【ZMM 1 ... ZMM 100 （ 500毫瓦）表面贴装硅平面齐纳二极管最大功率耗散Maxima】,IC型号ZMM91,ZMM91 PDF资料,ZMM91经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZMM 1 ... ZMM 100 （ 500毫瓦）

表面贴装

硅平面齐纳二极管

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

0.3

±0.1

Silizium -平面齐纳Dioden

献给死去Oberflchenmontage

500毫瓦

1…100 V

SOD-80

DO-213AA

0.05 g

参见第18页

世赫页首18

1.45

标称Z-电压

Nominale Z- Spannung

玻璃柜MiniMELF

Glasgehuse MiniMELF

重量约。 - Gewicht约

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

3.5

TYPE

±0.1

尺寸/集体单位为毫米

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。

其它电压容差和要求较高的齐纳电压。

死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER国际空运- LEN

Reihe街上E 24 （ 5 ％）。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

T

A

= 25

/

C

0.3

±0.1

Grenz- UND Kennwerte

P

合计

T

j

T

S

R

THA

500毫瓦

1

)

– 50...+175

/

C

– 50...+175

/

C

＆ LT ; 300 K / W

1

)

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

1

）安装在交媾板为25mm

2

铜焊盘中的每一个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

2

）测试与脉冲吨

p

= 20毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 20毫秒

3

）的ZMM 1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。

阴极，由蓝色圈表示将要连接到负极。

死在Durchla betriebene硅二极管ZMM 1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数

“F” anstatt “Z”祖setzten 。死第三人以登布劳恩环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。

1

07.01.2003

ZMM 1 ... ZMM 100 （ 500毫瓦）

最大额定值

TYPE

典型值

齐纳电压

1

)

齐纳Spanng 。

1

)

I

Z

= 5毫安

V

ZMIN

[V] V

ZMAX

动态电阻

Inhr 。差异。 Widerstand

r

zj

[

S

]在f = 1千赫

I

Z

= 5毫安

I

Z

= 1毫安

温度。 Coeffiz 。

Z-电压

... DER Z- spanng 。

＆ QUOT ;

VZ

[10

-4

/

C]

Grenzwerte

反向电压。

Sperrspanng 。

I

R

= 100 nA的

V

R

[V]

Z-电流

2

)

Z-斯特罗姆

2

)

T

A

= 25

/

C

I

ZMAX

[马]

ZMM 1

3

)

ZMM 2.4

ZMM 2.7

ZMM 3.0

ZMM 3.3

ZMM 3.6

ZMM 3.9

ZMM 4.3

ZMM 4.7

ZMM 5.1

ZMM 5.6

ZMM 6.2

ZMM 6.8

ZMM 7.5

ZMM 8.2

ZMM 9.1

ZMM 10

ZMM 11

ZMM 12

ZMM 13

ZMM 15

ZMM 16

ZMM 18

ZMM 20

ZMM 22

ZMM 24

ZMM 27

ZMM 30

ZMM 33

ZMM 36

ZMM 39

ZMM 43

ZMM 47

ZMM 51

ZMM 56

ZMM 62

ZMM 68

ZMM 75

ZMM 82

ZMM 91

ZMM 100

0.71

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

94

0.82

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

88

96

106

<8

< 85

< 75

< 60

＆ LT ; 35

＆ LT ; 25

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

<110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 450

＆ LT ; 50

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 5000

-26…-23

-9...-6

-8...-5

-8…-5

-6…-3

-5…+2

-2…+2

-5…+5

+3…+6

+3…+7

+3…+8

+3…+9

+3…+10

+3…+11

+4…+12

+5…+12

–

1 (50

:

A)

1 (10

:

A)

1 (4

:

A)

1 (2

:

A)

1 (2

:

A)

1 (2

:

A)

1 (1

:

A)

1 (0.5

:

A)

1

2

3

5

6

7

8

9

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

400

195

172

156

143

132

122

109

100

93

83

76

69

63

57

52

47

43

39

35

32

29

26

24

21

20

17

16

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

1

）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首

2

ZMM 1 ... ZMM 100 （ 500毫瓦）

击穿特性（典型值），电流脉冲

Abbruchkennlinien （ typische Werte ），神池gepulst

3

4

ZMM 3.9-2 ％ ... ZMM 100-2 ％（ 500毫瓦）

表面贴装

硅平面齐纳二极管

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

0.3

±0.1

Silizium -平面齐纳Dioden

献给死去Oberflchenmontage

500毫瓦

1.45

齐纳电压容差

Toleranz德齐纳Spannung

玻璃柜MiniMELF

Glasgehuse MiniMELF

重量约。 - Gewicht约

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

.

