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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第29页 > ZMY24
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
对于stablilizing使用和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
这些二极管也可在DO- 41的情况下可
同类型指定ZPY1 ... ZPY100 。
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
包装代码/选项：
GS18 / 5K，每13 "卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 1.5 7 "卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.0
1)
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境温度（最大）
热阻结到
情况下（典型值）
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
S
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
1
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压（ 2）
动态电阻
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
@ I
ZT
10
-4
/°C
典型值
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
250
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
150
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
82
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
6.4
TEST
当前
I
ZT
mA
反向
电压
V
R
@
I
R
= 0.5
A
V
可受理
齐纳
电流（ 1）
I
Z
@
T
AMB
=25°C
mA
V
Z
@ I
ZT
V
民
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
1)
2)
r
zj
@ I
ZT
中，f = 1千赫
最大
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒
该ZMY1是向前direction.Hence经营的硅二极管，所有的特征和最大额定值的指数应该是"F"instead
的"Z" 。阴极端子连接至所述负极。在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但相同的功率显示设备
sipation看到类型ZMU100 ... ZMU180
www.vishay.com
2
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
18312
18289
图1.动态电阻与齐纳电流
图4.容许功耗与环境温度
18313
18286
图2.动态电阻与齐纳电流
图5.脉冲热电阻与脉冲宽度
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
18314
图3.动态电阻与齐纳电流
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
3
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18309
图6.击穿特性
18310
图7.击穿特性
www.vishay.com
4
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18311
图8.击穿特性
单位：mm包装尺寸（英寸）
4.00 (0.157)
最大
ISO方法E
阴极标记
2.6 (0.102)
2.4 (0.094)
1.25
(0.049)
民
3.00 (0.118)
民
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
6.50 (0.256)
REF
18317
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
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5
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1.3 W ）
表面贴装硅稳压二极管
（非平面技术）的
版本2004-05-13
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.5
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden
献给死去Oberflchenmontage
1.3 W
1…200 V
DO-213AB
0.12 g
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
5.0
TYPE
典型值
0.5
0.5
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
参见第18页
世赫页首18
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
的非平面齐纳二极管的优点：
改进的钳位能力
增加最大。齐纳电流I
ZMAX
与等离子EPOS技术生产芯片
模压塑料多钝化结
Vorteile DER flchendiffundierten齐纳Dioden ：
霍厄Impulsfestigkeit
达赫最大。 Arbeitsstrom我
ZMAX
在等离子EPOS - TECHNOLOGIE芯片hergestellt
Passivierte芯片IM Plastik公司- Gehuse
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - Kontaktflche
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
1.3 W
1
)
40 W
– 50...+150°C
– 50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
1
）安装在交媾板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的ZMY 1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白圈指示的是将要连接到负极。
死在Durchla betriebene硅二极管ZMY 1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。死第三人以登WEISSEN环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
210
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Sspanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试CUR 。
Me-
斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[]
0.5 （小于1）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 A
V
R
[V]
–
–
–
–
–
＆ GT ; 1.5
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
317
283
260
241
217
197
181
165
149
135
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
ZMY 1
3
)
