齐纳电压范围
1)
V
Z
喃
V
ZPD2.7
ZPD3
2.7
3.0
3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
5
mA
I
ZT
对于V
ZT
3)
r
ZJT
和
r
张家口
at
I
zk
V
mA
<83
<50
VZ 10 / K
-9...-4
-9...-3
-8...-3
<95
<500
-8...-3
-7...-3
-6...-1
<78
<60
<40
<10
<8
<7
<7
<10
<15
<20
<20
<25
<30
<40
<50
<50
<55
<220
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
1
<50
<480
<400
<200
<150
-5...+2
-3...+4
-2...+6
-1...+7
+2...+7
+3...+7
+4...+7
+5...+8
+5...+8
+5...+9
+6...+9
+7...+9
+7...+9
+8...+9.5
+8...+9.5
+8...+10
+8...+10
+8...+10
<80
<250
<90
<90
<100
<100
<100
<300
<700
<750
<750
+8...+10
+8...+10
+8...+10
+8...+10
+10...+12
+10...+12
+10...+12
+10...+12
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
13
15
16
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
-4
TAMB =
45 C
V
R
(V)
I
z
mA
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
TAMB =
25 C
I
z
mA
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4.0...4.6
4.4...5.0
4.8...5.4
5.2...6.0
5.8...6.6
6.4...7.2
7.0...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
1 ）测试脉冲TP = 20ms的
2）在从情况下的距离为8mm有效的规定，引线被保持在环境温度
ZPD1...ZPD75
硅平面齐纳二极管
最大。 0.5
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
500
1)
单位
mW
O
175
- 55 + 175
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
1)
符号
R
THA
马克斯。
0.3
1)
单位
K /毫瓦
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 23/06/2007
ZPD1...ZPD75
特征
(T
a
= 25
O
C
除非另有说明）
齐纳电压范围
1)
TYPE
ZPD1
ZPD2V7
ZPD3V0
ZPD3V3
ZPD3V6
ZPD3V9
ZPD4V3
ZPD4V7
ZPD5V1
ZPD5V6
ZPD6V2
ZPD6V8
ZPD7V5
ZPD8V2
ZPD9V1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
ZPD56
ZPD62
ZPD68
ZPD75
1)
2)
3)
马克斯。动态电阻
r
ZJT
r
张家口
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
V
ZNOM
V
-
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
为
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
V
ZT
V
0.7…0.8
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52…60
58…66
64…72
70..79
8
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
100
100
100
135
150
200
250
50
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
700
750
750
1000
1000
1000
1500
分钟。反向
电压
在我
R
= 100 nA的
V
R
(V)
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
55
受理的齐纳电流
2)
在T
a
= 45
O
C
I
Z
（MA ）
280
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
5.2
4.8
4.1
3.9
在T
a
= 25
O
C
I
Z
（MA ）
340
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.1
6.4
5.8
5.3
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒。
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
3)
该ZPD1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的参数的下标应该是"F"代替
的"Z" 。阴极端子连接至所述负极。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 23/06/2007
ZPD1...ZPD75
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 23/06/2007
ZPD1 ... ZPD75 （ 500毫瓦）
ZPD1 ... ZPD75 （ 500毫瓦）
硅平面齐纳二极管
Silizium -平面齐纳Dioden
版本2006-04-26
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
1.9
500毫瓦
1...75 V
DO-35
(SOD-27)
0.13 g
ZMM1 ... ZMM75
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
玻璃柜
Glasgehuse
重量约。
Gewicht约
62.5
3.9
0.52
相当于SMD版
quvalente SMD- Ausführung
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
23
Grenz- UND Kennwerte
ZPD系列
T
A
= 25°C
P
合计
T
j
T
S
R
THA
R
THL
500毫瓦
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
＆ LT ; 300 K / W
1
)
< 240 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的，如果引线被保持在环境temperatere在从情况下的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZPD1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