± 2 %

SOD-80

DO-213AA

0.05 g

参见第18页

世赫页首18

3.5

TYPE

±0.1

尺寸/集体单位为毫米

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24标准（约± 5 ％）。

为± 2 ％的公差象ZMM 3.9-2 ％器件... ZMM 100-2 ％是特别选择的。

其它电压容差和齐纳电压的要求。

模具标准- Toleranz DER Z- Spannung IST gestuft NACH DER internationalen Reihe街上E 24 ，（ entspricht

etwa ± 5％）。死了2 ％ -Reihe ZMM 3.9-2 ％ ... ZMM 100-2 ％ IST EINE Sonderselektion 。

企业的其它Toleranzen奥德齐纳Spannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

T

A

= 25

/

C

0.3

±0.1

Grenz- UND Kennwerte

P

合计

T

j

T

S

R

THA

500毫瓦

1

)

– 50...+175

/

C

– 50...+175

/

C

＆ LT ; 300 K / W

1

)

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

）安装在交媾板为25mm

2

铜焊盘中的每一个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

2

）测试与脉冲吨

p

= 20毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 20毫秒

21.02.2003

1

ZMM 3.9-2 ％ ... ZMM 100-2 ％（ 500毫瓦）

最大额定值

TYPE

典型值

齐纳电压

1

)

齐纳Spanng 。

1

)

I

Z

= 5毫安

V

ZMIN

[V] V

ZMAX

3.81

4,20

4,60

4,99

5,48

6,07

6,65

7,34

8,03

8,91

9,79

10,79

11,79

12,68

14,68

15,68

17,58

19,58

21,58

23,48

26,48

29,38

33,2

35,2

38,1

42,0

46,0

49,9

54,8

60,7

66,5

73,4

80,3

89,1

97,9

3,99

4,40

4,80

5,21

5,72

6,33

6,95

7,66

8,37

9,29

10,21

11,21

12,21

13,32

15,32

16,32

18,42

20,42

22,42

24,52

27,52

30,62

33,8

36,8

39,9

44,0

48,0

52,1

57,2

63,3

69,5

76,6

83,7

92,9

102,1

动态电阻

Inhr 。差异。 Widerstand

r

zj

[

S

]在f = 1千赫

I

Z

= 1毫安

I

Z

= 5毫安

< 85

< 75

< 60

＆ LT ; 35

＆ LT ; 25

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

<110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 450

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 5000

温度。 Coeffiz 。

Z-电压

... DER Z- spanng 。

＆ QUOT ;

VZ

[10

-4

/

C]

-8…-5

-6…-3

-5…+2

-2…+2

-5…+5

+3…+6

+3…+7

+3…+8

+3…+9

+3…+10

+3…+11

+4…+12

+5…+12

Grenzwerte

反向电压。

Sperrspanng 。

I

R

= 100 nA的

V

R

[V]

1 (2

:

A)

1 (1

:

A)

1 (0.5

:

A)

1

2

3

5

6

7

8

9

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

Z-电流

2

)

Z-斯特罗姆

2

)

T

A

= 25

/

C

I

ZMAX

[马]

125

114

104

96

87

79

72

65

60

54

49

45

41

38

33

31

27

24

22

20

18

16

15

14

13

11

10

9

8

7

6

5

ZMM 3.9-2 ％

ZMM 4.3-2 ％

ZMM 4.7-2 ％

ZMM 5.1-2 ％

ZMM 5.6-2 ％

ZMM 6.2-2 ％

ZMM 6.8-2 ％

ZMM 7.5-2 ％

ZMM 8.2-2 ％

ZMM 9.1-2 ％

ZMM 10-2 ％

ZMM 11-2 ％

ZMM 12-2 ％

ZMM 13-2 ％

ZMM 15-2 ％

ZMM 16-2 ％

ZMM 18-2 ％

ZMM 20-2 ％

ZMM 22-2 ％

ZMM 24-2 ％

ZMM 27-2 ％

ZMM 30-2 ％

ZMM 33-2 ％

ZMM 36-2 ％

ZMM 39-2 ％

ZMM 43-2 ％

ZMM 47-2 ％

ZMM 51-2 ％

ZMM 56-2 ％

ZMM 62-2 ％

ZMM 68-2 ％

ZMM 75-2 ％

ZMM 82-2 ％

ZMM 91-2 ％

ZMM 100-2 ％

1

）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首

2

F： \\ DATA \\ WP \\ DatBlatt \\ Einzelbltter \\ Sondertypen \\ zmm3.9-100-2 ％ .WPD

ZMM 3.9-2 ％ ... ZMM 100-2 ％（ 500毫瓦）

脉冲热电阻与脉冲宽度

1

)

Impulswrmewiderst 。在ABH 。 v.d. Impulsdauer

1

)

21.02.2003

3

CE

陈毅电子

特点

。在MiniMELF情况下especiaily的自动插入

齐纳电压是根据intermational E24分级

standed 。更小的电压容差和更高的齐纳电压

根据要求

ZMM1 THRU ZMM200

0.5W硅平面齐纳二极管

机械数据

.

案例：

迷你MELF （ SOD- 80 ）玻璃柜

.

重量：

约。 0.05克

绝对最大额定值（极限值）（T

A

=25

符号

齐纳电流见表"Characteristics"

功率消耗在TA = 25

结温

存储温度范围

价值

)

单位

P

合计

T

J

T

英镑

500

175

1)

mW

-55到+175

1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度

电子安全特性（T

A

=25

符号

热阻结到环境

)

民

典型值

最大

300

1)

单位

K / W

R

JA

1 ）有效的条件是，从壳体的距离在8毫米被保持在环境温度下

第1页8

CE

陈毅电子

齐纳电压范围

1)

ZMM1 THRU ZMM200

0.5W硅平面齐纳二极管

ZMM1 THRU ZMM200硅平面齐纳二极管

动态电阻

1)

