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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第41页 > ZPY47
ZPY3V9…ZPY82
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
R
θJA
T
J
T
S
价值
1.3
130
1)
1)
单位
W
O
C / W
O
175
- 55 + 175
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为10毫米被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
ZPY3V9…ZPY82
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
ZPY3V9
ZPY4V3
ZPY4V7
ZPY5V1
ZPY5V6
ZPY6V2
ZPY6V8
ZPY7V5
ZPY8V2
ZPY9V1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
1)
2)
齐纳电压
V
Z
(V)
2)
在我
ZT
分钟。
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
马克斯。
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
动态电阻
r
zj
（ Ω ）在我
ZT
F = 1千赫
马克斯。
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
分钟。反向
电压
在我
R
= 0.5 A
V
R
(V)
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
受理的齐纳
当前
I
Z
（MA ）
1)
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
有效的条件是引线保持在环境温度为10毫米的情况下的距离。
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
ZPY3V9…ZPY82
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
齐纳二极管
V
Z
范围
1.0 ， 3.9 100V
功耗
1.3W
DO- 204AL （DO -41玻璃）
最大。 0.161 （ 4.1 ）
分钟。 1.102 （ 28.0 ）
分钟。 1.102 （ 28.0 ）
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际电子12标准。较小的电压
公差可根据要求提供。
这些二极管也可在MELF情况下可
同类型指定ZMY10 ... ZMY100 。
马克斯。
0.102 (2.6)
阴极
标志
机械数据
马克斯。
0.034 (0.86)
案例：
DO- 41玻璃柜
重量：
约。 0.35克
包装代码/选项：
13元“卷（ 52毫米磁带） ， 10K /盒D9 / 5K
E1 / 5K每弹药弹匣。 （52毫米磁带） ， 10K /箱
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
1.3
(1)
130
(1)
175
-55到+175
W
° C / W
°C
°C
符号
价值
单位
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度下
文档编号88417
02-May-02
www.vishay.com
1
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
电气特性
TYPE
齐纳
电压
(2)
在我
ZT
V
Z
(V)
民
ZPY1
(3)
ZPY3.9
ZPY4.3
ZPY4.7
ZPY5.1
ZPY5.6
ZPY6.2
ZPY6.8
ZPY7.5
ZPY8.2
ZPY9.1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
0.65
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
最大
0.75
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
动态电阻
在我
ZT
F = 1千赫
r
Zj
()
6.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ < 20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
温度。 COEFF 。的
齐纳电压在我
ZT
α
VZ
(10
–4
/°C)
民
– 26
–7
–7
–7
–6
–3
–1
0
0
+3
+3
+5
+5
+5
+5
+5
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+9
+9
最大
– 23
+2
+3
+4
+5
+5
+6
+7
+7
+8
+8
+9
+10
+10
+10
+10
+11
+11
+11
+11
+12
+12
+12
+12
+12
+12
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
测试电流
I
ZT
（MA ）
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向
电压
at
I
R
= 0.5
A
V
R
(V)
–
–
–
–
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
可受理
齐纳电流
(1)
at
T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
580
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
注意事项：
（1）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
（ 2 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
（3） ZPY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的特征和额定的最大指数应为“ F”，而不是“ Z”的
阴极端子连接到负极
在玻璃柜设备DO- 41具有较高的齐纳电压，但同时功耗看到类型ZPU100 ... ZPU180
www.vishay.com
2
文档编号88417
02-May-02
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号88417
02-May-02
www.vishay.com
3
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
www.vishay.com
4
文档编号88417
02-May-02
