
= 100
m
A
V
CB
= 100V
T
C
= 100°C
V
EB
= 4V
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
C
= 1A
I
C
= 1A
I
C
= 50毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
B
= 100毫安*
I
B
= 200毫安*
I
B
= 100毫安*
V
CE
= 2V*
V
CE
= 2V*
V
CE
= 2V*
V
CE
= 2V*
V
CE
= 2V*
分钟。
120
100
5
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
0.1
10
0.1
m
集电极 - 发射极击穿电压I
C
= 10毫安
A
A
m
0.13
0.23
0.9
0.8
70
100
55
25
200
200
110
55
0.3
0.5
1.25
1.0
300
V
V
V
H
FE
直流电流增益
—
*脉冲测试TP = 300毫秒，
d
2%
动态特性
参数
f
T
C
敖包
T
on
T
关闭
跃迁频率
输出电容
开关时间
开关时间
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
I
C
= 100毫安
V
CB
= 10V
V
CE
= 5V
F = 1.0MHz的
F = 100MHz的
分钟。
140
典型值。
175
MAX 。 UNIT
兆赫
30
pF
ns
I
C
= 500毫安V
CC
= 10V
I
B1
=I
B2
=50mA
80
1200
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
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预赛。 5/00
问题2
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