最大反向漏电流

齐纳电压

TYPE

ZMM1

ZMM2.0

ZMM2.4

ZMM2.7

ZMM3.0

ZMM3.3

ZMM3.6

ZMM3.9

ZMM4.3

ZMM4.7

ZMM5.1

ZMM5.6

ZMM6.2

ZMM6.8

ZMM7.5

ZMM8.2

ZMM9.1

ZMM10

ZMM11

ZMM12

ZMM13

ZMM15

ZMM16

ZMM18

ZMM20

ZMM22

ZMM24

ZMM27

ZMM30

ZMM33

ZMM36

ZMM39

ZMM43

ZMM47

ZMM51

ZMM56

ZMM62

ZMM68

ZMM75

ZMM82

ZMM91

ZMM100

ZMM110

ZMM120

ZMM130

ZMM150

ZMM160

ZMM180

ZMM200

3)

V

ZNOM

v

0.75

2.0

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

3)

I

ZT

mA

V

0.7…0.8

1.9…2.1

2.28…2.56

2.5…2.9

2.8…3.2

3.1…3.5

3.4…3.8

3.7…4.1

4.0…4.6

4.4…5.0

4.8…5.4

5.2…6.0

5.8…6.6

6.4…7.2

7.0…7.9

7.7…8.7

8.5…9.6

9.4…10.6

10.4…11.6

11.4…12.7

12.4…14.1

13.8…15.6

15.3…17.1

16.8…19.1

18.8…21.2

20.8…23.3

22.8…25.6

25.1…28.9

28…32

31…35

34…38

37…41

40…46

44…50

48...54

52…60

58…66

64…72

70…79.

77…87

85…96

94…106

104…116

114…127.

124…141

138…156

153…171

168…191

188…212

<8

r

ZJT

和

r

张家口

at

I

ZK

mA

<50

A

--

<100

<50

<10

<4

<2

<1

<0.5

<550

<450

<200

<150

<50

<70

<90

<110

<170

1

I

R

和

I

R

at

V

R

A

--

<200

<100

<50

2)

TK

VZ

V

--

%/K

-0.26…-0.23

-0.09…-0.06

-0.08…-0.05

-0.06…-0.03

-0.05…+0.05

-0.02…+0.02

-0.05…+0.05

0.03…0.06

0.03…0.07

0.03…0.08

0.03…0.09

0.03…0.1

0.03…0.11

<85

<600

<40

1

5

<75

<60

<35

<25

<10

<8

<7

<10

<15

<20

<26

<30

<40

<50

<55

<20

<10

<2

<220

<80

<0.1

<90

<110

<125

<135

<150

<200

<250

<300

<450

<600

<800

<950

<1250

<1400

<1700

<2000

<500

<600

<700

<5

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

0.04…0.12

2.5

<1000

<1500

<2000

<5000

<5500

<6000

<6500

<7000

<8500

<10000

0.25

<10

1

0.1

0.05…0.12

1 ）测试与时脉TP = 20ms的

2 ）有效的规定，电极保持在amibent温度

3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有的参数的索引应该"F"代替"Z" ，

阴极连接到负极。

第2页8

CE

陈毅电子

ZMM1 THRU ZMM200

0.5W硅平面齐纳二极管

ZMM1 ... ZMM200硅PLANER齐纳二极管

击穿特性AT TJ =常数（脉冲）

第3页8

CE

陈毅电子

ZMM1 THRU ZMM200

0.5W硅平面齐纳二极管

ZMM1 ... ZMM200硅PLANER齐纳二极管

击穿特性AT TJ =常数（脉冲）

受理的功耗

正向特性

随环境温度

第4页8

CE

陈毅电子

ZMM1 THRU ZMM200

0.5W硅平面齐纳二极管

ZMM1 ... ZMM200硅PLANER齐纳二极管

脉冲热电阻与

脉冲持续时间

动态性与

齐纳电流

电容与齐纳

电压

动态性与

齐纳电流

第5页8

ZMM1 THRU ZMM200

硅平面齐纳二极管

特点

硅平面齐纳二极管

在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。该

齐纳电压是根据国际E 24分级

标准。更小的电压容差和更高的齐纳

电压要求。

这些二极管，可以在DO-35的情况下与式

指定ZPD1通ZPD51 。

这些二极管是交付流片。

详情请看??大坪?? 。

重量约。： 0.05克

尺寸

暗淡

A

B

C

英寸

分钟。

0.134

0.055

0.008

马克斯。

0.142

0.059

0.016

分钟。

3.4

1.40

0.2

mm

马克斯。

3.6

1.50

0.4

记

绝对最大额定值

(T

a

=25

)

符号

值

单位

齐纳电流见表"Characteristics"

在T功耗

AMB

=25

结温

存储温度范围

注意：

（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。

P

合计

T

j

T

S

500

1)

mW

175

-55到+175

特征

热阻

结到环境空气

a

t T

AMB

=25

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

R

THA

-

0.3

1)

K /毫瓦

注意：

（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。

1

简è诉 LTA克è RA N G - é

TY P·E

V

ZNOM

V

ZM M 1

3)

1)

YN A M IC重新SISTA CE

2)

V è RS电子乐嘉一克权证④此吨

I

R

A N D I

R

mA

A

-

<100

<50

<10

<4

<2

<1

< 0 0.5

< 0 .1

-

<200

<100

<50

<40

<20

<10

<2

<5

<10

2)