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号88417
02-May-02
www.vishay.com
5
ZPY3V9到ZPY100
www.vishay.com
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
高功率等级
齐纳电压是根据分级
国际电子12标准。较小的电压
公差可根据要求提供
这些二极管也可在MELF可用
案件的类型名称ZMY3V9到ZMY100
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
3.9至100
5-100
脉冲电流
单身
单位
V
mA
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
订购信息
设备名称
ZPY3V9到ZPY100
ZPY3V9到ZPY100
订购代码
ZPY3V9到ZPY100系列-TR
ZPY3V9到ZPY100系列-TAP
每卷胶带单位
5000 （上13"卷轴52毫米磁带）
5000元ammopack
（52毫米磁带）
最小起订量
25 000 /盒
25 000 /盒
包
包名称
DO-41
重量
310毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
有效的提供，导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
请参阅表“ Caharacteristics ”
有效的提供，导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
R
thJA
T
j
T
英镑
110
175
- 55 + 175
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
1300
单位
mW
修订版1.9 ， 22 -NOV- 11
文档编号： 85790
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
ZPY3V9到ZPY100
www.vishay.com
威世半导体
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
μA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Ω
典型值。
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
-
-
-
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ < 20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
可受理
齐纳
当前
(1)
I
Z
mA
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
温度
稳压系数
电压
TC
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(2)
产品型号
分钟。
ZPY3V9
ZPY4V3
ZPY4V7
ZPY5V1
ZPY5V6
ZPY6V2
ZPY6V8
ZPY7V5
ZPY8V2
ZPY9V1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
V
Z
在我
ZT1
V
喃。马克斯。
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
TEST
当前
I
ZT1
mA
V
反向
电压
V
R
在我
R
笔记
(1)
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
(2)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.9 ， 22 -NOV- 11
文档编号： 85790
2
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ZPY3V9到ZPY100
www.vishay.com
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
W
2
Ω
10
3
7
5
4
威世半导体
ZPY ...
ZPY ...
P
合计
r
zj
3
2
1
10
2
7
5
4
3
2
ZPY100
ZPY82
ZPY68
ZPY56
ZPY43
0
0
100
T
AMB
200 °C
gzpy1_04
10
0.1
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
gzpy1_07
I
Z
图。 1 -
受理的功耗与环境温度
图。 4 -
动态电阻与齐纳电流
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
Ω
100
7
5
4
3
2
ZPY ...
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
r
zj
ZPY43
10
7
t
P
5
4
t
P
v
=
___
T
T
3
P
I
2
ZPY36
ZPY30
ZPY24
ZPY22
10
1
0.1
5 0.05
4
3 0.02
2
0.01
ZPY18
1
10
-1
t
P
1
10 s
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
gzpy1_08
gzpy1_05
I
Z
图。 2 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
° C / W
200
l
l
ZPY ...
r
zj
10
2
ZPY5.1
5
4
3
2
R
THA
ZPY4.3
ZPY18
ZPY12
100
10
5
4
3
2
1
1
2
ZPY6.2
ZPY1 ZPY10
3 4 5 7
ZPY7.5
2
3 4 5
7
0
0
5
10
15
20 mm
gzpy1_09
10
百毫安
I
Z
gzpy1_06
铅长度l
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热敏电阻与导线长度
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威世半导体
mA
20
ZPY56
mA
240
200
I
Z
160
120
80
50毫安
测试电流l
Z
百毫安
ZPY3.9 ZPY4.7
ZPY5.6
ZPY6.8
ZPY8.2
ZPY10
ZPY ...
T
j
= 25 °C
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZPY68
ZPY82
ZPY100
10
ZPY12
5毫安
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
gzpy1_01
0
0
50
100
150
V
Z
200
V
gzpy1_03
图。 7 -
击穿特性
图。 9 -
击穿特性
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZPY ...