ZMY 3.9
ZMY 4.3
ZMY 4.7
ZMY 5.1
ZMY 5.6
ZMY 6.2
ZMY 6.8
ZMY 7.5
ZMY 8.2
ZMY 9.1
ZMY 10
ZMY 11
ZMY 12
ZMY 13
ZMY 15
ZMY 16
ZMY 18
ZMY 20
ZMY 22
ZMY 24
ZMY 27
ZMY 30
ZMY 33
ZMY 36
ZMY 39
ZMY 43
ZMY 47
ZMY 51
ZMY 56
ZMY 62
ZMY 68
ZMY 75
ZMY 82
ZMY 91
ZMY 100
ZMY 110
ZMY 120
ZMY 130
ZMY 150
ZMY 160
ZMY 180
ZMY 200
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
211
ZMY1 THRU ZMY100
硅平面功率齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
齐纳电压是按国际分级
E 24标准。更小的电压容限要求。
这些二极管，可以在DO- 41的情况下与式
指定ZPY1通ZPY100 。
这些二极管是交付流片。
详情请看??大坪?? 。
重量约。 ： 0.25克
尺寸
暗淡
A
B
C
英寸
分钟。
0.189
0.092
0.016
马克斯。
0.205
0.100
-
分钟。
4.8
2.35
0.4
mm
马克斯。
5.2
2.55
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=25
结温
存储温度范围
注意：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
P
合计
T
j
T
S
1
1)
W
175
-55到+175
特征
热阻
结到环境空气
at
T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
-
-
170
1)
K / W
注意：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
1
齐纳电压
在我
Z
TEST
TYPE
V
Z
V
ZMY1
3)
2)
动态
在我性
Z
测试f = 1KHz的
r
ZJ
温度。 COEFF 。的
齐纳电压。
在我
Z
TEST
VZ
测试电流
反向电压
在我
R
=0.5uA
V
R
V
-
-
-
-
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
受理的齐纳
当前
1)
在T
AMB
=25
I
Z
mA
406
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
I
Z
TEST
mA
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
10 /K
-4
0.65 ... 0.75
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ...15.8
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31 ... 35
34 ... 38
37 ... 41
40 ... 46
44 ... 50
48 ... 54
52 ... 60
58 ... 66
64 ... 72
70 ... 79
77 ... 88
85 ... 96
94 ... 106
6.5(<8)
4(<7)
4(<7)
4(<7)
2(<5)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
2(<4)
2(<4)
3(<7)
3(<7)
4(<9)
4(<9)
5(<10)
5(<11)
6(<12)
7(<13)
8(<14)
9(<15)
10(<20)
11(<20)
25(<60)
30(<60)
35(<80)
40(<80)
45(<100)
50(<100)
60(<130)
65(<130)
70(<160)
80(<160)
120(<250)
130(<250)
-26 ... -23
-7 ... +2
-7 ... +3
-7 ... +4
-6 ... +5
-3 ... +5
-1 ... +6
0 ... 7
0 ... 7
+3 ... +8
+3 ... +8
+5 ... +9
+5 ... +10
+5 ... +10
+5 ... +10
+5 ... +10
+7 ... +11
+7 ... +11
+7 ... +11
+7 ... +11
+7 ... +12
+7 ... +12
+7 ... +12
+7 ... +12
+7 ... +12
+8 ... +12
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
ZMY3.9
ZMY4.3
ZMY4.7
ZMY5.1
ZMY5.6
ZMY6.2
ZMY6.8
ZMY7.5
ZMY8.2
ZMY9.1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
注意事项：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
（ 2 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。
（3） ZMY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的特征和额定的最大指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极端子连接至所述负极。
2
收视率和特性曲线
3
收视率和特性曲线
4
收视率和特性曲线
5
ZMY1 THRU ZMY100
齐纳二极管
MELF
特点
硅平面功率齐纳二极管
对于具有较高的稳定和削波电路用
额定功率。
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。更小的电压容差
等齐纳电压可根据要求提供。
这些二极管，可以在所述的DO- 41的情况下与式
指定ZPY1 ... ZPY100 。
阴极标记
.102 (2.6)
.094 (2.4)
.022 (0.55)
.205 (5.2)
.189 (4.8)
尺寸单位：英寸（毫米）
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 0.25克
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
1.0
1)
150
- 55 + 150
W
°C
°C
特点在环境温度Tamb = 25°C
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热阻
结到环境空气
R
thJA
–
–
170
1)
° C / W
注意事项：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
12/16/98
ZMY1 THRU ZMY100
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
TYPE
ZMY1
(3)
ZMY3.9
ZMY4.3
ZMY4.7
ZMY5.1
ZMY5.6
ZMY6.2
ZMY6.8
ZMY7.5
ZMY8.2
ZMY9.1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
分钟。马克斯。
V
Z
(V)
0.65 … 0.75
3.7 … 4.1
4.0 … 4.6
4.4 … 5.0
4.8 … 5.4
5.2 … 6.0
5.8 … 6.6
6.4 … 7.2
7.0 … 7.9
7.7 … 8.7
8.5 … 9.6
9.4 … 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
r
zj
()
6.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ < 20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向
电压
at
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
–
–
–
–
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