TE M·P 。 Co电子流量系数

F Z简é 武LTA克é

牛逼

VZ

V

-

1

2

3

5

6 .2

6 .8

7 .5

8 .2

9 .1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

11 0

120

130

150

% /K

-0 .2 6 ... -0 .2 3

-0 .0 9 ... -0 .0 6

-0 .0 8 ... -0 .0 5

-0 .0 6 ... -0 .0 3

-0 .0 5 ... + 0 .0 2

-0 .0 2 ... + 0 .0 2

-0 .0 5 ... + 0 .0 5

0 .0 3 ... 0 .0 6

0 .0 3 ... 0 .0 7

0 .0 3 ... 0 .0 8

0 .0 3 ... 0 .0 9

0 .0 3 ... 0 .1

0 .0 3 ... 0 .11

0 .0 4 ... 0 .1 2

0 .0 5 ... 0 .1 2

I

而ZT

FO R诉

而ZT

mA

5

2 .5

1

r

JT

A N ，D R

JK

一个T I

在V

R

V

0 .7 ... 0 .8

1 .9 ... 2 .1

2 .2 8 ... 2 .5 6

2 .5 ... 2 .9

2 .8 ... 3 .2

3 .1 ... 3 .5

3 .4 ... 3 .8

3 .7 ... 4 .1

4 .0 ... 4 .6

4 .4 ... 5 .0

4 .8 ... 5 .4

5 .2 ... 6 .0

5 .8 ... 6 .6

6 .4 ... 7 .2

7 .0 ... 7 .9

7 .7 ... 8 .7

8 .5 ... 9 .6

9 .4 ... 1 0 .6

1 0 .4 ... 11 .6

11 .4 ... 1 2 .7

1 2 .4 ... 1 4 .1

1 3 .8 ... 1 5 .6

1 5 .3 ... 1 7 .1

1 6 .8 ... 1 9 .1

1 8 .8 ... 2 1 .2

2 0 .8 ... 2 3 .3

2 2 .8 ... 2 5 .6

2 5 .1 ... 2 8 .9

2 8 ... 3 2

3 1 ... 3 5

3 4 ... 3 8

3 7 ... 4 1

4 0 ... 4 6

4 4 ... 5 0

4 8 ... 5 4

5 2 ... 6 0

5 8 ... 6 6

6 4 ... 7 2

7 0 ... 7 9

7 7 ... 8 7

8 5 ... 9 6

9 4 ... 1 0 6

1 0 4 ... 11 6

11 4 ... 1 2 7

1 2 4 ... 1 4 1

1 3 8 ... 1 5 6

1 5 3 ... 1 7 1

1 6 8 ... 1 9 1

1 8 8 ... 2 1 2

<8

<85

<75

<60

<35

<25

<10

<8

<7

<10

<15

<20

<26

<30

<40

<50

<55

<80

<90

< 11 0

<125

<135

<150

<200

<250

<300

<450

<600

<800

<950

<1250

<1400

<1700

<2000

<50

<600

<550

<450

<200

<150

<50

<70

<90

< 11 0

<170

<220

<500

<600

<700

<1000

<1500

<2000

<5000

<5500

<6000

<6500

<7000

<8500

<10000

A

0 .7 5

2 .0

2 .4

2 .7

3 .0

3 .3

3 .6

3 .9

4 .3

4 .7

5 .1

5 .6

6 .2

6 .8

7 .5

8 .2

9 .1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

11 0

120

130

150

160

180

200

1

0 .5

0 .2 5

0 .1

Z M M 2 0.0

Z M M 2 0.4

Z M M 2 0.7

Z M M 3 0.0

Z M M 3 0.3

Z M M 3 0.6

Z M M 3 0.9

Z M M 4使用0.3

Z M M 4使用0.7

Z M （M 5） 0.1

Z M （M 5） 0.6

Z M M 6 0.2

Z M M 6 0.8

Z M米7的0.5

Z M米8 0.2

M M 9 .1

ZM米10

Z M M 11

ZM男性12

ZM男性13

ZM男性15

ZM男性16

ZM男性18

ZM M 20

ZM M 22

ZM男性24

ZM男性27例

ZM男性30例

ZM M 33

ZM M 36

ZM M 39

ZM M 43

ZM M 47

ZM M 51

ZM M 56

ZM M 62

ZM M 68

ZM M 75

ZM M 82

ZM M 91

ZM M 100

Z M M 11 0

ZM M 120

ZM M 130

ZM米150

ZM M 160

ZM M 180

ZM米200

注意事项：

（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。

（2）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。

（3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有的参数的索引应该?? F 14而不是?? ?? 。

阴极连接到负极。

2

收视率和特性曲线

3

收视率和特性曲线

4

收视率和特性曲线

5

ZMM 1 ... ZMM200

硅平面齐纳二极管

在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。该

齐纳电压是根据国际E 24分级

标准。更小的电压容差和更高的齐纳

电压要求。

LL-34

这些二极管，可以在DO-35的情况下与式

指定BZX55C ...

