磁
场
传感器
ZMY20 ， ZMZ20
ZMY30 ， ZMZ30
包： E-线（ 4针）
1: +V
O
2: -V
B
3: -V
O
4: +V
B
V
O
- 输出电压V
B
- 电源电压
包： SOT223S （ 4针）
1: +V
O
2: -V
O
3: +V
B
4: -V
B
V
O
- 输出电压V
B
- 电源电压
特点
ZMZ20 / 30 （E -线4针）和ZMY20 / 30 （ SOT - 223 -S ）是极其敏感的磁
传感器采用的薄膜坡莫合金的磁致电阻效应
包： E- 4号线引脚和SOT - 223 -S
输出电压正比于磁场H
y
灵敏度的滞后的和抑制由辅助磁场调整
H
x
磁场垂直于芯片级都没有有效
绝对最大额定值
参数
电源电压ZMY20 / ZMZ20
电源电压ZMY30 / ZMZ30
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
B
V
B
P
合计
T
AMB
T
英镑
12
15
120
-40到+150
-65到+150
单位
V
V
mW
°C
°C
第2页
ZMY20 / 30 ， 20/30 ZMZ
电气特性
（在T
AMB
= 25° C和H的
x
= 3千安/米，除非另有说明）
参数
电桥电阻
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
输出电压范围
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
开路灵敏度
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
输出电压迟滞
失调电压
工作频率
温度COEF网络cient
失调电压
温度COEF网络cient
电桥电阻
温度COEF网络cient
开路灵敏度
V
B
= 5 V
温度COEF网络cient
开路灵敏度
I
B
= 3毫安
符号
R
br
1.2
2.0
V
O
/V
B
16
12
S
3.7
2.0
V
OH
/V
B
V
关闭
/V
B
f
最大
TCV
关闭
TCR
br
TCS
V
-
-1.0
0
-3
-
-
4.7
3.0
-
-
-
-
0.3
-0.4
5.7
4.0
50
+1.0
1
+3
-
-
20
16
24
20
（毫伏/ V）/ （千安/米）没有干扰
场H
d
允许
V/V
mV / V的
兆赫
（μV/ V） / K的
%/K
%/K
T
AMB
=
-25...+125°C
T
AMB
=
-25...+125°C
T
AMB
=
-25...+125°C
TAMB =
-25...+125°C
H
y
≤
2千安/米
1.7
3.0
2.2
4.0
mV / V的
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
k
测试条件
TCS
I
-
-0.1
-
%/K
装置由一个代码上的装置的主体确定
ZMY20 / ZMZ20 ..... M20 ZMY30 / ZMZ30 M30 .....
订货信息：
ZMY20TA ..... 7"盘1000每卷组件
ZMY20TC ..... 13"盘4000每卷组件
ZMY30TA ..... 7"盘1000每卷组件
ZMY30TC ..... 13"盘4000每卷组件
ZMZ20 ...........散货箱（每箱2000组件）
ZMZ30 ...........散货箱（每箱2000组件）
第3页
ZMY20 / 30 ， 20/30 ZMZ
该传感器具有的H的辅助字段离开安全操作区域之后被重置
X
= 3千安/米。
第5页
ZMY20
磁科幻场传感器
描述
该ZMY20是一个极其敏感的磁传感器采用
的薄膜的坡莫合金的磁致电阻效应。它允许的测量
磁场或磁性部件的检测。高度敏感和
小尺寸磁致电阻传感器包括覆盖有薄膜的芯片
坡莫合金的条纹。这些条纹形成惠斯通电桥，其输出
电压正比于磁场分量海兰。垂直
字段HX是要稳定传感器的操作。这可以通过使用一个来完成
小的永久磁铁。
Hy
-V
B
Hx
+V
B
-V
O
+V
O
特点
输出电压正比于磁场海兰
敏感性和抑制调节
滞后由辅助磁场HX
磁场垂直于芯片级都没有
有效
SOT223S
应用
线性位置传感器用于过程控制，门
联锁装置，接近探测器，机床
传感
标量测量罗盘
汽车 - 门开关，发动机位置&
速度传感
流体的通过检测叶轮的旋转计量
交通票&车型传感
引脚
-V
B
订购信息
设备
ZMY20TA
ZMY20TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
+V
O
-V
O
+V
B
V
B
电源电压
V
O
·输出电压
顶视图
电流的测量中的导体不
连接
器件标识
ZMY20
第3期 - 2007年6月
1
半导体
ZMY20
传感器的输出特性
V
O
= F （H
y
); H
x
-parameter
V
b
=常数;牛逼
AMB
=25°C
安全工作区
H
XTOT
=H
x
+ H
d
; T
AMB
= 25°C ; （H
d
=令人不安的字段）
该传感器具有的H的辅助字段离开安全操作区域之后被重置
x
=3kA/m
第3期 - 2007年6月
半导体
4
ZMY20
磁科幻场传感器
描述
该ZMY20是一个极其敏感的磁传感器采用
的薄膜的坡莫合金的磁致电阻效应。它允许的测量
磁场或磁性部件的检测。高度敏感和
小尺寸磁致电阻传感器包括覆盖有薄膜的芯片
坡莫合金的条纹。这些条纹形成惠斯通电桥，其输出
电压正比于磁场分量海兰。垂直
字段HX是要稳定传感器的操作。这可以通过使用一个来完成
小的永久磁铁。
Hy
-V
B
Hx
+V
B
-V
O
+V
O
特点
输出电压正比于磁场海兰
敏感性和抑制调节
滞后由辅助磁场HX
磁场垂直于芯片级都没有
有效
SOT223S
应用
线性位置传感器用于过程控制，门
联锁装置，接近探测器，机床
传感
标量测量罗盘
汽车 - 门开关，发动机位置&
速度传感
流体的通过检测叶轮的旋转计量
交通票&车型传感
引脚
-V
B
订购信息
设备
ZMY20TA
