FET偏置控制器
极性开关
第1期 - 1998年2月
设备描述
该ZNBG系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR蜂窝电话等。
用最少的外部元件。
用加入了两个电容器和一个
电阻，该器件提供了漏极电压
和电流控制的三个外部
接地源场效应管，产生的
需要FET栅极调节负电压轨
偏置而从单电源工作。
此负偏压，在-3伏，也可以是
用于提供其他外部电路。
该ZNBG3010 / 11包括偏置电路
驱动多达三个外部FET 。控制
输入到设备中选择任意一个两
场效应管作为运营，第三个是FET
P·E R M A N简T L Y A CT I V即牛逼喜S F E A吨ü I S
特别是用作高频头极化
开关。
沥干ZNBG3010 / 11的电流设置为
用户在可选择的范围内0至15mA ，
这实现了与另外一个的
电阻器。该系列还提供的选择
漏极电压的FET的设定，所以
ZNBG3010提供2.2伏的流失而
ZNBG3011提供2伏。
ZNBG3010
ZNBG3011
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-3.5V
为1V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBG3010 / 11在QSOP16提供
对于最小的设备尺寸。设备
工作温度为-40至70℃ ，以适应
范围广泛的环境条件。
特点
应用
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达三个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
偏振开关的LNB
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
4-114
ZNBG3010
ZNBG3011
符号参数
条件
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
单位
排水特性
I
D
I
DV
I
DT
V
D1
当前
电流变化
随着V
CC
以T
j
V
CC
= 5 10V
T
j
= -40 + 70°C
2.0
1.8
2.0
1.8
2.0
1.8
8
10
0.2
0.05
2.2
2.0
2.2
2.0
2.2
2.0
0.5
50
10
10
2.4
2.2
2.4
2.2
2.4
2.2
12
mA
%/V
%/°C
V
V
V
V
V
V
%/V
PPM
A
A
漏极电压1 ：高
ZNBG3010
I
D1
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D1
= 10毫安，V
POL
=15.5V
ZNBG3011
漏极电压2 ：高
ZNBG3010
I
D2
= 10毫安，V
POL
=14V
ZNBG3011
I
D2
= 10毫安，V
POL
=14V
漏极电压3 ：高
ZNBG3010
I
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
ZNBG3011
电压变化
随着V
CC
以T
j
漏电流
排水1
排水2
V
CC
= 5 10V
T
j
= -40 + 70°C
V
D1
=0.1V, V
POL
=14V
V
D2
=0.1V, V
POL
=15.5V
V
D2
V
D3
V
DV
V
DT
I
L1
I
L2
极性开关特性
I
POL
V
TPOL
T
SPOL
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部
电容，C
NB
和C
子
， 47nF的都需要用于此目的。
2.特点是使用一个外部基准电阻R测
CAL
价值从33K有线
销
CAL
到地面。
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有
输出。
G
， 4.7nF ，连门输出与地，C之间
D
， 10nF的，被连接
间漏输出和地面。
输入电流
阈值电压
开关速度
V
POL
=25V
（通过R应用
POL
=10k
（通过R应用
POL
=10k
10
14
20
14.75
40
15.5
100
A
V
s
4-116
ZNBG3010
ZNBG3011
工作原理图
功能说明
该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代
所需的栅极偏压的负电源，从单一供应voltage.The图
以上示出了从ZNBG系列的单级。该ZNBG3010 / 11包含3个这样的阶段。该
负电源发生器是通用的设备。
外部FET Q的漏极电压
N
由ZNBG设备设置到其正常工作电压。
这是由上板V确定
D
设定的参考，对于ZNBG3010这是标称2.2伏特
而ZNBG3011提供的标称值为2伏。
采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视
D
感。该放大器
驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压
N
从而使漏极电流取火柴
由外部电阻R所要求的电流
CAL
.
因为FET是耗尽型晶体管，它往往是必要的，以驱动其栅极负带
相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电
一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这
发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C
NB
和C
子
.
