场效应管偏置控制器
第2期 - 1998年6月
设备描述
该ZNBG系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR ，移动电话等。
用最少的外部元件。
用加入了两个电容器和
电阻器件提供漏极电压
和电流控制为一定数量的外部
接地源场效应管，产生的
需要FET栅极调节负电压轨
偏置而从单一经营
供应量。这种负面的偏见，在-3伏，可以
也可用于提供其他外部
电路。
该ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1包含
四和六偏阶段分别。在
设置漏电流ZNBG4000 / 1 2
电阻器允许单个FET对控制
不同层次的ZNBG6000 / 1 2
电阻，二和四之间的分割控制
场效应管。这就允许的工作电流
输入的FET进行调整，以最小化噪声，
而下面的FET阶段可
分别为最大增益进行调节。
该系列还提供漏极的选择
V OL吨GE吨○B （E S） （E T） F或T他F （E T） s时，
ZNBG4000 / 6000提供了2.2伏，而漏
在ZNBG4001 / 6001提供了2伏。
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-3.5V
到0.7V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1顷
在QSOP16和20引脚封装
分别为最小的器件尺寸。
器件的工作温度为-40至70℃
以适应宽范围的环境
条件。
特点
应用
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达四个或六个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
4-137
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
符号参数
条件
民
范围
典型值
最大
2000
A
单位
GATE特性
I
GO
输出电流范围
输出电压
ZNBG4000/1
V
OL
输出低
I
D1
到我
D4
=12mA
I
G1
到我
G4
=0
I
D1
到我
D4
=12mA
I
G1
到我
G4
= -10A
V
OH
输出高
输出电压
ZNBG6000/1
V
OL
输出低
I
D1
到我
D6
=12mA
I
G1
到我
G6
= 0
I
D1
到我
D6
=12mA
I
G1
到我
G6
= -10A
V
OH
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C
NB
和C
子
中，
47nF的要求用于此目的。
2.特点是使用两个外部参考电阻R上测得
CAL1
和R
CAL2
价值33k欧姆，从销有线
CAL1/2
to
地面上。对于ZNBG4000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和2中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置场效应晶体管3,4的漏极电流。
对于ZNBG6000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和4中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET 2，第3 ，第5和6的漏极电流。
-30
-3.5
-3.5
0
-2
-2
1
V
V
V
I
D1
到我
D4
= 8毫安
I
G1
到我
G4
= 0
-3.5
-3.5
0
-2
-2
1
V
V
V
输出高
I
D1
到我
D6
= 8毫安
I
G1
到我
G6
= 0
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有
输出。
G
， 4.7nF ，连门输出与地，C之间
D
， 10nF的，被连接
间漏输出和地面。
4-139
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
工作原理图
功能说明
该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代
所需的栅极偏压的负电源，从单电源电压。
上面的图显示了从ZNBG系列的单级。该ZNBG4000 / 1包含4个这样的
阶段， ZNBG6000 / 1包含6负轨发生器是共同的所有设备。
外部FET Q的漏极电压
N
由ZNBG设备设置到其正常工作电压。
这是由上板V确定
D
设定的基准，用于ZNBG4000 / 6000 ，这是名义上
2.2伏而ZNBG4001 / 6001提供的标称值为2伏。
采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视
D
感。该放大器
驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压
N
从而使漏极电流取火柴
由外部电阻R所要求的电流
CAL
。既ZNBG装置具有编程的设施
不同的漏极电流为选定的场效应管。两个R
CAL
提供输入。对于ZNBG4000 ，
电阻R
CAL1
设置的FET 1和2中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET的漏极电流
3和4的ZNBG6000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和4中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET 2，第3 ，第5和6的漏极电流。
因为FET是耗尽型晶体管，它通常是必要的，以驱动其栅极负带
相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电
一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这
发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C
NB
和C
子
.