ZMY20TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
+V
O
-V
O
+V
B
V
B
电源电压
V
O
·输出电压
顶视图
电流的测量中的导体不
连接
器件标识
ZMY20
第3期 - 2007年6月
1
半导体
ZMY20
传感器的输出特性
V
O
= F （H
y
); H
x
-parameter
V
b
=常数;牛逼
AMB
=25°C
安全工作区
H
XTOT
=H
x
+ H
d
; T
AMB
= 25°C ; （H
d
=令人不安的字段）
该传感器具有的H的辅助字段离开安全操作区域之后被重置
x
=3kA/m
第3期 - 2007年6月
半导体
4
ZMY20
磁科幻场传感器
描述
该ZMY20是一个极其敏感的磁传感器采用
的薄膜的坡莫合金的磁致电阻效应。它允许的测量
磁场或磁性部件的检测。高度敏感和
小尺寸磁致电阻传感器包括覆盖有薄膜的芯片
坡莫合金的条纹。这些条纹形成惠斯通电桥，其输出
电压正比于磁场分量海兰。垂直
字段HX是要稳定传感器的操作。这可以通过使用一个来完成
小的永久磁铁。
Hy
-V
B
Hx
+V
B
-V
O
+V
O
特点
输出电压正比于磁场海兰
敏感性和抑制调节
滞后由辅助磁场HX
磁场垂直于芯片级都没有
有效
SOT223S
应用
线性位置传感器用于过程控制，
门联锁装置，接近探测器，机
检测工具
标量测量罗盘
汽车 - 门开关，发动机位置&
速度传感
流体的通过检测叶轮的旋转计量
交通票&车型传感
电流的测量中的导体不
连接
引脚
-V
B
订购信息
设备
ZMY20TA
ZMY20TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
+V
O
-V
O
+V
B
V
B
电源电压
V
O
·输出电压
顶视图
器件标识
ZMY20
第2期 - 2002年11月
1
半导体
ZMY20
传感器的输出特性
V
O
= F （H
y
); H
x
-parameter
V
b
=常数;牛逼
AMB
=25°C
安全工作区
H
XTOT
=H
x
+ H
d
; T
AMB
= 25°C ; （H
d
=令人不安的字段）
该传感器具有的H的辅助字段离开安全操作区域之后被重置
x
=3kA/m
第2期 - 2002年11月
半导体
4
磁
场
传感器
ZMY20 ， ZMZ20
ZMY30 ， ZMZ30
包： E-线（ 4针）
1: +V
O
2: -V
B
3: -V
O
4: +V
B
V
O
- 输出电压V
B
- 电源电压
包： SOT223S （ 4针）
1: +V
O
2: -V
O
3: +V
B
4: -V
B
V
O
- 输出电压V
B
- 电源电压
特点
ZMZ20 / 30 （E -线4针）和ZMY20 / 30 （ SOT - 223 -S ）是极其敏感的磁
传感器采用的薄膜坡莫合金的磁致电阻效应
包： E- 4号线引脚和SOT - 223 -S
输出电压正比于磁场H
y
灵敏度的滞后的和抑制由辅助磁场调整
H
x
磁场垂直于芯片级都没有有效
绝对最大额定值
参数
电源电压ZMY20 / ZMZ20
电源电压ZMY30 / ZMZ30
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
B
V
B
P
合计
T
AMB
T
英镑
12
15
120
-40到+150
-65到+150
单位
V
V
mW
°C
°C
第2页
ZMY20 / 30 ， 20/30 ZMZ
电气特性
（在T
AMB
= 25° C和H的
x
= 3千安/米，除非另有说明）
参数
电桥电阻
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
输出电压范围
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
开路灵敏度
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
输出电压迟滞
失调电压
工作频率
温度COEF网络cient
失调电压
温度COEF网络cient
电桥电阻
温度COEF网络cient
开路灵敏度
V
B
= 5 V
温度COEF网络cient
开路灵敏度
I
B
= 3毫安
符号
R
br
1.2
2.0
V
O
/V
B
16
12
S
3.7
2.0
V
OH
/V
B
V
关闭
/V
B
f
最大
TCV
关闭
TCR
br
TCS
V
-
-1.0
0
-3
-
-
4.7
3.0
-
-
-
-
0.3
-0.4
5.7
4.0
50
+1.0
1
+3
-
-
20
16
24
20
（毫伏/ V）/ （千安/米）没有干扰
场H
d
允许
V/V
mV / V的
兆赫
（μV/ V） / K的
%/K
%/K
T
AMB
=
-25...+125°C
T
AMB
=
-25...+125°C
T
AMB
=
-25...+125°C
TAMB =
-25...+125°C
H
y
≤
2千安/米
1.7
3.0
2.2
4.0
mV / V的
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
k
测试条件
TCS
I
-
-0.1
-
%/K
装置由一个代码上的装置的主体确定
ZMY20 / ZMZ20 ..... M20 ZMY30 / ZMZ30 M30 .....
订货信息：
ZMY20TA ..... 7"盘1000每卷组件
ZMY20TC ..... 13"盘4000每卷组件
ZMY30TA ..... 7"盘1000每卷组件
ZMY30TC ..... 13"盘4000每卷组件
ZMZ20 ...........散货箱（每箱2000组件）
ZMZ30 ...........散货箱（每箱2000组件）
第3页
ZMY20 / 30 ， 20/30 ZMZ
该传感器具有的H的辅助字段离开安全操作区域之后被重置
X
= 3千安/米。
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