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CE
陈毅电子
特点
。齐纳电压被gaded accrding到intermational E24
标准。过压容限和更高的齐纳电压
根据要求
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W硅平面齐纳二极管
机械数据
.
案例:
DO- 35玻璃柜
。极性:颜色频带端为负极
。重量:约。 0.13克
绝对最大额定值(极限值) (T
A
=25
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
功率消耗在TA = 25
结温
存储温度范围
价值
)
单位
P
合计
T
J
T
英镑
500
175
1)
mW
-55到+175
1)有效的规定,从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电子安全特性(T
A
=25
符号
热阻结到环境
)
典型值
最大
300
1)
单位
K / W
R
JA
1 )有效的条件是,从壳体的距离在8毫米被保持在环境温度下
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 , LTD。
第1页3
CE
陈毅电子
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W硅平面齐纳二极管
ZDP2.7 THRU ZPD51硅平面齐纳二极管
齐纳电压范围
1)
动态电阻
TEMP 。 COEFF 。
反向
电压
at
I = 100nA的最小值。
受理的齐纳
当前的
TAMB =
45
齐纳伏
TYPE
V
ZNOM
I
ZT
V
ZT
2)
r
ZJT
r
张家口
at
I
ZK
at
TAMB =
25
I
Z
=5mA
v
ZPD2.7
ZPD3
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
5
mA
V
2.5…2.9
2.8…3.2
3.1…3.5
3.4…3.8
3.7…4.1
4.0…4.6
4.4…5.0
4.8…5.4
5.2…6.0
5.8…6.6
6.4…7.2
7.0…7.9
7.7…8.7
8.5…9.6
9.4…10.6
10.4…11.6
11.4…12.7
12.4…14.1
13.8…15.6
15.3…17.1
16.8…19.1
18.8…21.2
20.8…23.3
22.8…25.6
25.1…28.9
28…32
31…35
34…38
37…41
40…46
44…50
48…54
<90
<90
<100
<100
<100
<300
<700
<750
<750
<80
<250
<78
<60
<40
<10
<8
<7
<7
<10
<15
<20
<20
<25
<30
<40
<50
<50
<55
<220
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
1
<50
<480
<400
<200
<150
<95
<500
<83
<50
mA
VZ
10
-4
/K
V
R
(V)
I
Z
mA
135
117
109
101
92
85
76
I
Z
mA
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
-9...-4
-9...-3
-8...-3
-8...-3
-7...-3
-6…-1
-5…+2
-3…+4
-2…+6
-1…+7
+2…+7
+3…+7
+4…+7
+5…+8
+5…+8
+5…+9
+6…+9
+7…+9
+7…+9
+8…+9.5
+8…+9.5
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
13
15
16
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
注1 )测试了脉冲TP = 20毫秒
2 )有效的规定,电极保持环境温度从个案的距离为8mm
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 , LTD。
分页: 1 2 3
CE
陈毅电子
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W硅平面齐纳二极管
ZPD2.7 THRU ZPD51硅平面功率齐纳二极管
击穿特性研究AT
T
J
=常数(脉冲)
击穿特性研究AT
T
J
=常数(脉冲)
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 , LTD。
第3页3
ZPD2.7 THRU ZPD51
硅平面齐纳二极管
特点
硅平面齐纳二极管
齐纳电压是按国际分级
E 24标准。更小的电压容差和更高的齐纳
电压要求。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.083
马克斯。
0.154
0.075
0.020
-
分钟。
-
-
-
27.50
mm
马克斯。
3.9
1.9
0.52
-
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=25
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
1)
mW
175
-55到+175
注意:
(1)有效的规定,导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特征
热阻
结到环境空气
a
t T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
-
-
0.3
1)
K /毫瓦
注意:
(1)有效的规定,导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
1
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
ZPD2.7
ZPD3
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
1)
动态电阻
温度。
COEFF 。的
齐纳电压。
在我
Z
=5mA
VZ
反向
电压
I=100nA
V
R
V
-
-
-
-
-
-
-
>0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
>7.5
>8.5
>9
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
>29
>32
>35
>38
受理的齐纳电流
2)
I
ZT
对于V
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2)
r
ZJT
和R
张家口
在我
ZK
mA
(<83)
(<95)
(<95)
(<95)
(<95)
(<95)
(<78)
(<60)
(<40)
(<10)
(<8)
(<7)
(<7)
(<10)
(<15)
(<20)
(<20)
(<25)
(<30)
(<40)
(<50)
(<50)
(<55)
(<80)
(<80)
(<80)
(<80)
(<90)
(<90)
(<100)
(<100)
(<100)
<50
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<480
<400
<200
<150
<50
<50
<50
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
<220
<220
<220
<250
<250
<250