作为阴极，通过带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZPD1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT einem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZPD1 ... ZPD75 （ 500毫瓦）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= 5毫安
V
ZMIN
[V]
ZPD1
3
)
ZPD2.7
ZPD3.0
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
ZPD56
ZPD62
ZPD68
ZPD75
0.71
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
V
ZMAX
[V]
0.82
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
动态电阻
差异。 Widerstand
r
zj
[ Ω ] ，在
F = 1千赫
I
Z
= 5毫安
6.5 （ < 8 ）
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 85 ）
60 （ 78 < ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
5 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
5 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 70 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 110 ）
80 （ < 125 ）
90 （ < 135 ）
100 （ < 150 ）
110 （ < 200 ）
120 （ < 250 ）
I
Z
= 1毫安
＆ LT ; 50
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 500
＆ LT ; 700
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 800
< 850
< 900
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–23
–9…–4
–9…–3
–8…–3
–8…–3
–7…–3
–6…–1
–5…+2
–3…+4
–2…+6
–1…+7
+2…+7
+3…+7
+4…+7
+5…+8
+5…+8
+5…+9
+6…+9
+7…+9
+7…+9
+8…+9.5
+8…+9.5
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 100 nA的
V
R
[V]
–
–
–
–
–
–
–
–
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22
＆ GT ; 24
> 26
＆ GT ; 28
> 30
> 33
> 36
> 39
> 44
> 48
> 52
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 25°C
I
ZMAX
[马]
550
172
156
143
132
122
109
100
93
83
76
69
63
57
52
47
43
39
35
32
29
26
24
21
20
17
16
14
13
12
11
10
9
8
8
7
6
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
ZPD2.7 - ZPD75
V
Z
:
2.7 75V
PD ：
500mW
产品特点：
硅平面齐纳二极管。
标准齐纳电压容差
±
5%.
其他公差可根据要求提供。
这些二极管也是MiniMELF情况下可用
同类型指定ZMM2.7 ... ZMM75 。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
500
300
(1)
(2)
符号
价值
单位
mW
° C / W
°C
°C
175
-65到+ 175
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
（2）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
齐纳电压
TYPE
V
Z
@ I
ZT
喃
1)
(V)
ZPD2.7
ZPD3.0
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
ZPD56
ZPD62
ZPD68
ZPD75
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
动态电阻
在我
Z
=5mA
F = 1千赫
r
zj
()
6.5 （ < 8 ）
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
＆ LT ; 135
(3)
反向
电压
在我
R
= 100 nA的
V
R
(V)
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
＆ GT ; 55
温度。 COEF网络cient
α
vz
(10
-4
/
°C)
分钟。
马克斯。
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
+2
+3
+4
+5
+5
+5
+6
+7
+7
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+10
+10
+10
+10
+10 （典型值）。
+ 10 （典型值）。
+ 10 （典型值）。
+ 10 （典型值）。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
+2
+4
+6
+7
+7
+7
+7
+8
+8
+9
+9
+9
+9
+9.5
+9.5
+10
+10
+10
+10
+10
+10
+10
+12
+12
+12
+12
可受理
I
Z
（MA ）
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.1
6.4
5.8
5.3
在我
Z
=1mA
F = 1千赫
r
zj
()
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
(4)
齐纳电压的余
ZT
齐纳电流
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
＆ LT ; 150
(3)
＆ LT ; 200
(3)
＆ LT ; 1000
(4)
＆ LT ; 1000
(4)
＆ LT ; 250
(3)
<1500
(4)
注意事项：
1 ）测试与脉冲TP = 5毫秒
2）有效的规定，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
3）在我
Z
= 2.5毫安
4 ）在我
Z
- 0.5毫安
5）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5.0%.