ZPY15
ZPY18
ZPY22
ZPY27
ZPY33
ZPY39
ZPY47
T
j
= 25 °C
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
gzpy1_02
图。 8 -
击穿特性
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-41
阴极鉴定
0.86（ 0.034 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
4.1 （ 0.161 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
94 9368
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2.6 （ 0.102 ）最大。
法律免责声明
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日前，Vishay
放弃
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可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
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关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
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获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
ZPY10 2 ％ ... ZPY200 2 ％ （ 1.3 W ）
ZPY10 2 ％ ... ZPY200 2 ％ （ 1.3 W ）
广颖电通Z-二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs -Z- Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2006-06-08
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.6
-
0.1
1.3 W
10...200 V
DO-41
(DO-204AL)
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
±0.5
TYPE
62.5
0.8
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24标准（ ± 5 ％ ） 。
该设备ZPY10 2 ％ ... ZPY200 2 ％的特选。
其它电压容差和齐纳电压的要求。
模具标准- Toleranz DER Z- Spannung IST gestuft NACH DER internationalen Reihe街E 24 （ ± 5 ％ ） 。
死Reihe街上ZPY10 2 ％ ... ZPY200 2 ％ IST EINE Sonderselektion 。
企业的其它Toleranzen奥德齐纳Spannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
2
5.1
-0.1
Grenz- UND Kennwerte
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
<45 K / W
1
)
<15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZPY10 2 ％ ... ZPY200 2 ％ （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZPY10 2 ％
ZPY11 2 ％
ZPY12 2 ％
ZPY13 2 ％
ZPY15 2 ％
ZPY16 2 ％
ZPY18 2 ％
ZPY20 2 ％
ZPY22 2 ％
ZPY24 2 ％
ZPY27 2 ％
ZPY30 2 ％
ZPY33 2 ％
ZPY36 2 ％
ZPY39 2 ％
ZPY43 2 ％
ZPY47 2 ％
ZPY51 2 ％
ZPY56 2 ％
ZPY62 2 ％
ZPY68 2 ％
ZPY75 2 ％
ZPY82 2 ％
ZPY91 2 ％
ZPY100 2 ％
ZPY110 2 ％
ZPY120 2 ％
ZPY130 2 ％
ZPY150 2 ％
ZPY160 2 ％
ZPY180 2 ％
ZPY200 2 ％
9.79
10.79
11.79
12.68
14.68
15.68
17.58
19.58
21.58
23.48
26.48
29.38
32.3
35.2
38.1
42.0
46.0
49.9
54.8
60.7
66.5
73.4
80.3
89.1
97.9
108
118
127
147
157
176
196
V
ZMAX
[V]
10.21
11.21
12.21
13.32
15.32
16.32
18.42
20.42
22.42
24.52
27.52
30.62
33.8
36.8
39.9
44.0
48.0
52.1
57.2
63.3
69.5
76.6
83.7
92.9
102.1
112
122
133
153
163
184
204
测试电流
乱七八糟 - 斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10-4 /°C]
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
12
11
10
8
8
7
6
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
ZPY3.9 - ZPY100
V
Z
:
3.9至100V
P
D
:
1.3W
产品特点：
硅平面稳压二极管
用于与稳定和削波电路
高额定功率。
其他公差可根据要求提供。
这些二极管也可在MELF情况下可
同类型指定ZMY3.9 ... ZMY100 。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 41玻璃
(DO-204AL)
0.102 （2.6）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.173 (4.4)
马克斯。
0.034 （ 0.86 ）最高。
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
案例：
DO- 41玻璃柜
重量：
约。 0.35克
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.3
(1)
130
(1)
175
-55 + 175
W
° C / W
°C
°C
符号
价值
单位
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度。
第1页2
启示录03 ： 2005年10月4日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
齐纳电压
(1)
TYPE
(V)
ZPY3.9
ZPY4.3
ZPY4.7
ZPY5.1
ZPY5.6
ZPY6.2
ZPY6.8
ZPY7.5
ZPY8.2
ZPY9.1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
V
Z
@ I
ZT
分钟。
马克斯。
(V)
4.1
4.6
5
6.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
64
60
66
72
79
88
96
106
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
动态
阻力
在我
ZT
中，f = 1kHz时
r
zj
()
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ <20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
反向电压
在我
R
= 0.5A
V
R
(V)
-
-
-
