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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第96页 > ZPY3V9
ZPY3V9…ZPY82
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
阴极带
产品型号
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸(mm)
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
R
θJA
T
J
T
S
价值
1.3
130
1)
1)
单位
W
O
C / W
O
175
- 55 + 175
C
C
O
有效的提供,导致在从情况下的距离为10毫米被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 12/06/2007
ZPY3V9…ZPY82
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
ZPY3V9
ZPY4V3
ZPY4V7
ZPY5V1
ZPY5V6
ZPY6V2
ZPY6V8
ZPY7V5
ZPY8V2
ZPY9V1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
1)
2)
齐纳电压
V
Z
(V)
2)
在我
ZT
分钟。
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
马克斯。
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
动态电阻
r
zj
( Ω )在我
ZT
F = 1千赫
马克斯。
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
TEST
当前
I
ZT
(MA )
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
分钟。反向
电压
在我
R
= 0.5 A
V
R
(V)
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
受理的齐纳
当前
I
Z
(MA )
1)
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
有效的条件是引线保持在环境温度为10毫米的情况下的距离。
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 12/06/2007
ZPY3V9…ZPY82
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 12/06/2007
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于稳定和削波电路
e2
具有高的额定功率
齐纳电压是根据分级
国际电子12标准。更小的电压容
元代可根据要求提供
这些二极管也可在MELF情况下可
同类型指定ZMY3V9到ZMY100
铅(Pb) -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
17173
机械数据
案例:
DO41玻璃案例
重量:
约。 310毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(52毫米磁带) , 25 K /箱TR / 5 K.
TAP每弹药MAG / 5K的。 (52毫米磁带) , 25 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
齐纳电流
(见表"Characteristics" )
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.3
1)
W
有效的提供,导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
110
1)
175
- 55 + 175
单位
K / W
°C
°C
有效的提供,导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85790
修订版1.6 , 07 - 8 - 06
www.vishay.com
1
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
2)
动态
阻力
r
zj
在我
ZT1
,
F = 1千赫
Ω
典型值
4 ( < 7 )
4 ( < 7 )
4 ( < 7 )
2 ( < 5 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
2 ( < 4 )
2 ( < 4 )
3 ( < 7 )
3 ( < 7 )
4 ( < 9 )
4 ( < 9 )
5 ( < 10 )
5 ( < 11 )
6 ( < 12 )
7 ( < 13 )
8 ( < 14 )
9 ( < 15 )
10 ( < 20 )
11 ( < 20 )
25 ( < 60 )
30 ( < 60 )
35 ( < 80 )
40 ( < 80 )
45 ( < 100 )
50 ( < 100 )
60 ( < 130 )
65 ( < 130 )
70 ( < 160 )
80 ( < 160 )
120 ( < 250 )
130 ( < 250 )
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
在我
ZT
10
-4
/°C
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
TEST
当前
I
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向电压
受理的齐纳
当前
1)
V
Z
在我
ZT
V
ZPY3V9
ZPY4V3
ZPY4V7
ZPY5V1
ZPY5V6
ZPY6V2
ZPY6V8
ZPY7V5
ZPY8V2
ZPY9V1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
1)
2)
V
R
在我
R
= 0.5 A
V
-
-
-
> 0.7
& GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
& GT ; 7
& GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
& GT ; 10
> 11
& GT ; 12
& GT ; 14
> 15
& GT ; 17
> 18
& GT ; 20
> 22.5
& GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
& GT ; 75
I
Z
在T
AMB
= 25 °C
mA
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
最大
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测试了脉冲TP = 5毫秒
www.vishay.com
2
文档编号85790
修订版1.6 , 07 - 8 - 06
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
W
2
ZPY ...
Ω
10
3
7
5
4
3
2
ZPY ...
P
合计
r
zj
1
10
2
7
5
4
3
2
ZPY100
ZPY82
ZPY68
ZPY56
ZPY43
0
0
100
T
AMB
200 °C
gzpy1_04
10
0.1
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
gzpy1_07
I
Z
图1.容许功耗与环境温度
图4.动态电阻与齐纳电流
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
Ω
100
7
5
4
3
2
ZPY ...