406
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
α
VZ
(10
–4
/K)
–26 … –23
–7 … +2
–7 … +3
–7 … +4
–6 … +5
–3 … +5
–1 … +6
0 … +7
0 … +7
+3 … +8
+3 … +8
+5 … +9
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+7 … +11
+7 … +11
+7 … +11
+7 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
注意事项：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度
（ 2 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
（3） ZMY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的特征和额定的最大指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极端子连接到负极
在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但同时功耗器件看到类型ZMU100 ... ZMU180
额定值和特性曲线ZMY1 THRU ZMY100
额定值和特性曲线ZMY1 THRU ZMY100
额定值和特性曲线ZMY1 THRU ZMY100
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
对于stablilizing使用和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
这些二极管也可在DO- 41的情况下可
同类型指定ZPY1 ... ZPY100 。
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
包装代码/选项：
GS18 / 5K，每13 "卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 1.5 7 "卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.0
1)
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境温度（最大）
热阻结到
情况下（典型值）
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
S
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
1
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压（ 2）
动态电阻
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
@ I
ZT
10
-4
/°C
典型值
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
250
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
150
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
82
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
6.4
TEST
当前
I
ZT
mA
反向
电压
V
R
@
I
R
= 0.5
A
V
可受理
齐纳
电流（ 1）
I
Z
@
T
AMB
=25°C
mA
V
Z
@ I
ZT
V
民
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
1)
2)
r
zj
@ I
ZT
中，f = 1千赫
最大
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒
该ZMY1是向前direction.Hence经营的硅二极管，所有的特征和最大额定值的指数应该是"F"instead
的"Z" 。阴极端子连接至所述负极。在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但相同的功率显示设备
sipation看到类型ZMU100 ... ZMU180
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2
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
18312
18289
图1.动态电阻与齐纳电流
图4.容许功耗与环境温度
18313
18286
图2.动态电阻与齐纳电流
图5.脉冲热电阻与脉冲宽度
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
18314
图3.动态电阻与齐纳电流
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3
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18309
图6.击穿特性
18310
图7.击穿特性
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4
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修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18311
图8.击穿特性
单位：mm包装尺寸（英寸）
4.00 (0.157)
最大
ISO方法E
阴极标记
2.6 (0.102)
2.4 (0.094)
1.25
(0.049)
民
3.00 (0.118)
民
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
6.50 (0.256)
REF
18317
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
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5
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
绝对最大额定值
符号条件
值
单位
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
最大功率
耗散： 1,3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
1
2007年8月3日MAM
由赛米控
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
2
2007年8月3日MAM
由赛米控
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
最大功率
耗散： 1,3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
3
2007年8月3日MAM
由赛米控
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
绝对最大额定值
符号条件
值
单位
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
ZMY 1 ... ZMY 200
最大功率
耗散： 1,3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
2)
3)
1
2006年10月3日MAM
由赛米控
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （1.0 W）的
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
表面贴装硅稳压二极管
硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
Version 2006-04-27
ZMY ...摹平面
