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NPN硅平面
高速开关晶体管
第3期？四月94
特点
* 15伏V
首席执行官
* f
T
= 600 MHz的
应用
* VHF / UHF操作
ZTX320 ZTX321
ZTX322 ZTX323
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
30
15
3
100
500
300
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
-55到+175
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极ZTX320 ， ZTX322
饱和电压ZTX323
ZTX321
基射
ZTX320 ， ZTX322
饱和电压ZTX323
ZTX321
静态前进
电流传输
比
输出电容
输入电容
跃迁频率在f = 100MHz的
噪声系数
功率增益
ZTX320 ， ZTX321
ZTX322
ZTX323
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
C
敖包
C
IBO
f
T
N
g
pe
3-159
600
400
6
典型
15
20
20
100
分钟。
30
15
3
0.01
0.2
0.4
0.4
0.4
1.0
1.0
1.0
300
150
300
1.7
1.6
pF
pF
兆赫
兆赫
dB
dB
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
条件。
I
C
=10
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=10
A，I
C
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
V
EB
= 2V ，我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 3毫安，我
B
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 3毫安，我
B
=0.3mA
I
C
= 3mA电流， V
CE
=1V
I
C
= 3mA电流， V
CE
=1V
I
C
= 3mA电流， V
CE
=1V
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
I
C
= 4毫安，V
CE
=10V
I
C
= 30mA时V
CE
=10V
I
E
= 1mA时， V
CE
=6V
R
S
=400
,
f=60MHz
I
C
= 6毫安，V
CB
=12V
f=200MHz
V
V
V
V
V
V
ZTX320 ZTX321
ZTX322 ZTX323
典型特征
P
D
- 功耗（瓦）
1000
0.4
800
0.3
f
T
- 兆赫
600
V
CE
=10V
f=100MHz
0.2
400
200
0.1
0
0
5
10
15
20
25
0
-60
-20
0 20
60
100
140
180
I
C
（MA ）
牛逼 - 温度（℃ ）
f
T
V I
C
降额曲线
3-160
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
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