4-141
场效应管偏置控制器
第2期 - 1998年6月
设备描述
该ZNBG系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR ，移动电话等。
用最少的外部元件。
用加入了两个电容器和
电阻器件提供漏极电压
和电流控制为一定数量的外部
接地源场效应管，产生的
需要FET栅极调节负电压轨
偏置而从单一经营
供应量。这种负面的偏见，在-3伏，可以
也可用于提供其他外部
电路。
该ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1包含
四和六偏阶段分别。在
设置漏电流ZNBG4000 / 1 2
电阻器允许单个FET对控制
不同层次的ZNBG6000 / 1 2
电阻，二和四之间的分割控制
场效应管。这就允许的工作电流
输入的FET进行调整，以最小化噪声，
而下面的FET阶段可
分别为最大增益进行调节。
该系列还提供漏极的选择
V OL吨GE吨○B （E S） （E T） F或T他F （E T） s时，
ZNBG4000 / 6000提供了2.2伏，而漏
在ZNBG4001 / 6001提供了2伏。
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-3.5V
到0.7V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1顷
在QSOP16和20引脚封装
分别为最小的器件尺寸。
器件的工作温度为-40至70℃
以适应宽范围的环境
条件。
特点
应用
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达四个或六个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
4-137
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
符号参数
条件
民
范围
典型值
最大
2000
A
单位
GATE特性
I
GO
输出电流范围
输出电压
ZNBG4000/1
V
OL
输出低
I
D1
到我
D4
=12mA
I
G1
到我
G4
=0
I
D1
到我
D4
=12mA
I
G1
到我
G4
= -10A
V
OH
输出高
输出电压
ZNBG6000/1
V
OL
输出低
I
D1
到我
D6
=12mA
I
G1
到我
G6
= 0
I
D1
到我
D6
=12mA
I
G1
到我
G6
= -10A
V
OH
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C
NB
和C
子
中，
47nF的要求用于此目的。
2.特点是使用两个外部参考电阻R上测得
CAL1
和R
CAL2
价值33k欧姆，从销有线
CAL1/2
to
地面上。对于ZNBG4000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和2中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置场效应晶体管3,4的漏极电流。
对于ZNBG6000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和4中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET 2，第3 ，第5和6的漏极电流。
-30
-3.5
-3.5
0
-2
-2
1
V
V
V
I
D1
到我
D4
= 8毫安
I
G1
到我
G4
= 0
-3.5
-3.5
0
-2
-2
1
V
V
V
输出高
I
D1
到我
D6
= 8毫安
I
G1
到我
G6
= 0
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有
输出。
G
， 4.7nF ，连门输出与地，C之间
D
， 10nF的，被连接
间漏输出和地面。
4-139
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
工作原理图
功能说明
该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代
所需的栅极偏压的负电源，从单电源电压。
上面的图显示了从ZNBG系列的单级。该ZNBG4000 / 1包含4个这样的
阶段， ZNBG6000 / 1包含6负轨发生器是共同的所有设备。
外部FET Q的漏极电压
N
由ZNBG设备设置到其正常工作电压。
这是由上板V确定
D
设定的基准，用于ZNBG4000 / 6000 ，这是名义上
2.2伏而ZNBG4001 / 6001提供的标称值为2伏。
采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视
D
感。该放大器
驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压
N
从而使漏极电流取火柴
由外部电阻R所要求的电流
CAL
。既ZNBG装置具有编程的设施
不同的漏极电流为选定的场效应管。两个R
CAL
提供输入。对于ZNBG4000 ，
电阻R
CAL1
设置的FET 1和2中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET的漏极电流
3和4的ZNBG6000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和4中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET 2，第3 ，第5和6的漏极电流。
因为FET是耗尽型晶体管，它通常是必要的，以驱动其栅极负带
相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电
一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这
发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C
NB
和C
子
.