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
可受理
齐纳电流
I
Z
(2)
（MA ）
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
α
vz
(10
-4
/
°C)
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
+3
+3
+5
+5
+5
+5
+5
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+9
+9
马克斯。
+2
+3
+4
+5
+5
+6
+7
+7
+8
+8
+9
+10
+10
+10
+10
+11
+11
+11
+11
+12
+12
+12
+12
+12
+12
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲TP = 5毫秒
（2）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
在玻璃柜设备DO- 41具有较高的齐纳电压，但同时功耗看到类型ZPU100 ... ZPU180
第2页2
启示录03 ： 2005年10月4日
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
齐纳二极管
V
Z
范围
1.0 ， 3.9 100V
功耗
1.3W
DO- 204AL （DO -41玻璃）
最大。 0.161 （ 4.1 ）
分钟。 1.102 （ 28.0 ）
分钟。 1.102 （ 28.0 ）
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际电子12标准。较小的电压
公差可根据要求提供。
这些二极管也可在MELF情况下可
同类型指定ZMY10 ... ZMY100 。
马克斯。
0.102 (2.6)
阴极
标志
机械数据
马克斯。
0.034 (0.86)
案例：
DO- 41玻璃柜
重量：
约。 0.35克
包装代码/选项：
13元“卷（ 52毫米磁带） ， 10K /盒D9 / 5K
E1 / 5K每弹药弹匣。 （52毫米磁带） ， 10K /箱
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
1.3
(1)
130
(1)
175
-55到+175
W
° C / W
°C
°C
符号
价值
单位
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度下
文档编号88417
02-May-02
www.vishay.com
1
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
电气特性
TYPE
齐纳
电压
(2)
在我
ZT
V
Z
(V)
民
ZPY1
(3)
ZPY3.9
ZPY4.3
ZPY4.7
ZPY5.1
ZPY5.6
ZPY6.2
ZPY6.8
ZPY7.5
ZPY8.2
ZPY9.1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
0.65
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
最大
0.75
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
动态电阻
在我
ZT
F = 1千赫
r
Zj
()
6.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ < 20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
温度。 COEFF 。的
齐纳电压在我
ZT
α
VZ
(10
–4
/°C)
民
– 26
–7
–7
–7
–6
–3
–1
0
0
+3
+3
+5
+5
+5
+5
+5
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+9
+9
最大
– 23
+2
+3
+4
+5
+5
+6
+7
+7
+8
+8
+9
+10
+10
+10
+10
+11
+11
+11
+11
+12
+12
+12
+12
+12
+12
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
+13
测试电流
I
ZT
（MA ）
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向
电压
at
I
R
= 0.5
A
V
R
(V)
–
–
–
–
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
可受理
齐纳电流
(1)
at
T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
580
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
注意事项：
（1）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
（ 2 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
（3） ZPY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的特征和额定的最大指数应为“ F”，而不是“ Z”的
阴极端子连接到负极
在玻璃柜设备DO- 41具有较高的齐纳电压，但同时功耗看到类型ZPU100 ... ZPU180
www.vishay.com
2
文档编号88417
02-May-02
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号88417
02-May-02
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3
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
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4
文档编号88417
02-May-02
ZPY1 THRU ZPY100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号88417
02-May-02
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5
ZPY1 - ZPY100
硅平面功率稳压二极管
特点
·
·
·
·
1.3 W功率耗散
可靠的玻璃封装
平面模具结构
0.7V - 100V额定齐纳电压
加ZPY1限压半导体二极管
A
B
A
机械数据
·
·
·
·
·
案例：玻璃， DO- 41
线索：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：负极频带
标记：型号数量
重量：0.57克数（大约）
DO-41
暗淡
A
B
C
D
民
25.4
4.1
0.71
2.0
D
C
最大
—
5.2
0.86
2.7
尺寸：mm
最大额定值
25 ° C除非另有说明
符号
—
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
—
1.3
135
-55到+200
单位
—
W
K / W
°C
特征
齐纳电流（见表第2页）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
注意：
1.有效的规定，引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为10mm 。
DS21404修订版D- 3
1第3
ZPY1-ZPY100
电气特性
齐纳
电压
范围（注2）
V
Z @
I
ZT
伏
ZPY1 （注3）
ZPY3.9
ZPY4.3
ZPY4.7
ZPY5.1
ZPY5.6
ZPY6.2
ZPY6.8
ZPY7.5
ZPY8.2
ZPY9.1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
0.65-0.75
3.7-4.1
4.0-4.6
4.4-5.0
4.8-5.4
5.2-6.0