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
ZPD 1 ... ZPD 75 （ 0.5 W）
硅平面齐纳二极管
Silizium -平面齐纳Dioden
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
齐纳电压容差标准
标准Toleranz德齐纳Spannung
玻璃柜
Glasgehuse
重量约。 - Gewicht约
尺寸/集体单位为毫米
0.5 W
1…75 V
~ 5 % (E24)
DO-35
SOD-27
0.13 g
参见第16页
世赫页首16
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz DER Z- Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 50
/
C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
T
j
T
S
0.5 W
1
)
– 50...+175
/
C
– 50...+175
/
C
R
THA
< 0.3 K /毫瓦
1
)
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
2
）测试与脉冲吨
p
= 20毫秒 - Gemessen麻省理工学院20 MS- Impulsen
3
）的ZPD 1是一个二极管，在向前运行。作为阴极，通过一个环所指出的，要被连接到负极。
死ZPD 1 IST EINE在Durchla betriebene Einzelchip二极管。
死第三人以书房环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
210
28.02.2002
ZPD 1 ... ZPD 75 （ 500毫瓦）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= 5毫安
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
动态电阻
Inhr 。差异。 Widerstand
r
zj
[
S
]在f = 1千赫
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 5毫安
温度。 Coeffiz 。
... Z -电压
... DER Z- spanng 。
＆ QUOT ;
VZ
[10
-4
/
/
C]
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 100 nA的
V
R
[V]
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
2
)
I
ZMAX
[马]
T
A
= 25
/
C
ZPD 1
3
)
ZPD 2.7
ZPD 3.0
ZPD 3.3
ZPD 3.6
ZPD 3.9
ZPD 4.3
ZPD 4.7
ZPD 5.1
ZPD 5.6
ZPD 6.2
ZPD 6.8
ZPD 7.5
ZPD 8.2
ZPD 9.1
ZPD 10
ZPD 11
ZPD 12
ZPD 13
ZPD 15
ZPD 16
ZPD 18
ZPD 20
ZPD 22
ZPD 24
ZPD 27
ZPD 30
ZPD 33
ZPD 36
ZPD 39
ZPD 43
ZPD 47
ZPD 51
ZPD 56
ZPD 62
ZPD 68
ZPD 75
0.71
2,5
2,8
3,1
3,4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
0.82
2.9
3.2
3.5
3,8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15,6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
6.5 （ <8 ）
75 （ <83 ）
80 （ <95 ）
80 （ <95 ）
80 （ <95 ）
80 （ <95 ）
70 （ <85 ）
60 （ <78 ）
30 （ <60 ）
10 （ <40 ）
5 （小于10）的
4.5 （ <8 ）
4 （小于7）
4.5 （ <7 ）
5 （小于10）的
5.2 （ <15 ）
6 （ <20 ）
7 （ <20 ）
9 （ <25 ）
11 （ <30 ）
13 （ <40 ）
18 （ <50 ）
20 （ <50 ）
25 （ <55 ）
28 （ <70 ）
30 （ <80 ）
35 （ <80 ）
40 （ <80 ）
40 （ <90 ）
50 （ <90 ）
60 （ <100 ）
70 （ <110 ）
80 （ <125 ）
90 （ <135 ）
100 （ <150 ）
110 （ <200 ）
120 （ <250 ）
＆ LT ; 50
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 500
＆ LT ; 700
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 800
< 850
< 900
–26…–23
–9…–4
–9…–3
–8…–3
–8…–3
–7…–3
–6…–1
–5…+2
–3…+4
–2…+6
–1…+7
+2…+7
+3…+7
+4…+7
+5…+8
+5…+8
+5…+9
+6…+9
+7…+9
+7…+9
+8…+9.5
+8…+9.5
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
–
–
–
–
–
–
–
–
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22
＆ GT ; 24
> 26
＆ GT ; 28
> 30
> 33
> 36
> 39
> 44
> 48
> 52
550
200
179
161
147
135
125
114
104
96
86
78
71
65
59
53
48
44
40
36
33
30
27
24
22
20
18
16
15
14
13
11
10
10
8
7
6
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
28.02.2002
211
CE
陈毅电子
特点
。齐纳电压被gaded accrding到intermational E24
标准。过压容限和更高的齐纳电压
根据要求
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W硅平面齐纳二极管
机械数据
.
