【场效应管偏置控制器ISSUE 1 1998年8月设备描述该ZNBG系列器件被设计成满足GaAs组成的】,IC型号ZNBG3000,ZNBG3000 PDF资料,ZNBG3000经销商,ic,电子元器件-51电子网

场效应管偏置控制器

ISSUE 1 1998年8月

设备描述

该ZNBG系列器件被设计成

满足GaAs组成的偏差的要求和

HEMT FET的卫星常用

接收机的LNB ， PMR ，移动电话等。

用最少的外部元件。

用加入了两个电容器和一个

电阻器件提供漏极电压

和电流控制3个外部接地

场效应管的源，生成调节

需要FET的栅极偏置负轨

而从单电源工作。这

负偏压，在-3伏，还可以用来

供应其他外部电路。

该ZNBG3000 / 1包含三个阶段的偏见。

单个电阻器允许FET漏极电流

被设置到期望的水平。该系列还

提供要设定的漏极电压的选择

为场效应管，在ZNBG3000给出2.2伏

漏而ZNBG3001提供2伏。

这些器件是无条件稳定

在整个工作温度与

场效应管到位，受到包容性

推荐的栅极和漏极的电容器。

这保证RF的稳定性和最小的

注入噪声。

ZNBG3000

ZNBG3001

因此能够比器件充分使用较少

场效应管的偏置控制的补充，未使用

漏极和栅极连接可以保持打开状态

电路在不影响操作

剩下的偏置电路。

为了保护外部FET的

电路已经被设计成确保在

在任何条件包括电源下

向上/向下瞬变，从栅极驱动器

偏置电路不能超出的范围-3.5V

到0.7V 。此外，如果负轨

遇到故障状态，如

过载或短路，漏电供给到

场效应管将关闭，避免过度

目前溢流。

该ZNBG3000 / 1在QSOP16提供

包为最小的器件尺寸。

器件的工作温度为-40至70℃

以适应宽范围的环境

条件。

特点

应用

提供偏置的GaAs和HEMT FET的

驱动多达三个场效应管

动态FET保护

漏极电流设定由外部电阻

调节负电压轨生成

只需要2个外部电容

选择在漏极电压

宽电源电压范围

QSOP表面贴装封装

卫星接收机的LNB

专用移动无线电（ PMR ）

移动电话

单进单出C波段LNB

4-137

ZNBG3000

ZNBG3001

绝对最大额定值

电源电压

电源电流

漏电流（每FET ）

（由R设定

CAL1

和R

CAL2

)

输出电流

工作温度

储存温度

-0.6V至15V

100mA

0至15mA

100mA

-30至70℃

-40到85°C

功率耗散（T

AMB

25°C)

QSOP16

500mW

电气特性测试条件（除非另有说明）：

AMB

25°C,V

=5V,I

= 10毫安（R

CAL1

=33k)

)