ZMY ...非平面
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
3.0...9.1 V
DO-213AB
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
玻璃柜 - Glasgehuse MELF
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
2.5
2.5
0.4
0.5
TYPE
典型值
5.0
5.0
TYPE
典型值
塑料外壳 - Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
0.4
尺寸
- 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
0.5
Grenz- UND Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
T
A
= 50°C
P
合计
1.0 W
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 150 K / W
1
)
< 70 K / W
T
J
T
S
R
THA
R
THT
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
T
J
T
S
R
THA
R
THT
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZMY1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZMY1
3
)
ZMY3.0G
ZMY3.3G
ZMY3.6G
ZMY3.9G
ZMY4.3G
ZMY4.7G
ZMY5.1G
ZMY5.6G
ZMY6.2G
ZMY6.8G
ZMY7.5G
ZMY8.2G
ZMY9.1G
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
ZMY120
ZMY130
ZMY150
ZMY160
ZMY180
ZMY200
0.71
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[]
0.5 （小于1）
5 （ <8 ）
5 （ <8 ）
5 （ <8 ）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–8…+1
–8…+1
–8…+1
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
μA
V
R
[V]
–
–
> 0.7 / 150 μA
> 0.7 / 100 μA
> 0.7 / 100 μA
> 0.7 / 50 μA
> 0.7 / 10 μA
> 0.7 / 10 μA
> 0.5 / 3 μA
> 1.5 / 500 nA的
>五百分之二nA的
> 500分之3 nA的
> 500分之6 nA的
> 500分之7 nA的
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
313
286
263
244
217
200
185
167
152
139
127
115
104
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
死在Durchlass betriebene硅二极管ZMY1 IST EINE 。贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten IST DER指数“ F”斯塔特“Z”祖setzen
2
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
ZMY3.9 - ZMY100
V
Z
:
3.9至100V
P
D
:
1W
产品特点：
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
更高的额定功率。
这些二极管也可在DO- 41可用
案件的类型名称ZPY3.6 ... ZPY100 。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
MELF
阴极标记
φ
0.102 (2.6)
0.094 (2.4)
0.022(0.55)
0.205(5.2)
0.189(4.8)
贴装焊盘布局
0.157 (4.00)
马克斯。
机械数据：
*案例： MELF玻璃柜
*重量0.25克（约）
0.049 （ 1.25 ）最低。
0.118 （ 3.00 ）最低。
0.256 (6.50)
REF
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
功耗
热阻结到环境空气
热阻结到外壳（典型值）。
结温
存储温度范围
注：（1 ）有效的规定，电极被保持在环境温度
（评分25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
P
D
R
θ
JA
R
θJC
T
J
T
S
价值
1
(1)
170
(1)
60
175
-65到+ 175
单位
W
° C / W
° C / W
°C
°C
第1页4
启示录03 ： 2005年5月11日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
动态
齐纳电压
(1)
在我
ZT
阻力位
TYPE
温度。 COEFF 。的
齐纳电压在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向电压
在我
R
=0.5A
V
R
V
R
(V)
-
-
-
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
Asmissible
齐纳电流
(2)
I
Z
（MA ）
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
V
z
(V)
分钟。
马克斯。
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
I
ZT
中，f = 1kHz时
RZJ （ Ω ）
4(<7)
4(<7)
4(<7)
2(<5)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
2(<4)
2(<4)
3(<7)
3(<7)
4(<9)
4(<9)
5(<10)
5(<11)
6(<12)
7(<13)
8(<14)
9(<15)
10(<20)
11(<20)
25(<60)
30(<60)
35(<80)
40(<80)
45(<100)
50(<100)
60(<130)
65(<130)
70(<160)
80(<160)
120(<250)
130(<250)
α
VZ
(10
-4
/
°
C)
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
ZMY3.9
ZMY4.3
ZMY4.7
ZMY5.1
ZMY5.6
ZMY6.2
ZMY6.8
ZMY7.5
ZMY8.2
ZMY9.1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
注：（ 1 ）测试与脉冲TP = 5ms的
（2）有效的规定，电极被保持在环境温度
在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但同时功耗器件看到类型ZMU100 ... ZMU180
第2页4
启示录03 ： 2005年5月11日
额定值和特性曲线（ ZMY3.9 ZMY100 ）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
240
ZMY3.9
ZMY4.7
T
J
= 25°C
200
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY5.6
160
ZMY6.8
ZMY8.2
120
测试电流IZ
100mA
ZMY10
ZMY12
80
50mA
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V
Z
，齐纳电压（伏）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
60
ZMY15
ZMY18
ZMY22
T