绝对最大额定值（T

a

= 25

o

C)

符号

功耗

结温

存储温度范围

1)

价值

500

1)

单位

mW

O

P

合计

T

j

T

S

175

-55到+175

C

O

有效的条件是电极被保持在环境温度

特点在T

AMB

= 25

o

C

符号

热阻

结到环境空气

正向电压

在我

F

= 100毫安

1)

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

0.3

1)

1

单位

K /毫瓦

V

R

THA

V

F

有效的条件是电极被保持在环境温度

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 20/09/2005

ZMM 1 ... ZMM200

齐纳电压范围

1)

TYPE

3)

动态电阻

r

ZJT

<8

<85

<75

<60

<35

<25

<10

<8

<7

<10

<15

<20

<26

<30

<40

<50

<55

<80

<90

<110

<125

<135

<150

<200

<250

<300

<450

<600

<800

<950

<1250

<1400

<1700

<2000

反向漏电流

T

a

=25

o

C

μA

--

<100

<75

<50

<10

<4

<2

<1

<0.5

<0.1

Vznom

V

0.75

2.0

2.2

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

l

ZT

mA

5

2.5

1

为

V

征途2 ）

V

0.7...0.8

1.80...2.15

2.08...2.33

2.28...2.56

2.5...2.9

2.8...3.2

3.1...3.5

3.4...3.8

3.7...4.1

4.0...4.6

4.4...5.0

4.8...5.4

5.2...6.0

5.8...6.6

6.4...7.2

7.0...7.9

7.7...8.7

8.5...9.6

9.4...10.6

10.4...11.6

11.4...12.7

12.4...14.1

13.8...15.6

15.3...17.1

16.8...19.1

18.8...21.2

20.8...23.3

22.8...25.6

25.1...28.9

28...32

31...35

34...38

37...41

40...46

44...50

48...54

52...60

58...66

64...72

70...79

77...87

85...96

94...106

104...116

114...127

124...141

138...156

153...171

168...191

188...212

r

张家口

在我

ZK

mA

<50

<600

<550

<450

<200

<150

<50

<70

<90

<110

<170

<220

<500

<600

<700

<1000

<1500

<2000

<5000

<5500

<6000

<6500

<7000

<8500

<10000

1

0.5

0.25

0.1

T

a

= 125

o

C

μA

--

<200

<160

<100

<50

<40

<20

<10

<2

<5

<10

I

R

在V

R

V

--

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

温度系数

齐纳电压

TKvz

%/K

-0.26...-0.23

-0.09...-0.06

-0.08...-0.05

-0.06...-0.03

-0.05...+0.02

-0.02...+0.02

-0.05...+0.05

0.03...0.06

0.03...0.07

0.03...0.08

0.03...0.09

0.03...0.1

0.03...0.11

0.04...0.12

0.05...0.12

ZMM 1

ZMM 2V0

ZMM 2V2

ZMM 2V4

ZMM 2V7

ZMM 3V0

ZMM 3V3

ZMM 3V6

ZMM 3V9

ZMM 4V3

ZMM 4V7

ZMM 5V1

ZMM 5V6

ZMM 6V2

ZMM 6V8

ZMM 7V5

ZMM 8V2

ZMM 9V1

ZMM 10

ZMM 11

ZMM 12

ZMM 13

ZMM 15

ZMM 16

ZMM 18

ZMM 20

ZMM 22

ZMM 24

ZMM 27

ZMM 30

ZMM 33

ZMM 36

ZMM 39

ZMM 43

ZMM 47

ZMM 51

ZMM 56

ZMM 62

ZMM 68

ZMM 75

ZMM 82

ZMM 91

ZMM 100

ZMM 110

ZMM 120

ZMM 130

ZMM 150

ZMM 160

ZMM 180

ZMM 200

1 ）测试与脉冲吨

p

= 20毫秒。

2）有效的规定，电极被保持在环境温度

3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。连

阴极电极的负极。

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 20/09/2005

ZMM 1 ... ZMM200

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

50

ZMM ...

TJ = 25℃

ZMM 1

o

ZMM 2.7

ZMM 3.9

ZMM 3.3

ZMM 4.7

ZMM 6.8

Iz

40

ZMM 8.2

ZMM 5.6

30

20

10

测试电流IZ

5mA

0

1

2

3

4

5

6

Vz

7

8

9

10 V

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

30

ZMM ...

ZMM 10

ZMM 12

Tj=25

o

C

Iz

ZMM 15

20

ZMM 18

ZMM 22

ZMM 27

ZMM 33

ZMM 36

10

测试电流IZ

5mA

0

10

20

Vz

30

40 V

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 20/09/2005

ZMM 1 ... ZMM200

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

10

ZMM 51

ZMM ...

Tj=25

o

C

ZMM 39

Iz

8

ZMM 43

测试电流IZ

5mA

6

ZMM 47

4

2

0

10

20

30

40

50

60

Vz

70

80

90

100 V

正向特性

受理的功耗

随环境温度

有效的规定，电极保持

在环境温度下。

mA

10

3

ZMM ...

mW

500

ZMM ...

10

2

i

F

10

TJ = 100℃

1

TJ = 25℃

10

-1

o

P

合计

400

300

10

-2

200

10

-3

100

10

-4

10

-5

0

0.2

0.4

0.6

V

F

0.8

1V

0

100

200

o

C

T

AMB

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 20/09/2005

ZMM 1 ... ZMM200

脉冲热电阻

与脉冲持续时间

有效的条件是，电极保持

在环境温度下。

K / W

10

3

7

5

4

3

2

4

动态电阻

与齐纳电流

ZMM ...

