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与极化场效应管偏置控制器
开关与音调检测
第2期 - 1998年4月
设备描述
该ZNBG系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR蜂窝电话等。
用最少的外部元件。
用加入了两个电容器和一个
电阻器件提供漏极电压和
电流控制的三个外部接地
场效应管的源，生成调节
需要FET的栅极偏置负轨
而从单电源工作。这
负偏压，在-3伏，还可以用来
供应其他外部电路。
该ZNBG3110 / 11包括偏置电路
驱动多达三个外部FET 。控制
输入到设备中选择任意一个两
场效应管作为运营，第三个是FET
P·E R M A N简T L Y A CT I V即牛逼喜S F E A吨ü I S
特别是用作高频头极化
开关。还具体到LNB应用程序是
在有22KHz音频检测和逻辑输出
这是用来使高和低的特征
频带的频率切换。
沥干ZNBG3110 / 11的电流设置为
用户在范围0至15mA可选择，这
用另外一个电阻来实现的。
该系列还提供漏极的选择
电压施加到该FET的设定，所以3110给出
2.2伏漏而3111提供了2伏。
ZNBG3110
ZNBG3111
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-3.5V
为1V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBG3110 / 11在QSOP20提供
对于最小的设备尺寸。设备
工作温度为-40至70℃ ，以适应
范围广泛的环境条件。
特点
应用
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达三个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
偏振开关的LNB
22kHz音频检测带
开关
符合ASTRA控制
特定网络阳离子
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
4-123
ZNBG3110
ZNBG3111
绝对最大额定值
电源电压
电源电流
输入电压（V
POL
)
漏电流（每FET ）
（由R设定
CAL
)
工作温度
储存温度
-0.6V至12V
100mA
25V连续
0至15mA
-40至70℃
在-50至85 ℃的
功率耗散（T
AMB
=
25°C)
QSOP20
500mW
电气特性。测试条件
（除非另有说明） ：T已
AMB
=
25°C,V
CC
=5V,I
D
= 10毫安（R
CAL
=33k)
符号参数
条件
分钟。
V
CC
I
CC
电源电压
电源电流
I
D1
到我
D3
=0
I
D1
=0,I
D2
到我
D3
= 10毫安，V
POL
=14V
I
D2
=0,I
D1
到我
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D1
到我
D3
=0, I
LB
=10mA
I
D1
到我
D3
=0, I
HB
=10mA
-3.5
（内部产生）I
子
=0
I
子
=-200A
C
G
= 4.7nF ，C
D
=10nF
C
G
= 4.7nF ，C
D
=10nF
200
350
-3.0
5
范围
典型值。
马克斯。
10
15
35
35
45
45
-2.5
-2.4
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
单位
V
子
基板
电压
输出噪声
漏极电压
栅极电压
振荡器
频率
E
ND
E
NG
f
O
0.02
中Vpkpk
0.005中Vpkpk
800
千赫
4-124
ZNBG3110
ZNBG3111
符号参数
条件
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
A
单位
GATE特性
I
GO
输出电流
范围
I
Dx
（MA ）
V
G1O
V
G1L
V
G1H
V
G2O
V
G2L
V
G2H
V
G3L
V
G3H
I
D
I
DV
I
DT
V
D1
输出电压
门1
关闭
低
高
输出电压
门2
关闭
低
高
输出电压
3号门
低
高
V
POL
(V)
I
葡萄糖氧化酶
(A)
-2.7
-2.7
0.4
-2.7
-2.7
0.4
-3.5
0.4
-2.4
-2.4
0.75
-2.4
-2.4
0.75
-2.9
0.75
-2.0
-2.0
1.0
-2.0
-2.0
1.0
-2.0
1.0
V
V
V
V
V
V
V
V
-30
2000
I
D1
=0 V
POL
=14 I
GO1
=-10
I
D1
=12 V
POL
=15.5 I
GO1
=-10
I
D1
=8 V
POL
=15.5 I
GO1
=0
I
D2
=0 V
POL
=15.5 I
GO2
=-10
I
D2
=12 V
POL
=14 I
GO2
=-10
I
D2
=8 V
POL
=14 I
GO2
=0
I