<250
<300
<700
<750
<750
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
在T
AMB
=45
I
Z
mA
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
在T
AMB
=25
I
Z
mA
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
V
2.5 ... 2.9
2.8 ... 3.2
3.1 ... 3.5
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ... 15.6
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31 ... 35
34 ... 38
37 ... 41
40 ... 46
44 ... 50
48 ... 54
10 /K
-4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
-9 ... -4
-9 ... -3
-8 ... -3
-8 ... -3
-7 ... -3
-6 ... -1
-5 ... +2
-3 ... +4
-2 ... +6
-1 ... +7
+2 ... +7
+3 ... +7
+4 ... +7
+5 ... +8
+5 ... +8
+5 ... +9
+6 ... +9
+7 ... +9
+7 ... +9
+8 ... +9.5
+8 ... +9.5
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+10 ... +12
+10 ... +12
+10 ... +12
+10 ... +12
注意事项:
( 1 )测试与脉冲TP = 20毫秒。
(2)有效的规定,引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
2
收视率和特性曲线
3
ZPD1 - ZPD51
硅平面稳压二极管
特点
·
·
·
平面模具结构
密封玻璃柜
0.7V - 51V额定齐纳电压
A
B
A
机械数据
·
·
·
·
·
案例:玻璃, DO- 35
商机:每焊
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
标记:型号数量
重量:0.21克数(大约)
DO-35
暗淡
A
B
C
D
25.4
D
C
最大
4.57
0.53
1.9
尺寸:mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
500
300
-55到+175
单位
mW
K / W
°C
特征
齐纳电流(见表第2页)
功率耗散(注2 )
热阻,结到环境空气(注2 )
工作和存储温度范围
注意事项:
1.测试用的脉冲, TP = 20毫秒。
2.有效的规定,导致在从主体上的距离为8mm被保持在环境温度。
DS21402修订版E-3
1第3
ZPD1-ZPD51
电气特性(续)
齐纳
电压
范围(注1 )
@ I
ZT
= 5毫安
ZPD1 (注3)
ZPD2.7
ZPD3.0
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15 (注4 )
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
注意事项:
0.7-0.8
2.5-2.9
2.8-3.2
3.1-3.5
3.4-3.8
3.7-4.1
4.0-4.6
4.4-5.0
4.8-5.4
5.2-6.0
5.8-6.6
6.4-7.2
7.0-7.9
7.7-8.7
8.5-9.6
9.4-10.6
10.4-11.6
11.4-12.7
12.4-14.1
13.8-15.6
15.3-17.1
16.8-19.1
18.8-21.2
20.8-23.3
22.8-25.6
25.1-28.9
28-32
31-35
34-38
37-41
40-46
44-50
48-54
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
典型
温度
Cooefficient
T
C
%V
Z
/°C
-0.255
-0.065
-0.060
-0.055
-0.055
-0.050
-0.035
-0.015
+0.005
+0.020
+0.030
+0.045
+0.050
+0.055
+0.065
+0.065
+0.070
+0.075
+0.080
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
分钟。反向
电压
@ I
R
= 0.1A
V
R
0.8
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.0
7.5
8.5
9.0
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
马克斯。齐纳电流(注2)
@ T
A
= 25°C
I
ZM
mA
340
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
|
@ T
A
= 45°C
I
ZM
mA
280
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
最大齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
=
5mA
8
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
100
100
100
Z
ZK
@ I
ZK
=
1.0mA
50
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
700
750
750
TYPE
1.测试与脉冲吨
p
= 20毫秒。
2.有效的规定,导致在从主体上的距离为8mm被保持在环境温度。
3. ZPD1是在前进方向动作的硅二极管。因此,所有的参数的索引应该
为“F”,而不是“ Z” 。阴极连接到负极。
4. 15伏
±
可根据特殊要求的零件号ZPD15C 2 % 。
DS21402修订版E-3
2 3
ZPD1-ZPD51
50
ZPD2,7 ZPD3,9
ZPD3,3
ZPD5,6
ZPD4,7
ZPD6,8
T
j
= 25°C
见注1
30
ZPD10
ZPD12
T
j
= 25°C
见注1
I
ZT
,齐纳电流(毫安)
I
ZT
,齐纳电流(毫安)
40
ZPD8,2
ZPD15
20
30
ZPD18
ZPD22
ZPD27
20
10
测试电流I
Z
5mA
ZPD33
10
ZPD36
测试电流I
Z
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
齐纳电压(V)
图。 1 ,齐纳击穿特性
0
0
10
20
30
40
V
Z
齐纳电压(V)
图。 2 ,齐纳击穿特性
500
10
ZPD39
ZPD43
ZPD51
ZPD47
T
j
= 25°C
见注1
见注2
6
P
d
,功耗(毫瓦)
I
ZT
齐纳电流(毫安)
8
400
测试电流I
Z
5mA
300
4
200
2
100
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
0
100
T
A
,环境温度( ° C)
图。 4 ,功率降额曲线
200
V
Z
齐纳电压(V)
图。 3 ,齐纳击穿特性
DS21402修订版E-3
3 3
ZPD1-ZPD51
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