1000

T

j

=25 C

o

r

THA

r

zj

3

0.5

100

0.2

5

4

10

7

5

4

3

0.1

0.05

3

2

0.02

0.01

V=0

10

7

5

4

3

2

10

ZMM1

5

4

2.7

3.6

4.7

t

p

t

p

V=

T

P

I

3

2

5.1

ZMM5.6

0.1

2

5

T

1

10

-5

10

-4

1

10 S

1

2

5

10

-3

10

-2

10

t

p

-1

10

2

5

100mA

Iz

电容与

齐纳电压

动态电阻

与齐纳电流

ZMM ...

pF

1000

7

5

ZMM ...

T

j

=25 C

o

100

T

j

=25 C

5

o

r

zj

V

R

=1V

4

3

C

合计

4

3

33

2

V

R

=2V

2

27

22

18

15

12

10

100

7

5

4

3

V

R

=1V

5

4

3

V

R

=2V

10

2

6.8/8.2

2

ZMM6.2

1

0.1

1

2

3

4 5

2

5

10

2

3

4 5

1

2

5

10

2

5

100mA

100V

Iz

在VZ IZ = 5毫安

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 20/09/2005

ZMM 1 ... ZMM200

硅平面齐纳二极管

在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。该

齐纳电压是根据国际E 24分级

标准。更小的电压容差和更高的齐纳

电压要求。

LL-34

这些二极管，可以在DO-35的情况下与式

指定BZX55C ...

绝对最大额定值（T

a

= 25

o

C)

符号

功耗

结温

存储温度范围

1)

价值

500

1)

单位

mW

O

P

合计

T

j

T

S

175

-55到+175

C

O

有效的条件是电极被保持在环境温度

特点在T

AMB

= 25

o

C

符号

热阻

结到环境空气

正向电压

在我

F

= 100毫安

1)

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

0.3

1)

1

单位

K /毫瓦

V

R

THA

V

F

有效的条件是电极被保持在环境温度

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

ZMM 1 ... ZMM200

齐纳电压范围

1)

TYPE

3)

动态电阻

r

ZJT

<8

<85

<75

<60

<35

<25

<10

<8

<7

<10

<15

<20

<26

<30

<40

<50

<55

<80

<90

<110

<125

<135

<150

<200

<250

<300

<450

<600

<800

<950

<1250

<1400

<1700

<2000

反向漏电流

T

a

=25

o

C

μA

--

<100

<75

<50

<10

<4

<2

<1

<0.5

<0.1

Vznom

V

0.75

2.0

2.2

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

l

ZT

mA

5

2.5

1

为

V

征途2 ）

V

0.7...0.8

1.80...2.15

2.08...2.33

2.28...2.56

2.5...2.9

2.8...3.2

3.1...3.5

3.4...3.8

3.7...4.1

4.0...4.6

4.4...5.0

4.8...5.4

5.2...6.0

5.8...6.6

6.4...7.2

7.0...7.9

7.7...8.7

8.5...9.6

9.4...10.6

10.4...11.6

11.4...12.7

12.4...14.1

13.8...15.6

15.3...17.1

16.8...19.1

18.8...21.2

20.8...23.3

22.8...25.6

25.1...28.9

28...32

31...35

34...38

37...41

40...46

44...50

48...54

52...60

58...66

64...72

70...79

77...87

85...96

94...106

104...116

114...127

124...141

138...156

153...171

168...191

188...212

r

张家口

在我

ZK

mA

<50

<600

<550

<450

<200

<150

<50

<70

<90

<110

<170

<220

<500

<600

<700

<1000

<1500

<2000

<5000

<5500

<6000

<6500

<7000

<8500

<10000

1

0.5

0.25

0.1

T

a

= 125

o

C

μA

--

<200

<160

<100

<50

<40

<20

<10

<2

<5

<10

I

R

在V

R

V

--

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

温度系数

齐纳电压

TKvz

%/K

-0.26...-0.23

-0.09...-0.06

-0.08...-0.05

-0.06...-0.03

-0.05...+0.02

-0.02...+0.02

-0.05...+0.05

0.03...0.06

0.03...0.07

0.03...0.08

0.03...0.09

0.03...0.1

0.03...0.11

0.04...0.12

0.05...0.12

ZMM 1

ZMM 2V0

ZMM 2V2

ZMM 2V4

ZMM 2V7

ZMM 3V0

ZMM 3V3

ZMM 3V6

ZMM 3V9

ZMM 4V3

ZMM 4V7

ZMM 5V1

ZMM 5V6

ZMM 6V2

ZMM 6V8

ZMM 7V5

ZMM 8V2

ZMM 9V1

ZMM 10

ZMM 11

ZMM 12

ZMM 13

ZMM 15

ZMM 16

ZMM 18

ZMM 20

ZMM 22

ZMM 24

ZMM 27

ZMM 30

ZMM 33

ZMM 36

ZMM 39

ZMM 43

ZMM 47

ZMM 51

ZMM 56

ZMM 62

ZMM 68

ZMM 75

ZMM 82

ZMM 91

ZMM 100

ZMM 110

ZMM 120

ZMM 130

ZMM 150

ZMM 160

ZMM 180

ZMM 200

1 ）测试与脉冲吨

p

= 20毫秒。

2）有效的规定，电极被保持在环境温度

3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。连

阴极电极的负极。

２

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

ZMM 1 ... ZMM200

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

50

ZMM ...