符号参数

子

电源电压

电源电流

衬底电压

（内部产生）

输出噪声

漏极电压

栅极电压

振荡器的频率。

输出电流范围

当前

电流变化

随着V

以T

电压

= 5 12V

= -30至+ 70°C

ZNBG3000我

到我

=10mA

ZNBG3001

= 5 12V

= -30至+ 70°C

1.8

0.5

0.05

2.2

0.5

2.4

2.2

%/V

%/°C

%/V

PPM

设置由R

CAL1

到我

D3=0

到我

=10mA

子

= 0

子

= -200A

= 4.7nF ，C

=10nF

= 4.7nF ，C

=10nF

200

330

-3.5

-2.8

条件

民

范围

典型值

最大

-2

0.02

0.005

800

中Vpkpk

千赫

单位

排水特性

电压变化

随着V

以T

4-138

ZNBG3000

ZNBG3001

符号参数

条件

民

范围

典型值

最大

2000

单位

GATE特性

输出电流范围

输出电压

输出低

到我

=12mA

IG1

到我

=12mA

到我

= -10A

注意事项：

1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C

和C

子

中，

47nF的要求用于此目的。

2.特点是使用外部基准电阻R上测得

CAL1

价值33k欧姆，从脚有线

CAL1

到地面。

-30

-3.5

0.4

-2

输出高

到我

= 8毫安

到我

= 0

3.噪声电压在生产中不进行测量。

4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有

输出。

， 4.7nF ，连门输出与地，C之间

， 10nF的，被连接

间漏输出和地面。

4-139

ZNBG3000

ZNBG3001

典型特征

VCC = 5V

0.0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

注： - 操作与负载＆ GT ; 200μA

不能保证。

VCC = 5V

10V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

RCAL （ K）

外部Vsub的负荷（毫安）

JFET的漏极电流V RCAL

VSUB V外部负载

2.4

ZNBG3000

2.2

ZNBG3001

2.3

2.1

2.2

VCC = 5V

10V

2.0

VCC = 5V

10V

2.1

1.9

2.0

1.8

漏极电流（mA ）

JFET的漏极电压V漏极电流

4-140

工作原理图

ZNBG3000

ZNBG3001

功能说明

该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代

所需的栅极偏压的负电源，从单电源电压。

上面的图显示了从ZNBG系列的单级。该ZNBG3000 / 1包含3个这样的

阶段。

外部FET Q的漏极电压

由ZNBG设备设置到其正常工作电压。

这是由上板V确定

设定的参考，对于ZNBG3000这是标称2.2伏特

而ZNBG3001提供的标称值为2伏。

采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视

感。该放大器

驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压

从而使漏极电流取火柴

由外部电阻R所要求的电流

CAL

。既ZNBG装置具有编程的设施

不同的漏极电流为选定的场效应管。

因为FET是耗尽型晶体管，它通常是必要的，以驱动其栅极负带

相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电

一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这

发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C

和C

子

4-141

场效应管偏置控制器

ISSUE 1 1998年8月

设备描述

该ZNBG系列器件被设计成

满足GaAs组成的偏差的要求和

HEMT FET的卫星常用

接收机的LNB ， PMR ，移动电话等。

用最少的外部元件。

用加入了两个电容器和一个

电阻器件提供漏极电压

和电流控制3个外部接地

场效应管的源，生成调节

需要FET的栅极偏置负轨

而从单电源工作。这

负偏压，在-3伏，还可以用来

供应其他外部电路。

该ZNBG3000 / 1包含三个阶段的偏见。

单个电阻器允许FET漏极电流

被设置到期望的水平。该系列还

提供要设定的漏极电压的选择

为场效应管，在ZNBG3000给出2.2伏

漏而ZNBG3001提供2伏。

这些器件是无条件稳定

在整个工作温度与

场效应管到位，受到包容性

推荐的栅极和漏极的电容器。

这保证RF的稳定性和最小的

注入噪声。

ZNBG3000

ZNBG3001

因此能够比器件充分使用较少

场效应管的偏置控制的补充，未使用

漏极和栅极连接可以保持打开状态

电路在不影响操作

剩下的偏置电路。

为了保护外部FET的

电路已经被设计成确保在

在任何条件包括电源下

向上/向下瞬变，从栅极驱动器

偏置电路不能超出的范围-3.5V

到0.7V 。此外，如果负轨

遇到故障状态，如

过载或短路，漏电供给到

场效应管将关闭，避免过度

目前溢流。

该ZNBG3000 / 1在QSOP16提供

包为最小的器件尺寸。

器件的工作温度为-40至70℃

以适应宽范围的环境

条件。

特点

应用

提供偏置的GaAs和HEMT FET的

驱动多达三个场效应管

动态FET保护

漏极电流设定由外部电阻

调节负电压轨生成

只需要2个外部电容

选择在漏极电压

宽电源电压范围

QSOP表面贴装封装

卫星接收机的LNB

专用移动无线电（ PMR ）

移动电话

单进单出C波段LNB

4-137

ZNBG3000

ZNBG3001

绝对最大额定值

电源电压

电源电流

漏电流（每FET ）

（由R设定

CAL1

和R

CAL2

)

输出电流

工作温度

储存温度

-0.6V至15V

100mA

0至15mA

100mA

-30至70℃

-40到85°C

功率耗散（T

AMB

25°C)

QSOP16

500mW

电气特性测试条件（除非另有说明）：

AMB

25°C,V

=5V,I

= 10毫安（R

CAL1

=33k)

)

符号参数

子

电源电压

电源电流

衬底电压

（内部产生）

输出噪声

漏极电压

栅极电压

振荡器的频率。

输出电流范围

当前

电流变化

随着V

以T

电压

= 5 12V

= -30至+ 70°C

ZNBG3000我

到我

=10mA

ZNBG3001

= 5 12V

= -30至+ 70°C

1.8

0.5

0.05

2.2

0.5

2.4

2.2

%/V

%/°C

%/V

PPM

设置由R

CAL1

到我

D3=0

到我

=10mA

子

= 0

子

= -200A

= 4.7nF ，C

=10nF

= 4.7nF ，C

=10nF

200

330

-3.5

-2.8

条件

民

范围

典型值

最大

-2

0.02

0.005

800

中Vpkpk

千赫

单位

排水特性

电压变化

随着V

以T

4-138

ZNBG3000

ZNBG3001

符号参数

条件

民

范围

典型值

最大

2000

单位

GATE特性

输出电流范围

输出电压

输出低

到我

=12mA

IG1

到我

=12mA

到我

= -10A

注意事项：

1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C

和C

子

中，

47nF的要求用于此目的。

2.特点是使用外部基准电阻R上测得

CAL1

价值33k欧姆，从脚有线

CAL1

到地面。

-30

-3.5

0.4

-2

输出高

到我

= 8毫安

到我

= 0

3.噪声电压在生产中不进行测量。

4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容就位在所有

输出。

， 4.7nF ，连门输出与地，C之间

， 10nF的，被连接

间漏输出和地面。

4-139

ZNBG3000

ZNBG3001

典型特征

VCC = 5V

0.0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

注： - 操作与负载＆ GT ; 200μA

不能保证。

VCC = 5V

10V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

RCAL （ K）

外部Vsub的负荷（毫安）

JFET的漏极电流V RCAL

VSUB V外部负载

2.4

ZNBG3000

2.2

ZNBG3001

2.3

2.1

2.2

VCC = 5V

10V

2.0

VCC = 5V

10V

2.1

1.9

2.0

1.8

漏极电流（mA ）

JFET的漏极电压V漏极电流

4-140

工作原理图

ZNBG3000

ZNBG3001

功能说明

该ZNBG设备提供的所有偏差要求外部FET ，其中包括代

所需的栅极偏压的负电源，从单电源电压。

上面的图显示了从ZNBG系列的单级。该ZNBG3000 / 1包含3个这样的

阶段。

外部FET Q的漏极电压

由ZNBG设备设置到其正常工作电压。

这是由上板V确定

设定的参考，对于ZNBG3000这是标称2.2伏特

而ZNBG3001提供的标称值为2伏。

采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视

感。该放大器

驱动所述FET的栅极调整Q的栅极电压

从而使漏极电流取火柴

由外部电阻R所要求的电流

CAL

。既ZNBG装置具有编程的设施

不同的漏极电流为选定的场效应管。

因为FET是耗尽型晶体管，它通常是必要的，以驱动其栅极负带

相对于地面以获得所需的漏极电流。为了提供这种能力从供电

一个正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这

发电机使用内部振荡器和两个外部电容，C

和C

子

4-141