案例：
DO- 35玻璃柜
。极性：颜色频带端为负极
。重量：约。 0.13克
绝对最大额定值（极限值） （T
A
=25
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
功率消耗在TA = 25
结温
存储温度范围
价值
)
单位
P
合计
T
J
T
英镑
500
175
1)
mW
-55到+175
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电子安全特性（T
A
=25
符号
热阻结到环境
)
民
典型值
最大
300
1)
单位
K / W
R
JA
1 ）有效的条件是，从壳体的距离在8毫米被保持在环境温度下
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第1页3
CE
陈毅电子
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W硅平面齐纳二极管
ZDP2.7 THRU ZPD51硅平面齐纳二极管
齐纳电压范围
1)
动态电阻
TEMP 。 COEFF 。
反向
电压
at
I = 100nA的最小值。
受理的齐纳
当前的
TAMB =
45
齐纳伏
TYPE
V
ZNOM
I
ZT
为
V
ZT
2)
r
ZJT
和
r
张家口
at
I
ZK
at
TAMB =
25
I
Z
=5mA
v
ZPD2.7
ZPD3
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
5
mA
V
2.5…2.9
2.8…3.2
3.1…3.5
3.4…3.8
3.7…4.1
4.0…4.6
4.4…5.0
4.8…5.4
5.2…6.0
5.8…6.6
6.4…7.2
7.0…7.9
7.7…8.7
8.5…9.6
9.4…10.6
10.4…11.6
11.4…12.7
12.4…14.1
13.8…15.6
15.3…17.1
16.8…19.1
18.8…21.2
20.8…23.3
22.8…25.6
25.1…28.9
28…32
31…35
34…38
37…41
40…46
44…50
48…54
<90
<90
<100
<100
<100
<300
<700
<750
<750
<80
<250
<78
<60
<40
<10
<8
<7
<7
<10
<15
<20
<20
<25
<30
<40
<50
<50
<55
<220
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
1
<50
<480
<400
<200
<150
<95
<500
<83
<50
mA
VZ
10
-4
/K
V
R
(V)
I
Z
mA
135
117
109
101
92
85
76
I
Z
mA
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
-9...-4
-9...-3
-8...-3
-8...-3
-7...-3
-6…-1
-5…+2
-3…+4
-2…+6
-1…+7
+2…+7
+3…+7
+4…+7
+5…+8
+5…+8
+5…+9
+6…+9
+7…+9
+7…+9
+8…+9.5
+8…+9.5
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+12
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
13
15
16
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
注1 ）测试了脉冲TP = 20毫秒
2 ）有效的规定，电极保持环境温度从个案的距离为8mm
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
分页： 1 2 3
CE
陈毅电子
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W硅平面齐纳二极管
ZPD2.7 THRU ZPD51硅平面功率齐纳二极管
击穿特性研究AT
T
J
=常数（脉冲）
击穿特性研究AT
T
J
=常数（脉冲）
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第3页3
ZPD2.7 THRU ZPD51
硅平面齐纳二极管
特点
硅平面齐纳二极管
齐纳电压是按国际分级
E 24标准。更小的电压容差和更高的齐纳
电压要求。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.083
马克斯。
0.154
0.075
0.020
-
分钟。
-
-
-
27.50
mm
马克斯。
3.9
1.9
0.52
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=25
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
1)
mW
175
-55到+175
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特征
热阻
结到环境空气
a
t T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
-
-
0.3
1)
K /毫瓦
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
1
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
ZPD2.7
ZPD3
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
1)
动态电阻
温度。
COEFF 。的
齐纳电压。
在我
Z
=5mA
VZ
反向
电压
I=100nA
V
R
V
-
-
-
-
-
-
-
>0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
>7.5
>8.5
>9
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
>29
>32
>35
>38
受理的齐纳电流
2)
I
ZT
对于V
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2)
r
ZJT
和R
张家口
在我
ZK
mA
(<83)
(<95)
(<95)
(<95)
(<95)
(<95)
(<78)
(<60)
(<40)
(<10)
(<8)
(<7)
(<7)
(<10)
(<15)
(<20)
(<20)
(<25)
