ZM- PTZ3V6B ZM- PTZ36B
硅外延平面齐纳二极管
LL-41
特点
小型表面安装型
尽管紧凑的尺寸可以得到功率为1W
高浪涌承受的水平
应用
电压调节和电压限制
电压浪涌吸收
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
1)
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1
150
- 55至+ 150
单位
W
O
C
C
O
其他功率元件的安装密度应铺设图案时予以考虑。
齐纳电压范围
TYPE
ZM-PTZ3V6B
ZM-PTZ3V9B
ZM-PTZ4V3B
ZM-PTZ4V7B
ZM-PTZ5V1B
ZM-PTZ5V6B
ZM-PTZ6V2B
ZM-PTZ6V8B
ZM-PTZ7V5B
ZM-PTZ8V2B
ZM-PTZ9V1B
ZM-PTZ10B
ZM-PTZ11B
ZM-PTZ12B
ZM-PTZ13B
ZM-PTZ15B
ZM-PTZ16B
ZM-PTZ18B
ZM-PTZ20B
ZM-PTZ22B
ZM-PTZ24B
ZM-PTZ27B
ZM-PTZ30B
ZM-PTZ33B
ZM-PTZ36B
分钟。
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.3
14.7
16.2
18
20
22
24
27
30
33
36
Vz的（V）的
马克斯。
4
4.4
4.8
5.2
5.7
6.3
7
7.7
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.5
15
16.5
18.3
20.3
22.4
24.5
27.6
30.8
34
37
40
I
Z
（MA ）
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
经营性
Zz ()
马克斯。
15
15
15
10
8
8
6
6
4
4
6
6
8
8
10
10
12
12
14
14
16
16
18
18
20
I
Z
（MA ）
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
马克斯。
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
反向电流
I
R
（ UA）
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
操作电阻（Z
Z
, Z
ZK
）由叠加一分钟交流电的调节电流测量
（ IZ ） 。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2006年7月5日
ZM- PTZ3V6B ZM- PTZ36B
降额曲线
1200
玻璃环氧基板
32x30x1.6(mm)
200
上涨的表面温度
氧化铝基板
114X124X1.6(mm)
200
上涨的表面温度
功耗
（ mW）的
上升
二极管的表面
温度
( C)
1.5W
上升
二极管的表面
温度
( C)
1.5W
1W
800
陶瓷基板
82x30x1.0(mm)
100
1W
100
0.5W
400
个别零件
（未安装）
0.5W
0
50
87.5 100
150
200
1
10
100
0
1
玻璃环氧基板
144X220X1.6(mm)
10
100
0
T
a
( C)
安装数量（个/板）
安装数量（个/板）
0.10
齐纳电压 - 温度。
系数特性
Iz=20mA
Iz=40mA
齐纳电压特性
100m
4.3 4.7 5.1
10m
3.9
3.6
5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10
12
11
13
15 16
18
20
22
温度系数（ ％/℃）
0.08
24
27
30
33
36
0.04
齐纳电流，
(A)
125-25 C
0
1m
0
100
-0.04
10
-0.08
10
20
30
40
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
齐纳电压（V）
齐纳电压（V）
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2006年7月5日
ZM- PTZ3.6B ZM- PTZ36B
硅外延平面齐纳二极管
特点
1 ）小型表面安装型
2 ）功率1W ，尽管可以紧凑地获得
3 ）高浪涌承受的水平
应用
1 ）电压调节和电压限制
2 ）电压浪涌吸收
LL-41
绝对最大额定值（T
a
= 25
o
C)
符号
功耗
1)
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
价值
1
150
-55到+150
单位
W
O
O
C
C
1 ）安装其他功率元件的密度应铺设图案时予以考虑。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（蜂蜜科技有限公司的全资子公司）
日期： 2003年5月11日
ZM- PTZ3.6B ZM- PTZ36B
齐纳电压范围
TYPE
分钟。
ZM-PTZ3.6B
ZM-PTZ3.9B
ZM-PTZ4.3B
ZM-PTZ4.7B
ZM-PTZ5.1B
ZM-PTZ5.6B
ZM-PTZ6.2B
ZM-PTZ6.8B
ZM-PTZ7.5B
ZM-PTZ8.2B
ZM-PTZ9.1B
ZM-PTZ10B
ZM-PTZ11B
ZM-PTZ12B
ZM-PTZ13B
ZM-PTZ15B
ZM-PTZ16B
ZM-PTZ18B
ZM-PTZ20B
ZM-PTZ22B
ZM-PTZ24B
ZM-PTZ27B
ZM-PTZ30B
ZM-PTZ33B
ZM-PTZ36B
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.3
14.7
16.2
18
20
22
24
27
30
33
36
经营性
Zz ()
I
Z
（MA ）
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
反向电流
I
R
（ UA）
马克斯。
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
Vz的（V）的
马克斯。
4
4.4
4.8
5.2
5.7
6.3
7
7.7
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.5
15
16.5
18.3
20.3
22.4
24.5
27.6
30.8
34
37
40
I
Z
（MA ）
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
马克斯。
15
15
15
10
8
8
6
6
4
4
6
6
8
8
10
10
12
12
14
14
16
16
18
18
20
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
1）齐纳电压被测量为40ms接通电源之后。
2)
操作电阻（Z
Z
, Z
ZK
）由叠加一分钟交流电的测量稳压
电流（ IZ ） 。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（蜂蜜科技有限公司的全资子公司）
日期： 2003年5月11日
ZM- PTZ3.6B ZM- PTZ36B
降额曲线
1200
玻璃环氧基板
32x30x1.6(mm)
200
上涨的表面温度
氧化铝基板
114X124X1.6(mm)
200
上涨的表面温度
功耗
（ mW）的
上升
二极管的表面
温度
( C)
1.5W
上升
二极管的表面
温度
( C)
1.5W
1W
800
陶瓷基板
82x30x1.0(mm)
100
1W
100
0.5W
400
个别零件
（未安装）
0.5W
0
50
87.5 100
150
200
1
10
100
0
1
玻璃环氧基板
144X220X1.6(mm)
10
100
0
T
a
( C)
安装数量（个/板）
安装数量（个/板）
0.10
齐纳电压 - 温度。
系数特性
Iz=20mA
Iz=40mA
齐纳电压特性
100m
4.3 4.7 5.1
10m
3.9
3.6
5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10
12
11
13
15
16
18
20
22
温度系数（ ％/℃）
0.08
24
27
30
33
36
0.04
齐纳电流，
(A)
125-25 C
0
1m
0
100
-0.04
10
-0.08
10
20
30
40
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
齐纳电压（V）
齐纳电压（V）
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（蜂蜜科技有限公司的全资子公司）
日期： 2003年5月11日
QQ：2880707522 复制