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FET偏置控制器
极性开关
第1期 - 1998年2月
设备描述
该ZNBG系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR蜂窝电话等。
用最少的外部元件。
用加入了两个电容器和一个
电阻，该器件提供了漏极电压
和电流控制的三个外部
接地源场效应管，产生的
需要FET栅极调节负电压轨
偏置而从单电源工作。
此负偏压，在-3伏，也可以是
用于提供其他外部电路。
该ZNBG3010 / 11包括偏置电路
驱动多达三个外部FET 。控制
输入到设备中选择任意一个两
场效应管作为运营，第三个是FET
P·E R M A N简T L Y A CT I V即牛逼喜S F E A吨ü I S
特别是用作高频头极化
开关。
沥干ZNBG3010 / 11的电流设置为
用户在可选择的范围内0至15mA ，
这实现了与另外一个的
电阻器。该系列还提供的选择
漏极电压的FET的设定，所以
ZNBG3010提供2.2伏的流失而
ZNBG3011提供2伏。
ZNBG3010
ZNBG3011
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-3.5V
为1V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBG3010 / 11在QSOP16提供
对于最小的设备尺寸。设备
工作温度为-40至70℃ ，以适应
范围广泛的环境条件。
特点
应用
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达三个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
偏振开关的LNB
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
4-114
ZNBG3010
ZNBG3011
符号参数
条件
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
单位
排水特性
I
D
I
DV
I
DT
V
D1
当前
电流变化
随着V
CC
以T
j
V
CC
= 5 10V
T
j
= -40 + 70°C
2.0
1.8
2.0
1.8
2.0
1.8
8
10
0.2
0.05
2.2
2.0
2.2
2.0
2.2
2.0
0.5
50
10
10
2.4
2.2
2.4
2.2
2.4
2.2
12
mA
%/V
%/°C
V
V
V
V
V
V
%/V
PPM
A
A
漏极电压1 ：高
ZNBG3010
I
D1
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D1
= 10毫安，V
POL
=15.5V
ZNBG3011
漏极电压2 ：高
ZNBG3010
I
D2
= 10毫安，V
POL
=14V
ZNBG3011
I
D2
= 10毫安，V
POL
=14V
漏极电压3 ：高
ZNBG3010
I
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
I
D3
= 10毫安，V
POL
=15.5V
ZNBG3011
电压变化
随着V
CC
以T
j
漏电流
排水1
排水2
V
CC
= 5 10V
T
j
= -40 + 70°C
V
D1
=0.1V, V
POL
=14V
V
D2
=0.1V, V
POL
=15.5V
V
D2
V
D3
V
DV
V
DT
I
L1
I
L2
极性开关特性
I
POL
V
TPOL
T
SPOL
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部
电容，C
NB
和C
子
， 47nF的都需要用于此目的。
2.特点是使用一个外部基准电阻R测
CAL
价值从33K有线
销
CAL
到地面。
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有
输出。
G
， 4.7nF ，连门输出与地，C之间
D
， 10nF的，被连接
间漏输出和地面。
输入电流
阈值电压
开关速度
V
POL
=25V
（通过R应用
POL
=10k
（通过R应用
POL
=10k
10
14
20
14.75
40
15.5
100
A
V
s
4-116
ZNBG3010
ZNBG3011
工作原理图
功能说明
该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代
所需的栅极偏压的负电源，从单一供应voltage.The图
以上示出了从ZNBG系列的单级。该ZNBG3010 / 11包含3个这样的阶段。该
负电源发生器是通用的设备。
外部FET Q的漏极电压
N
由ZNBG设备设置到其正常工作电压。
这是由上板V确定
D
设定的参考，对于ZNBG3010这是标称2.2伏特
而ZNBG3011提供的标称值为2伏。
采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视
D
感。该放大器
驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压
N
从而使漏极电流取火柴
由外部电阻R所要求的电流
CAL
.
因为FET是耗尽型晶体管，它往往是必要的，以驱动其栅极负带
相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电
一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这
发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C
NB
和C
子
.
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