(<30)
(<40)
(<50)
(<50)
(<55)
(<80)
(<80)
(<80)
(<80)
(<90)
(<90)
(<100)
(<100)
(<100)
<50
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<480
<400
<200
<150
<50
<50
<50
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
<220
<220
<220
<250
<250
<250
<250
<300
<700
<750
<750
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
在T
AMB
=45
I
Z
mA
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
在T
AMB
=25
I
Z
mA
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
V
2.5 ... 2.9
2.8 ... 3.2
3.1 ... 3.5
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ... 15.6
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31 ... 35
34 ... 38
37 ... 41
40 ... 46
44 ... 50
48 ... 54
10 /K
-4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
-9 ... -4
-9 ... -3
-8 ... -3
-8 ... -3
-7 ... -3
-6 ... -1
-5 ... +2
-3 ... +4
-2 ... +6
-1 ... +7
+2 ... +7
+3 ... +7
+4 ... +7
+5 ... +8
+5 ... +8
+5 ... +9
+6 ... +9
+7 ... +9
+7 ... +9
+8 ... +9.5
+8 ... +9.5
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+10 ... +12
+10 ... +12
+10 ... +12
+10 ... +12
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
2
ZPD1 THRU ZPD75
齐纳二极管
DO-35
特点
硅平面齐纳二极管
齐纳电压是根据分级
在国际电子商务12个标准。较小的电压
公差等齐纳电压可供选择
根据要求提供。
马克斯。
.079 (2.0)
最大。 0.150 （3.8）
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
阴极
标志
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
这些二极管也可在Mini - MELF情况
同类型指定ZMM1 ... ZMM75 。
马克斯。
.020 (0.52)
机械数据
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
尺寸单位：英寸（毫米）
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
(1)
175
- 55 +175
mW
°C
°C
注意事项：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热阻
结到环境空气
R
thJA
–
–
0.3
(1)
° C / W
注意事项：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm的被保持在环境温度。
1/20/99
ZPD1 THRU ZPD75
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
动态电阻
齐纳电压
(1)
at
I
Z
= 5毫安
TYPE
ZPD1
(3)
ZPD2.7
ZPD3
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
ZPD56
ZPD62
ZPD68
ZPD75
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
V
Z
(V)
0.7 ... 0.8
2.5 ... 2.9
2.8 ... 3.2
3.1 ... 3.5
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ... 15.6
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31
34
37
40
44
...
...
...
...
...
35
38
41
46
50
at
I
Z
= 5毫安
F = 1千赫
r
zj
()
6.5 （ < 8 ）
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40
40
50
60
70
（ <
（ <
（ <
（ <
（ <
80)
90)
90)
100)
100)
at
I
Z
= 1毫安
F = 1千赫
r
zj
()
＆ LT ; 50
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
250
250
300
700
750
TEMP 。 COEFF 。
齐纳电压
at
I
Z
= 5毫安
α
vz
(10
–4
/K)
–26 ... –23
–9 ... –4
–9 ... –3
–8 ... –3
–8 ... –3
–7 ... –3
–6 ... –1
–5 ... +2
–3 ... +4
–2 ... +6
–1 ... +7
+2 ... +7
+3 ... +7
+4 ... +7
+5 ... +8
+5 ... +8
+5 ... +9
+6 ... +9
+7 ... +9
+7 ... +9
+8 ... +9.5
+8 ... +9.5
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+8 ... +10
+10 ... +12
+10 ... +12
+10 ... +12
+10 ... +12
（典型值） 。 +10
(4)
（典型值） 。 +10
(4)
（典型值） 。 +10
(4)
（典型值） 。 +10
(4)
反向
电压
at
I
R
= 100 nA的
V
R
(V)
–
–
–
–
–