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
r
zj
ZPY43
10
0.2
7
5
4
3
P
I
2
ZPY36
ZPY30
ZPY24
ZPY22
10
1
0.1
5 0.05
4
3 0.02
2
0.01
t
P
v
=
T
P
___
t
T
ZPY18
1
-4
10
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10 s
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
gzpy1_08
t
P
gzpy1_05
I
Z
图2.脉冲热电阻与脉冲宽度
图5.动态电阻与齐纳电流
Ω
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
° C / W
200
l
l
ZPY ...
r
zj
10
2
ZPY5.1
5
4
3
2
R
THA
ZPY4.3
ZPY18
ZPY12
100
10
5
4
3
2
1
ZPY6.2
ZPY1 ZPY10
ZPY7.5
2
3 4 5
7
0
0
5
10
15
20 mm
gzpy1_09
1
2
3 4 5 7
10
百毫安
I
Z
gzpy1_06
铅长度l
图3.动态电阻与齐纳电流
图6.热敏电阻与导线长度
文档编号85790
修订版1.6 , 07 - 8 - 06
www.vishay.com
3
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
mA
240
200
I
Z
160
120
百毫安
80
50毫安
测试电流l
Z
ZPY3.9 ZPY4.7
ZPY5.6
ZPY6.8
ZPY8.2
ZPY10
ZPY12
mA
ZPY ...
T
j
= 25 °C
20
ZPY56
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZPY68
ZPY82
ZPY100
10
5毫安
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
gzpy1_01
0
0
50
100
V
Z
150
200
V
gzpy1_03
图7.击穿特性
图9.击穿特性
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZPY ...
ZPY15
ZPY18
ZPY22
ZPY27
ZPY33
ZPY39
ZPY47
T
j
= 25 °C
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
gzpy1_02
图8.击穿特性
包装尺寸以毫米(英寸) : DO41
阴极鉴定
0.86 (0.03)最大。
ISO方法E
94 9368
2.6
(0.10 )最大。
标准玻璃柜
54 B 2 DIN 41880
JEDEC DO 41
26 ( 1.02 )分。
4.1 ( 0.16 )最高。
26 ( 1.02 )分。
www.vishay.com
4
文档编号85790
修订版1.6 , 07 - 8 - 06
ZPY3V9到ZPY100
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85790
修订版1.6 , 07 - 8 - 06
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5
ZPY3V9到ZPY100
www.vishay.com
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
高功率等级
齐纳电压是根据分级
国际电子12标准。较小的电压
公差可根据要求提供
这些二极管也可在MELF可用
案件的类型名称ZMY3V9到ZMY100
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
3.9至100
5-100
脉冲电流
单身
单位
V
mA
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素,符合IEC 61249-2-21定义
订购信息
设备名称
ZPY3V9到ZPY100
ZPY3V9到ZPY100
订购代码
ZPY3V9到ZPY100系列-TR
ZPY3V9到ZPY100系列-TAP
每卷胶带单位
5000 (上13"卷轴52毫米磁带)
5000元ammopack
(52毫米磁带)
最小起订量
25 000 /盒
25 000 /盒
包名称
DO-41
重量
310毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
(根据J- STD- 020 )
焊接
条件
260 ℃/ 10秒,在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
有效的提供,导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
请参阅表“ Caharacteristics ”
有效的提供,导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
R
thJA
T
j
T
英镑
110
175
- 55 + 175
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
1300
单位
mW
修订版1.9 , 22 -NOV- 11
文档编号: 85790
1
您所在区域内的技术问题:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改,恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
ZPY3V9到ZPY100
www.vishay.com
威世半导体
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
μA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Ω
典型值。
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
-
-
-
> 0.7
& GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
& GT ; 7
& GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
& GT ; 10
> 11
& GT ; 12
& GT ; 14
> 15
& GT ; 17
> 18
& GT ; 20
> 22.5
& GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
& GT ; 75
4 ( < 7 )
4 ( < 7 )
4 ( < 7 )
2 ( < 5 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
1 ( < 2 )
2 ( < 4 )
2 ( < 4 )
3 ( < 7 )
3 ( < 7 )