J
= 25°C
50
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY27
40
ZMY33
测试电流IZ
25mA
30
ZMY39
ZMY47
20
10mA
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
Z
，齐纳电压（伏）
第3页4
启示录03 ： 2005年5月11日
额定值和特性曲线（ ZMY3.9 ZMY100 ）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
20
ZMY56
T
J
= 25°C
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY68
测试电流IZ
10mA
ZMY82
ZMY100
10
5mA
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
V
Z
，齐纳电压（伏）
功耗温度降额曲线
1.2
1.0
P
D
，最大耗散
（瓦特）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TA ，环境温度（ ° C）
第4页4
启示录03 ： 2005年5月11日
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅平面功率齐纳二极管
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
对于稳定和削波电路与高额定功率的使用
密封式玻璃硅二极管
标记：随着阴极频带
绝对最大额定值（T
a
=25C)
描述
功耗
非重复性峰值功率Disspation ，
吨<10ms
结温
存储温度范围
热特性
结到环境中的自由空气
符号
*P
D
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
1.3
5.0
175
- 55 +175
单位
W
W
°C
°C
*R
号（j -a）的
TEST
当前
115.3
V
F
<1.2V在200毫安
反向
电压
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
>0.5
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
K / W
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
温度。 COEFF 。的
装置＃
动态
**齐纳电压
齐纳电压。
阻力
在我
Z
TEST
在我
Z
TEST
V
Z
在我
ZT
f=1kHz
(V)
r
zj
()
α
V
Z
10
-4
/K
民
最大
最大
-7…..+4
ZMY4.7
4.4
5.0
7
-6…..+5
4.8
5.4
5
ZMY5.1
-3…..+5
5.2
6.0
2
ZMY5.6
-1…..+6
5.8
6.6
2
ZMY6.2
0…..7
ZMY6.8
6.4
7.2
2
0…..7
7.9
2
ZMY7.5
7.0
+3…..+8
8.7
2
ZMY8.2
7.7
+3…..+8
9.6
4
ZMY9.1
8.5
+5…..+9
ZMY10
9.4
10.6
4
+5…..+10
11.6
7
ZMY11
10.4
+5…..+10
12.7
7
ZMY12
11.4
ZMY13
12.4
14.1
9
+5…..+10
ZMY15
13.8
15.8
9
+5…..+10
ZMY16
15.3
17.1
10
+7…..+11
ZMY18
16.8
19.1
11
+7…..+11
ZMY20
18.8
21.2
12
+7…..+11
ZMY22
20.8
23.3
13
+7…..+11
ZMY24
22.8
25.6
14
+7…..+12
ZMY27
25.1
28.9
15
+7…..+12
+7…..+12
ZMY30
28.0
32.0
20
ZMY33
31.0
35.0
20
+7…..+12
ZMY36
34.0
38.0
60
+7…..+12
*有效的规定，电极被保持在环境温度
**脉象： 20毫秒< TP <50ms
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
在我
Z
TEST
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
*容许
齐纳电流
在我
Z
TEST
（MA ）
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
数据表
第1页4
硅平面功率齐纳二极管
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
电气特性（T
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
装置＃
**齐纳电压
V
Z
在我
ZT
(V)
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
民
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
77.0
85.0
94.0
最大
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
88.0
96.0
106
动态
阻力
在我
Z
TEST
r
zj
()
最大
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
温度。 COEFF 。的
齐纳电压。
在我
Z
TEST
-4
α
V
Z
10 /K
V
F
<1.2V在200毫安
*容许
反向
齐纳电流
电压
在我
Z
TEST
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
（MA ）
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
TEST
当前
在我
Z
TEST
（MA ）
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
+8…..+12
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+9…..+13
+9…..+13
*有效的规定，电极被保持在环境温度
**脉象： 20毫秒< TP <50ms
ZMY4.7_100V Rev081105E
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第2页4
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
组件处置说明
1. CDIL半导体器件均符合RoHS标准，客户要求讨
处置按照当时的自己国家的环境立法。
2.
在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子
电子设备（WEEE ） 。
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第3页4
客户注意事项
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的半导体器件（ S）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，以
确认设备（S ）满足功能参数，为您的应用程序。装修中的数据表中的信息和
在CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担责任
不准确或不完整的信息。此外， CDIL不承担任何责任，所引起的应用程序
或使用任何CDIL产品;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品是
不用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品（无论是作为个人
半导体分立器件或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或
应用这样做在自己的风险和CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
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