TJ = 25℃

ZMM 1

o

ZMM 2.7

ZMM 3.9

ZMM 3.3

ZMM 4.7

ZMM 6.8

Iz

40

ZMM 8.2

ZMM 5.6

30

20

10

测试电流IZ

5mA

0

1

2

3

4

5

6

Vz

7

8

9

10 V

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

30

ZMM ...

ZMM 10

ZMM 12

Tj=25

o

C

Iz

ZMM 15

20

ZMM 18

ZMM 22

ZMM 27

ZMM 33

ZMM 36

10

测试电流IZ

5mA

0

10

20

Vz

30

40 V

３

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

ZMM 1 ... ZMM200

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

10

ZMM 51

ZMM ...

Tj=25

o

C

ZMM 39

Iz

8

ZMM 43

测试电流IZ

5mA

6

ZMM 47

4

2

0

10

20

30

40

50

60

Vz

70

80

90

100 V

正向特性

受理的功耗

随环境温度

有效的规定，电极保持

在环境温度下。

mA

10

3

ZMM ...

mW

500

ZMM ...

10

2

i

F

10

TJ = 100℃

1

TJ = 25℃

10

-1

o

P

合计

400

300

10

-2

200

10

-3

100

10

-4

10

-5

0

0.2

0.4

0.6

V

F

0.8

1V

0

100

200

o

C

T

AMB

４

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

ZMM 1 ... ZMM200

脉冲热电阻

与脉冲持续时间

有效的条件是，电极保持

在环境温度下。

K / W

10

3

7

5

4

3

2

4

动态电阻

与齐纳电流

ZMM ...

1000

T

j

=25 C

o

r

THA

r

zj

3

0.5

100

0.2

5

4

10

7

5

4

3

0.1

0.05

3

2

0.02

0.01

V=0

10

7

5

4

3

2

10

ZMM1

5

4

2.7

3.6

4.7

t

p

t

p

V=

T

P

I

3

2

5.1

ZMM5.6

0.1

2

5

T

1

10

-5

10

-4

1

10 S

1

2

5

10

-3

10

-2

10

t

p

-1

10

2

5

100mA

Iz

电容与

齐纳电压

动态电阻

与齐纳电流

ZMM ...

pF

1000

7

5

ZMM ...

T

j

=25 C

o

100

T

j

=25 C

5

o

r

zj

V

R

=1V

4

3

C

合计

4

3

33

2

V

R

=2V

2

27

22

18

15

12

10

100

7

5

4

3

V

R

=1V

5

4

3

V

R

=2V

10

2

6.8/8.2

2

ZMM6.2

1

0.1

1

2

3

4 5

2

5

10

2

3

4 5

1

2

5

10

2

5

100mA

100V

Iz

在VZ IZ = 5毫安

５

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

ZMM1通ZMM 200

00

表面贴装齐纳二极管

DO - 213AA / MINI MELF

可焊ENDS

D1= 0.066(1.676)

0.060(1.524)

阴极带

D2

0.022(0.559)

0.016(0.406)

0.145(3.683)

0.131(3.327)

D2=D1 +0

-0.008(0.20)

尺寸以英寸（毫米）

特点

·硅

平面齐纳二极管

在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。该

齐纳电压是根据国际E 24分级

标准。更小的电压容差和更高的齐纳

电压要求。

这些

二极管，可以在DO-35的情况下与式

指定ZPD1通ZPD51 。

这些

二极管交付流片。

详情请看.Taping ..

Weight

约。： 0.05克

高温焊接： 260

O

C / 10秒码头

无铅产品，在可供选择：以上符合ROHS 99 ％锡

环境物质指令的要求

机械数据

案例MINI MELF模制玻璃（ SOD- 80 ）

重量约.0.05g

最大额定值和电气特性

绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

齐纳电流见表"Characteristics"

功耗在环境温度Tamb = 25 ℃

结温

存储温度范围

注意：

（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。

P合计

Tj

TS

500 1)

175

-55到+175

mW

℃

值

单位

特点在环境温度Tamb = 25 ℃

符号

热阻

结到环境空气

注意：

（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。

RthA

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

0.3 1)