D3
=12
I
D3
=8
I
GO3
=-10
I
GO3
=0
排水特性
当前
电流变化
随着V
CC
V
CC
= 5 10V
以T
j
T
j
= -40 + 70°C
漏1电压：
高
ZNBG3110
I
D1
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D1
= 10毫安，V
POL
=15.5V
ZNBG3111
排水2电压：
高
ZNBG3110
I
D2
= 10毫安，V
POL
=14V
I
D2
= 10毫安，V
POL
=14V
ZNBG3111
排水3电压：
高
ZNBG3110
I
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
ZNBG3111
电压变化
随着V
CC
V
CC
= 5 10V
以T
j
T
j
= -40 + 70°C
漏电流
排水1
V
D1
=0.1V, V
POL
=14V
V
D2
=0.1V, V
POL
=15.5V
排水2
4-125
8
10
0.2
0.05
12
mA
%/V
%/°C
2.0
1.8
2.2
2.0
2.4
2.2
V
V
V
D2
2.0
1.8
2.2
2.0
2.4
2.2
V
V
V
D3
2.0
1.8
2.2
2.0
0.5
50
2.4
2.2
V
V
%/V
PPM
V
DV
V
DT
I
L1
I
L2
10
10
A
A
ZNBG3110
ZNBG3111
符号参数
条件
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
单位
音检测特性
I
B
V
OUT
I
OUT
G
V
V
TH
滤波放大器
输入偏置电流
F1
=150k
输出电压
5
R
F1
=150k
输出电流
5
V
OUT
=1.96V, V
鳍
=2.1V
电压增益
比较
门槛
电压
5
输出级
L
OV
伏。范围
L
OV
偏置电流
L
B
输出低
L
B
输出高
H
B
输出低
H
B
输出高
f=22kHz,V
IN
=1mV
0.04
1.75
400
0.15
1.95
520
46
1.0
2.05
650
A
V
A
dB
f=0
I
L
=50mA(L
B
或H
B
)
V
LOV
=0
V
LOV
=0 I
L
=-10A
V
LOV
= 3V I
L
=0
V
LOV
=0 I
L
=10mA
V
LOV
= 3V I
L
=50mA
V
LOV
=0 I
L
=-10A
V
LOV
= 3V I
L
=0
V
LOV
=0 I
L
=10mA
V
LOV
= 3V I
L
=50mA
启用
6
启用
7
残
6
残
7
启用
6
启用
7
残
6
残
7
2.95
-0.5
0.04
-3.5
-0.01
3.2
3.45
V
V
LOV
I
LOV
V
LBL
V
LBH
V
HBL
V
HBH
V
CC
-1.8 V
0.15
-2.75
0
1.0
-2.5
0.01
A
V
V
-0.025 0
2.9
3.0
-3.5
-0.01
-2.75
0
0.025 V
3.1
V
-2.5
0.01
V
V
-0.025 0
2.9
3.0
0.025 V
3.1
V
A
V
ms
极性开关特性
I
POL
V
TPOL
T
SPOL
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C
NB
和C
子
中，
47nF的要求用于此目的。
2.特点是使用一个外部基准电阻R测
CAL
值从引脚 33K有线
CAL
到地面。
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容代替对所有输出。
G
， 4.7nF ，连接之间
门输出与地，C
D
， 10nF的，被连接漏极输出端和地之间。
5 。这些参数lneearly相关到V
CC
6.这些参数是使用测试电路测量1
7.这些参数是使用测试电路2测
输入电流
门槛
电压
V
POL
= 25V （通过R应用
POL
=10k) 10
14
V
POL
= 25V （通过R应用
POL
=10k)
20
40
14.75 15.5
100
开关速度v
POL
= 25V （通过R应用
POL
=10k)
4-126
ZNBG3110
ZNBG3111
测试电路1
V2特性
TYPE
交流电源
频率
22kHz
电压
350mV的P /启用
100mV的P /禁用
测试电路2
V2特性
TYPE
交流电源
频率
22kHz
电压
350mV的P /启用
100mV的P /禁用
4-127
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ZB6-EB3B
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ZRT025GA1
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封装
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