4 ( < 9 )
4 ( < 9 )
5 ( < 10 )
5 ( < 11 )
6 ( < 12 )
7 ( < 13 )
8 ( < 14 )
9 ( < 15 )
10 ( < 20 )
11 ( < 20 )
25 ( < 60 )
30 ( < 60 )
35 ( < 80 )
40 ( < 80 )
45 ( < 100 )
50 ( < 100 )
60 ( < 130 )
65 ( < 130 )
70 ( < 160 )
80 ( < 160 )
120 ( < 250 )
130 ( < 250 )
290
260
235
215
193
183
157
143
127
117
105
94
85
78
70
63
57
52
48
42
38
35
31
29
26
24
22
20
18
16
14
13
12
11
10
可受理
齐纳
当前
(1)
I
Z
mA
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
温度
稳压系数
电压
TC
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
(2)
产品型号
分钟。
ZPY3V9
ZPY4V3
ZPY4V7
ZPY5V1
ZPY5V6
ZPY6V2
ZPY6V8
ZPY7V5
ZPY8V2
ZPY9V1
ZPY10
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
ZPY16
ZPY18
ZPY20
ZPY22
ZPY24
ZPY27
ZPY30
ZPY33
ZPY36
ZPY39
ZPY43
ZPY47
ZPY51
ZPY56
ZPY62
ZPY68
ZPY75
ZPY82
ZPY91
ZPY100
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.41
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
V
Z
在我
ZT1
V
喃。马克斯。
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
TEST
当前
I
ZT1
mA
V
反向
电压
V
R
在我
R
笔记
(1)
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
(2)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.9 , 22 -NOV- 11
文档编号: 85790
2
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ZPY3V9到ZPY100
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
W
2
Ω
10
3
7
5
4
威世半导体
ZPY ...
ZPY ...
P
合计
r
zj
3
2
1
10
2
7
5
4
3
2
ZPY100
ZPY82
ZPY68
ZPY56
ZPY43
0
0
100
T
AMB
200 °C
gzpy1_04
10
0.1
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
gzpy1_07
I
Z
图。 1 -
受理的功耗与环境温度
图。 4 -
动态电阻与齐纳电流
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
Ω
100
7
5
4
3
2
ZPY ...
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
r
zj
ZPY43
10
7
t
P
5
4
t
P
v
=
___
T
T
3
P
I
2
ZPY36
ZPY30
ZPY24
ZPY22
10
1
0.1
5 0.05
4
3 0.02
2
0.01
ZPY18
1
10
-1
t
P
1
10 s
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
gzpy1_08
gzpy1_05
I
Z
图。 2 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
10
3
5
4
3
2
ZPY ...
° C / W
200
l
l
ZPY ...
r
zj
10
2
ZPY5.1
5
4
3
2
R
THA
ZPY4.3
ZPY18
ZPY12
100
10
5
4
3
2
1
1
2
ZPY6.2
ZPY1 ZPY10
3 4 5 7
ZPY7.5
2
3 4 5
7
0
0
5
10
15
20 mm
gzpy1_09
10
百毫安
I
Z
gzpy1_06
铅长度l
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热敏电阻与导线长度
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威世半导体
mA
20
ZPY56
mA
240
200
I
Z
160
120
80
50毫安
测试电流l
Z
百毫安
ZPY3.9 ZPY4.7
ZPY5.6
ZPY6.8
ZPY8.2
ZPY10
ZPY ...
T
j
= 25 °C
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZPY68
ZPY82
ZPY100
10
ZPY12
5毫安
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
gzpy1_01
0
0
50
100
150
V
Z
200
V
gzpy1_03
图。 7 -
击穿特性
图。 9 -
击穿特性
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZPY ...
ZPY15
ZPY18
ZPY22
ZPY27
ZPY33
ZPY39
ZPY47
T
j
= 25 °C
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
gzpy1_02
图。 8 -
击穿特性
包装尺寸
以毫米(英寸):
DO-41
阴极鉴定
0.86( 0.034 )最大。
26 ( 1.024 )分钟。
4.1 ( 0.161 )最大。
26 ( 1.024 )分钟。
94 9368
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定义和限制,根据安理会的指令,欧洲议会的2011/65 / EU和定义
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(EEE ) - 重铸,除非另外指定为不符合要求的。
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修订: 12 -MAR- 12
1
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    -
    -
    -
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