单位

K /毫瓦

www.paceleader.tw

1

ZMM1通ZMM 200

00

表面贴装齐纳二极管

温度。

齐纳电压范围1 ）

TYPE

Vznom

V

ZMM1V3

ZMM2V0

ZMM2V4

ZMM2V7

ZMM3V0

ZMM3V3

ZMM3V6

ZMM3V9

ZMM4V3

ZMM4V7

ZMM5V1

ZMM5V6

ZMM6V2

ZMM6V8

ZMM7V5

ZMM8V2

ZMM9V1

ZMM10

ZMM11

ZMM12

ZMM13

ZMM15

ZMM16

ZMM18

ZMM20

ZMM22

ZMM24

ZMM27

ZMM30

ZMM33

ZMM36

ZMM39

ZMM43

ZMM47

ZMM51

ZMM56

ZMM62

ZMM68

ZMM75

ZMM82

ZMM91

ZMM100

ZMM110

ZMM120

ZMM130

ZMM150

ZMM160

ZMM180

ZMM200

注意事项：

（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。

（2）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。

（3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有的参数的索引应该.F 。 ..而不是.Z

阴极连接到负极。

0.75

2.0

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

IZT FO VZT 2 ）

mA

5

2.5

1

V

0.7 … 0.8

1.9 … 2.1

2.28 ... 2.56

2.5 … 2.9

2.8 … 3.2

3.1 … 3.5

3.4 … 3.8

3.7 … 4.1

4.0 … 4.6

4.4 … 5.0

4.8 … 5.4

5.2 … 6.0

5.8 …6.6

6.4 … 7.2

7.0 … 7.9

7.7 … 8.7

8.5 … 9.6

9.4 … 10.6

10.4 … 11.6

11.4 … 12.7

12.4 … 14.1

13.8 … 15.6

15.3 … 17.1

16.8 … 19.1

18.8 … 21.2

20.8 … 23.3

22.8 … 25.6

25.1 … 28.9

28 … 32

31 … 35

34 … 38

37 … 41

40 … 46

44 … 50

48 … 54

52 … 60

58 … 66

64 … 72

70 … 79

77 … 87

85 … 96

94 … 106

104 … 116

114 … 127

124 … 141

138 … 156

153 … 171

168 … 191

188 … 212

Ω

<8

<85

<75

<60

<35

<25

<10

<8

<7

<10

<15

<20

<26

<30

<40

<50

<55

<80

<90

<110

<125

<135

<150

<200

<250

<300

<450

<600

<800

<950

<1250

<1400

<1700

<2000

rzjT和rzjk在IZK

Ω

<50

<600

<550

<450

<200

<150

<50

<70

<90

<110

<170

<220

<500

<600

<700

<1000

<1500

<2000

<5000

<5500

<6000

<6500

<7000

<8500

<10000

mA

1

0.5

0.25

0.1

μA

-

<100

<50

<10

<4

<2

<1

<0.5

<0.1

I和I 2）在V

μA

-

<200

<100

<50

<40

<20

<10

<2

<5

<10

V

-

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

动态电阻

反向漏电流

系数

齐纳电压

TKvz

%/K

-0.26 … -0.23

-0.09 … -0.06

-0.08 … -0.05

-0.06 … -0.03

-0.05 … +0.02

-0.02 … +0.02

-0.05 … +0.05

0.03 … 0.06

0.03 … 0.07

0.03 … 0.08

0.03 … 0.09

0.03 … 0.1

0.03 … 0.11

0.04 … 0.12

0.05 … 0.12

www.paceleader.tw

2

ZMM1通ZMM 200

00

表面贴装齐纳二极管

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

50

ZMM ...

Tj=25

o

C

ZMM 1

ZMM 2.7

ZMM 3.9

ZMM 3.3

ZMM 4.7

ZMM 6.8

Iz

40

ZMM 8.2

ZMM 5.6

30

20

图。 1 POWEDE

R

ATINGCU

RVE

10

测试电流IZ

5mA

0

1

2

3

4

5

6

Vz

7

8

9

10 V

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

30

ZMM ...

ZMM 10

ZMM 12

Tj=25

o

C

Iz

ZMM 15

20

ZMM 18

ZMM 22

10

测试电流IZ

5mA

ZMM 27

ZMM 33

ZMM 36

0

10

20

Vz

30

40 V

www.paceleader.tw

3

ZMM1通ZMM 200

00

表面贴装齐纳二极管

击穿特性

T

j

=常数（脉冲）

mA

10

ZMM 39

Iz

8

ZMM 43

测试电流IZ

5mA

ZMM 47

ZMM 51

ZMM ...

Tj=25

o

C

6

4

2

0

10

20

30

40

50

60

Vz

70

80

90

100 V

正向特性

受理的功耗

随环境温度

有效的规定，电极保持

在环境温度下。

mA

10

3

ZMM ...

mW

500

ZMM ...

10

2

i

F

10

TJ = 100℃

1

TJ = 25℃

10

-1

o

P

合计

400

300

10

-2

200

10

-3

100

-4

10

-5

0

0.2

0.4

0.6

V

F

0.8

1V

0

100

T

AMB

200

o

C

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4

ZMM1通ZMM 200

00

表面贴装齐纳二极管

脉冲热电阻

与脉冲持续时间

有效的条件是，电极保持

在环境温度下。

K / W

10

3

7

5

4

3

2

4

动态电阻

与齐纳电流

ZMM ...

1000

ZMM ...

T

j

=25 C

o

r

THA

r

zj

3

2

0.5

100

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

V=0

5

2

5

4

3

10

7

5

4

3

2

10

7

5

4

3

2

10

ZMM1

4

2.7

3.6

4.7

t

p

V=

t

p

T

P

I

3

2

5.1

ZMM5.6

0.1

2

5

1

10

-5

10

T

-4

1

10 S

1

2

5

10

-3

10

-2

10

t

p

-1

10

2

5

100mA

Iz

电容与

齐纳电压

100

o

动态电阻

与齐纳电流

ZMM ...

T

j

=25 C

o

pF

1000

7

5

ZMM ...

T

j

=25 C

5

r

zj

V

R

=1V

V

R

=2V

4

3

C

合计

4

3

33

27

22

18

15

12

2

10

100

7

5

4

3

V

R

=1V

5

4

3

V

R

=2V

10

2

6.8/8.2

2

ZMM6.2

1

0.1

1

2

3

4 5

2

5

10

2

3

4 5

1

2

5

10

2

5

100mA

100V

Iz

在VZ IZ = 5毫安

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