4-141
场效应管偏置控制器
第2期 - 1998年6月
设备描述
该ZNBG系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR ，移动电话等。
用最少的外部元件。
用加入了两个电容器和
电阻器件提供漏极电压
和电流控制为一定数量的外部
接地源场效应管，产生的
需要FET栅极调节负电压轨
偏置而从单一经营
供应量。这种负面的偏见，在-3伏，可以
也可用于提供其他外部
电路。
该ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1包含
四和六偏阶段分别。在
设置漏电流ZNBG4000 / 1 2
电阻器允许单个FET对控制
不同层次的ZNBG6000 / 1 2
电阻，二和四之间的分割控制
场效应管。这就允许的工作电流
输入的FET进行调整，以最小化噪声，
而下面的FET阶段可
分别为最大增益进行调节。
该系列还提供漏极的选择
V OL吨GE吨○B （E S） （E T） F或T他F （E T） s时，
ZNBG4000 / 6000提供了2.2伏，而漏
在ZNBG4001 / 6001提供了2伏。
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-3.5V
到0.7V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1顷
在QSOP16和20引脚封装
分别为最小的器件尺寸。
器件的工作温度为-40至70℃
以适应宽范围的环境
条件。
特点
应用
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达四个或六个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
4-137
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
符号参数
条件
民
范围
典型值
最大
2000
A
单位
GATE特性
I
GO
输出电流范围
输出电压
ZNBG4000/1
V
OL
输出低
I
D1
到我
D4
=12mA
I
G1
到我
G4
=0
I
D1
到我
D4
=12mA
I
G1
到我
G4
= -10A
V
OH
输出高
输出电压
ZNBG6000/1
V
OL
输出低
I
D1
到我
D6
=12mA
I
G1
到我
G6
= 0
I
D1
到我
D6
=12mA
I
G1
到我
G6
= -10A
V
OH
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C
NB
和C
子
中，
47nF的要求用于此目的。
2.特点是使用两个外部参考电阻R上测得
CAL1
和R
CAL2
价值33k欧姆，从销有线
CAL1/2
to
地面上。对于ZNBG4000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和2中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置场效应晶体管3,4的漏极电流。
对于ZNBG6000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和4中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET 2，第3 ，第5和6的漏极电流。
-30
-3.5
-3.5
0
-2
-2
1
V
V
V
I
D1
到我
D4
= 8毫安
I
G1
到我
G4
= 0
-3.5
-3.5
0
-2
-2
1
V
V
V
输出高
I
D1
到我
D6
= 8毫安
I
G1
到我
G6
= 0
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有
输出。
G
， 4.7nF ，连门输出与地，C之间
D
， 10nF的，被连接
间漏输出和地面。
4-139
ZNBG4000 ZNBG4001
ZNBG6000 ZNBG6001
工作原理图
功能说明
该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代
所需的栅极偏压的负电源，从单电源电压。
上面的图显示了从ZNBG系列的单级。该ZNBG4000 / 1包含4个这样的
阶段， ZNBG6000 / 1包含6负轨发生器是共同的所有设备。
外部FET Q的漏极电压
N
由ZNBG设备设置到其正常工作电压。
这是由上板V确定
D
设定的基准，用于ZNBG4000 / 6000 ，这是名义上
2.2伏而ZNBG4001 / 6001提供的标称值为2伏。
采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视
D
感。该放大器
驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压
N
从而使漏极电流取火柴
由外部电阻R所要求的电流
CAL
。既ZNBG装置具有编程的设施
不同的漏极电流为选定的场效应管。两个R
CAL
提供输入。对于ZNBG4000 ，
电阻R
CAL1
设置的FET 1和2中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET的漏极电流
3和4的ZNBG6000 ，电阻R
CAL1
设置的FET 1和4中，电阻器R的漏极电流
CAL2
设置的FET 2，第3 ，第5和6的漏极电流。
因为FET是耗尽型晶体管，它通常是必要的，以驱动其栅极负带
相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电
一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这
发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C
NB
和C
子
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