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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第104页 > ZTX553
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX552
ZTX553
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗：在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j:
T
英镑
ZTX552
-100
-80
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
ZTX553
-120
-100
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
维持电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压ONN
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
ZTX552
分钟。
-100
-80
-5
-0.1
-0.1
-0.25
-1.1
-1.0
40
10
150
12
3-196
150
40
10
150
12
马克斯。
ZTX553
分钟。
-120
-100
-5
-0.1
-0.1
-0.25
-1.1
-1.0
200
兆赫
兆赫
马克斯。
V
V
V
A
A
单位
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
A
V
CB
=-80V
V
CB
=-100V
V
EB
=-4V
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA*
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA*
I
C
= -150mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -150mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
V
V
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
ZTX552
ZTX553
典型特征
-0.8
TD TR
NS NS
100 200
ts
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
tf
ts
μS纳秒
3 600
开关时间
V
CE （ SAT ）
- （伏）
-0.6
I
C
/I
B
=10
-0.4
80 160
tf
2
400
60 120
td
1
tr
200
40 80
-0.2
20 40
100
0
-0.001
0
-0.01
-0.1
-1
0
-0.01
0
-0.1
-1
0
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
转换速度
100
h
FE
- 归一化增益（％）
-1.0
80
V
CE
=-10V
60
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- （伏）
-0.8
40
-0.6
20
-0.4
-0.001
-0.2
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
-10
-1.2
V
CE
=-10V
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
-1.0
-1
-0.8
-0.6
-0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
100s
-0.4
ZTX552
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-0.01
-0.1
-1
-10
ZTX553
-100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-197
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX552
ZTX553
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗：在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j:
T
英镑
ZTX552
-100
-80
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
ZTX553
-120
-100
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
维持电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压ONN
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
ZTX552
分钟。
-100
-80
-5
-0.1
-0.1
-0.25
-1.1
-1.0
40
10
150
12
3-196
150
40
10
150
12
马克斯。
ZTX553
分钟。
-120
-100
-5
-0.1
-0.1
-0.25
-1.1
-1.0
200
兆赫
兆赫
马克斯。
V
V
V
A
A
单位
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
A
V
CB
=-80V
V
CB
=-100V
V
EB
=-4V
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA*
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA*
I
C
= -150mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -150mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
V
V
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
ZTX552
ZTX553
典型特征
-0.8
TD TR
NS NS
100 200
ts
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
tf
ts
μS纳秒
3 600
开关时间
V
CE （ SAT ）
- （伏）
-0.6
I
C
/I
B
=10
-0.4
80 160
tf
2
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60 120
td
1
tr
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-0.2
20 40
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0
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0
-0.01
-0.1
-1
0
-0.01
0
-0.1
-1
0
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
转换速度
100
h
FE
- 归一化增益（％）
-1.0
80
V
CE
=-10V
60
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- （伏）
-0.8
40
-0.6
20
-0.4
-0.001
-0.2
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
-10
-1.2
V
CE
=-10V
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
-1.0
-1
-0.8
-0.6
-0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
100s
-0.4
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-0.001
-0.01
-0.1
-1
-0.01
-0.1
-1
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-100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-197
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX552
ZTX553
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗：在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j:
T
英镑
ZTX552
-100
-80
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
ZTX553
-120
-100
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
维持电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压ONN
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
ZTX552
分钟。
-100
-80
-5
-0.1
-0.1
-0.25
-1.1
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40
10
150
12
3-196
150
40
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150
12
马克斯。
ZTX553
分钟。
-120
-100
-5
-0.1
-0.1
-0.25
-1.1
-1.0
200
兆赫
兆赫
马克斯。
V
V
V
A
A
单位
条件。
I
C
=-100
A
I
C
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I
E
=-100
A
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=-80V
V
CB
=-100V
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EB
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B
=-15mA*
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C
= -50mA ，V
CE
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f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
V
V
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
ZTX552
ZTX553
典型特征
-0.8
TD TR
NS NS
100 200
ts
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
tf
ts
μS纳秒
3 600
开关时间
V
CE （ SAT ）
- （伏）
-0.6
I
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/I
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=10
-0.4
80 160
tf
2
400
60 120
td
1
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200
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-0.001
0
-0.01
-0.1
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0
-0.01
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-0.1
-1
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I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
转换速度
100
h
FE
- 归一化增益（％）
-1.0
80
V
CE
=-10V
60
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- （伏）
-0.8
40
-0.6
20
-0.4
-0.001
-0.2
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
-10
-1.2
V
CE
=-10V
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
-1.0
-1
-0.8
-0.6
-0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
100s
-0.4
ZTX552
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-0.01
-0.1
-1
-10
ZTX553
-100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-197
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Z85C30-8JC
Z8F011ASB020SG
ZR28501
ZXMP3F37D
Z86E4016KEC
Z0803606FEB
ZRA245
ZR78L12C
ZXT10P12DE6TC
ZC830ATA
Z0803606PEA
ZXCT1012
Z0107MN0
ZX60-3011
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    ZTX553
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    -
    -
    -
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15+
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