5.8-6.6
6.4-7.2
7.0-7.9
7.7-8.7
8.5-9.6
9.4-10.6
10.4-11.6
11.4-12.7
12.4-14.1
13.8-15.8
15.3-17.1
16.8-19.1
18.8-21.2
20.8-23.3
22.8-25.6
25.1-28.9
28-32
31-35
34-38
37-41
40-46
44-50
48-54
52-60
58-66
64-72
70-79
77-88
85-96
94-106
25 ° C除非另有说明
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
欧
8
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
典型
温度
系数
@锝
%/°C
-0.24
-0.025
-0.020
-0.015
-0.005
+0.010
+0.025
+0.035
+0.035
+0.055
+0.055
+0.070
+0.075
+0.075
+0.075
+0.075
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.100
+0.105
+0.105
+0.105
+0.105
+0.105
+0.105
+0.105
+0.105
+0.110
+0.110
最低
反向
电压
@ I
R
= 0.5A
VR
伏
—
—
—
—
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9.0
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
最大
齐纳电流
（注1 ）
I
ZM
mA
580
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
TYPE
数
TEST
当前
IZT
mA
5.0
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
注意事项：
1.有效的规定，引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为10mm 。
2.测试与脉冲TP = 20mA电流。
3. ZPY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的参数和最高收视率的指数应
为“F”，而不是“ Z”。阴极端子连接至负极。
DS21404修订版D- 3
2 3
ZPY1-ZPY100
60
240
200
ZPY1
ZPY3,9
ZPY4,7
T
j
= 25°C
见注2
ZPY5,6
ZPY6,8
ZPY8,2
测试电流I
Z
100mA
ZPY10
ZPY12
ZPY15
ZPY18
ZPY22
T
j
= 25°C
见注2
50
I
ZT
，齐纳电流（毫安）
I
ZT
，齐纳电流（毫安）
160
120
80
40
30
测试电流I
Z
25mA
ZPY27
ZPY33
ZPY39
ZPY47
20
10
10mA
50mA
40
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
V
Z
齐纳电压（V）
图。 1 ，齐纳击穿特性
0
10
20
30
40
50
V
Z
齐纳电压（V）
图。 2 ，齐纳击穿特性
T
j
= 25°C
20
ZPY56
2
见注1
见注2
ZPY68
ZPY82
10
测试电流I
Z
10mA
ZPY100
P
d
，功耗（ W）
I
Z
，齐纳电流（毫安）
1
5mA
0
0
0
50
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3 ，齐纳击穿特性
100
0
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4 ，功率降额曲线
200
注意事项：
1.有效的规定，引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为10mm 。
2.测试与脉冲TP = 20mA电流。
3. ZPY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的参数和最高收视率的指数应
为“F”，而不是“ Z”。阴极端子连接至负极。
DS21404修订版D- 3
3 3
ZPY1-ZPY100
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于稳定和削波电路
e2
具有高的额定功率
齐纳电压是根据分级
国际电子12标准。更小的电压容
元代可根据要求提供
这些二极管也可在MELF情况下可
同类型指定ZMY3V9到ZMY100
铅（Pb） -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
17173
机械数据
案例：
DO41玻璃案例
重量：
约。 310毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 25 K /箱TR / 5 K.
TAP每弹药MAG / 5K的。 （52毫米磁带） ， 25 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流
（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.3
1)
W
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
110
1)
175
- 55 + 175
单位
K / W
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85790
修订版1.6 ， 07 - 8 - 06
www.vishay.com
1
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
2)
动态
阻力
r
zj
在我
ZT1
,
F = 1千赫
Ω
典型值
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ < 20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
在我
ZT
10
-4
/°C
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
TEST
当前
I
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向电压
受理的齐纳
当前
1)
V
Z
在我
ZT
V
民
ZPY3V9
ZPY4V3
ZPY4V7
ZPY5V1
ZPY5V6
ZPY6V2
ZPY6V8
ZPY7V5
ZPY8V2
ZPY9V1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
1)
2)
V
R
在我
R
= 0.5 A
V
-
-
-
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
I
Z
在T
AMB
= 25 °C
mA
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
最大
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测试了脉冲TP = 5毫秒
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ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
W
2
ZPY ...
Ω
10
3
7
5
4
3
2
ZPY ...
P
合计
r
zj
1
10
2
7
5
4
3
2
ZPY100
ZPY82
ZPY68
ZPY56
ZPY43
0
0
100
T
AMB
200 °C
gzpy1_04
10
0.1
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
gzpy1_07
I
Z
图1.容许功耗与环境温度
图4.动态电阻与齐纳电流
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
Ω
100
7
5
4
3
2
ZPY ...