–
–
–
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
25
27
29
32
35
可受理
齐纳电流
(2)
at
T
AMB
= 45°C
I
Z
（MA ）
280
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
–
–
–
–
at
T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
340
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
–
–
–
–
48 ... 54
52.0 … 60.0
(4)
58.0 … 66.0
(4)
64.0 … 72.0
(4)
70.0 … 79.0
(4)
70 （ < 100 ）
＆ LT ; 135
(4)
＆ LT ; 150
(4)
＆ LT ; 200
(4)
＆ LT ; 250
(4)
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
(5)
＆ LT ; 1000
(5)
＆ LT ; 1000
(5)
＆ LT ; 1500
(5)
> 38
–
–
–
–
（2）有效的规定，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
（3） ZPD1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的参数的下标应该是“F”，而不是“ Z” 。
阴极端子连接到负极
（4）在我
Z
= 2.5毫安
（5）在我
Z
- 0.5毫安
ZPD1 - ZPD51
硅平面稳压二极管
特点
·
·
·
平面模具结构
密封玻璃柜
0.7V - 51V额定齐纳电压
A
B
A
机械数据
·
·
·
·
·
案例：玻璃， DO- 35
商机：每焊
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
标记：型号数量
重量：0.21克数（大约）
DO-35
暗淡
A
B
C
D
民
25.4
—
—
—
D
C
最大
—
4.57
0.53
1.9
尺寸：mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
—
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
—
500
300
-55到+175
单位
—
mW
K / W
°C
特征
齐纳电流（见表第2页）
功率耗散（注2 ）
热阻，结到环境空气（注2 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.测试用的脉冲， TP = 20毫秒。
2.有效的规定，导致在从主体上的距离为8mm被保持在环境温度。
DS21402修订版E-3
1第3
ZPD1-ZPD51
电气特性（续）
齐纳
电压
范围（注1 ）
@ I
ZT
= 5毫安
伏
ZPD1 （注3）
ZPD2.7
ZPD3.0
ZPD3.3
ZPD3.6
ZPD3.9
ZPD4.3
ZPD4.7
ZPD5.1
ZPD5.6
ZPD6.2
ZPD6.8
ZPD7.5
ZPD8.2
ZPD9.1
ZPD10
ZPD11
ZPD12
ZPD13
ZPD15 （注4 ）
ZPD16
ZPD18
ZPD20
ZPD22
ZPD24
ZPD27
ZPD30
ZPD33
ZPD36
ZPD39
ZPD43
ZPD47
ZPD51
注意事项：
0.7-0.8
2.5-2.9
2.8-3.2
3.1-3.5
3.4-3.8
3.7-4.1
4.0-4.6
4.4-5.0
4.8-5.4
5.2-6.0
5.8-6.6
6.4-7.2
7.0-7.9
7.7-8.7
8.5-9.6
9.4-10.6
10.4-11.6
11.4-12.7
12.4-14.1
13.8-15.6
15.3-17.1
16.8-19.1
18.8-21.2
20.8-23.3
22.8-25.6
25.1-28.9
28-32
31-35
34-38
37-41
40-46
44-50
48-54
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
典型
温度
Cooefficient
T
C
%V
Z
/°C
-0.255
-0.065
-0.060
-0.055
-0.055
-0.050
-0.035
-0.015
+0.005
+0.020
+0.030
+0.045
+0.050
+0.055
+0.065
+0.065
+0.070
+0.075
+0.080
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
分钟。反向
电压
@ I
R
= 0.1A
V
R
伏
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.0
7.5
8.5
9.0
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
马克斯。齐纳电流（注2）
@ T
A
= 25°C
I
ZM
mA
340
160
140
130
120
110
100
90
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
|
@ T
A
= 45°C
I
ZM
mA
280
135
117
109
101
92
85
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
最大齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
=
5mA
欧
8
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
100
100
100
Z
ZK
@ I
ZK
=
1.0mA
欧
50
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
700
750
750
TYPE
数
1.测试与脉冲吨
p
= 20毫秒。
2.有效的规定，导致在从主体上的距离为8mm被保持在环境温度。
3. ZPD1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有的参数的索引应该
为“F”，而不是“ Z” 。阴极连接到负极。
4. 15伏
±
可根据特殊要求的零件号ZPD15C 2 ％ 。
DS21402修订版E-3
2 3
ZPD1-ZPD51
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