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
r
zj
ZPY43
10
0.2
7
5
4
3
P
I
2
ZPY36
ZPY30
ZPY24
ZPY22
10
1
0.1
5 0.05
4
3 0.02
2
0.01
t
P
v
=
T
P
___
t
T
ZPY18
1
-4
10
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10 s
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
gzpy1_08
t
P
gzpy1_05
I
Z
图2.脉冲热电阻与脉冲宽度
图5.动态电阻与齐纳电流
Ω
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
° C / W
200
l
l
ZPY ...
r
zj
10
2
ZPY5.1
5
4
3
2
R
THA
ZPY4.3
ZPY18
ZPY12
100
10
5
4
3
2
1
ZPY6.2
ZPY1 ZPY10
ZPY7.5
2
3 4 5
7
0
0
5
10
15
20 mm
gzpy1_09
1
2
3 4 5 7
10
百毫安
I
Z
gzpy1_06
铅长度l
图3.动态电阻与齐纳电流
图6.热敏电阻与导线长度
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ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
mA
240
200
I
Z
160
120
百毫安
80
50毫安
测试电流l
Z
ZPY3.9 ZPY4.7
ZPY5.6
ZPY6.8
ZPY8.2
ZPY10
ZPY12
mA
ZPY ...
T
j
= 25 °C
20
ZPY56
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZPY68
ZPY82
ZPY100
10
5毫安
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
gzpy1_01
0
0
50
100
V
Z
150
200
V
gzpy1_03
图7.击穿特性
图9.击穿特性
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZPY ...
ZPY15
ZPY18
ZPY22
ZPY27
ZPY33
ZPY39
ZPY47
T
j
= 25 °C
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
gzpy1_02
图8.击穿特性
包装尺寸以毫米（英寸） ： DO41
阴极鉴定
0.86 （0.03）最大。
ISO方法E
94 9368
2.6
（0.10 ）最大。
标准玻璃柜
54 B 2 DIN 41880
JEDEC DO 41
26 （ 1.02 ）分。
4.1 （ 0.16 ）最高。
26 （ 1.02 ）分。
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ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85790
修订版1.6 ， 07 - 8 - 06
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ZPY1 ... ZPY200 （ 1.3 W ）
ZPY1 ... ZPY200 （ 1.3 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2011-10-05
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.6
-0.1
1.3 W
1...200 V
DO-41
0.12 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳 - Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
标记：
Stempelung ：
“Z ”加Zenervoltage
“Z ”加Zenerspannung
62.5
-2.5
+0.5
TYPE
5.1
-0.1
0.77
±0.07
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
Grenz- UND Kennwerte
ZPY系列
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
1.3 W
1
)
40 W
1
)
-50...+150°C
-50...+175°C
<45 K / W
1
)
<15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZPY1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZPY1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZPY1 ... ZPY200 （ 1.3 W ）
最大额定值和特性
(T
j
= 25 ° C除非另有规定编）
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZPY1
3
)
ZPY5.6
ZPY6.2
ZPY6.8
ZPY7.5
ZPY8.2
ZPY9.1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
ZPY110
ZPY120
ZPY130
ZPY150
ZPY160
ZPY180
ZPY200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 （小于1）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenz- UND Kennwerte
(T
j
= 25°C德恩 - 编者安德斯spezifiziert ）
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
217
197
181
165
149
135
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
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ZPY1 ... ZPY200 （ 1.3 W ）
120
[%]
100
[A]
T
j
= 125°C
10
2
10
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
功耗与环境温度）
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
[ pF的]
V
R
= 0V
V
R
= 4V
T
j
= 25°C
F = 1.0 MHz的
150
1
T
j
= 25°C
[马]
100
5,6
6,8
6,2
7,5
8,2
I
ZMAX
9,1
I
ZT
V
R
= 20V
V
R
= 40V
50
I
Z
I
Z
= 5毫安
C
j
0
0
V
Z
[V]
4
5
7
V
Z
2
3
6
8
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
[V]
10
结电容与齐纳电压（典型值）
Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。 （典型值）。
50
〔 K / W〕
50
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
40
I
ZMAX
30
20
T
j
= 25°C
I
ZT
L
10
R
THL
0
0
L
4
8
12
[mm]
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
典型值。热敏电阻与导线长度
典型值。千卡。 Widerst 。在ABH 。德Anschlusslnge
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