ZLLS500
硅40V高电流低泄漏电流的肖特基二极管
摘要
肖特基二极管V
R
= 40V ;我
F
= 0.7A ;我
R
= 10 A
描述
这种紧凑的SOT23封装的肖特基二极管为用户提供了卓越的性能
组合包括高电流操作，泄漏非常低和低
正向电压，确保适合于要求在高效运行的应用程序
较高的温度（高于85℃ ），请参阅第4页上的运行效率图。
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB板面积节省
特点
·
超低漏电（ 10 A @ 30V ）
·
高电流能力（我
F
= 0.7A)
·
低V
F
，快速开关肖特基
·
SOT23封装
·
ZLLS500补充低温相当于ZHCS500
·
封装额定热至150℃
应用
·
直流 - 直流转换器
·
频闪灯
·
手机
·
充电电路
·
电机控制
订购信息
设备
REEL
（英寸）
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
ZLLS500TA 7
ZLLS500TC
13
器件标识
L05
顶视图
第1期 - 2002年1月
1
ZLLS500
绝对最大额定值。
参数
肖特基二极管
连续反向电压
正向电流
重复峰值正向电流
矩形脉冲的占空比
不重复正向电流
包
在T功耗
AMB
=25 C
单芯片不断
在t<5秒测得的单芯片
存储温度范围
结温
T
英镑
Tj
符号
价值
单位
V
R
I
F
I
FPK
T = 100秒
T≤ 10毫秒
I
FSM
40
0.7
1.14
13
3.2
V
A
A
A
A
P
D
500
630
-55到+150
150
mW
mW
C
C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
R
JA
JA
价值
250
198
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t<5secs测量FR4 PCB 。
第1期 - 2002年1月
2
ZLLS500
电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明） 。
肖特基二极管特性
反向击穿电压
正向电压
V
（ BR ）R
V
F
40
310
350
425
520
610
690
860
494
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
R
C
D
t
rr
Q
rr
5.5
370
15.5
2.46
1.38
10
350
400
520
610
850
1000
1300
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
ns
nC
I
R
=500A
I
F
= 50毫安*
I
F
= 100毫安*
I
F
=250mA*
I
F
=400mA*
I
F
=750mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
= 500毫安* ，TA = 100℃
V
R
=30V
V
R
= 30V ，TA = 85℃
f=1MHz,VR=30V
从我切换
F
= 500毫安
到V
R
= 5V 。测量@我
R
50mA.
迪/ D吨> 1A / ns的。
RSOURCE = 6欧姆。
*脉冲条件下进行测定。
运营效率图
运营效率图表显示在应用程序需要的有益利用ZLLS系列二极管
更高的电压，更高的温度下操作。需要低压低温操作电路
使用Zetex的低V获益
F
ZHCS系列二极管。
第1期 - 2002年1月
4
ZLLS500
硅40V高电流低泄漏电流的肖特基二极管
摘要
肖特基二极管V
R
= 40V ;我
F
= 0.7A ;我
R
= 10 A
描述
这种紧凑的SOT23封装的肖特基二极管为用户提供了卓越的性能
组合包括高电流操作，极低的漏电流和低正向
电压确保适合于要求高效运行在更高的应用程序
高温（高于85℃ ），请参阅第4页上的运营效率图。
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB板面积节省
特点
超低漏电（ 10 A @ 30V ）
高电流能力（我
F
= 0.7A)
低V
F
，快速开关肖特基
SOT23封装
ZLLS500补充低温相当于ZHCS500
封装额定热至150℃
应用
直流 - 直流转换器
频闪灯
手机
充电电路
电机控制
订购信息
设备
REEL
（英寸）
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
ZLLS500TA 7
ZLLS500TC 13
器件标识
L05
顶视图
第3期 - 2006年5月
1
半导体
ZLLS500
绝对最大额定值
参数
肖特基二极管
连续反向电压
正向电流
重复峰值正向电流
矩形脉冲的占空比
不重复正向电流
包
在T功耗
AMB
=25 C
单芯片不断
在t<5秒测得的单芯片
存储温度范围
结温
T
英镑
Tj
符号
价值
单位
V
R
I
F
I
FPK
T = 100秒
T≤ 10毫秒
I
FSM
40
0.7
1.14
13
3.2
V
A
A
A
A
P
D
500
630
-55到+150
150
mW
mW
C
C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
R
JA
JA
价值
250
198
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t<5secs测量FR4 PCB 。
第3期 - 2006年5月
半导体
2
ZLLS500
电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
肖特基二极管特性
参数
反向击穿电压
正向电压
符号最小值。
V
（ BR ）R
V
F
40
305
335
395
465
550
620
710
415
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
R
C
D
t
rr
Q
rr
6
370
16
3
210
10
360
390
450
530
630
710
800
典型值。
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
ns
pC
条件
I
R
=200A
I
F
= 50毫安*
I
F
= 100毫安*
I
F
=250mA*
I
F
=500mA*
I
F
=750mA*
I
F
=1A*
I
F
=1.5A*
I
F
= 500毫安* ，TA = 100℃
V
R
=30V
V
R
= 30V ，TA = 85℃
f=1MHz,V
R
=30V
从切换
I
F
= 500mA至V
R
= 5.5V
测量@我
R
50mA.
迪/ D T = 500毫安/纳秒。
RSOURCE = 6 ; R负载= 10
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%.
运营效率图
运营效率图表显示在应用程序需要的有益利用ZLLS系列二极管
更高的电压，更高的温度下操作。需要低压低温操作电路
使用Zetex的低V获益
F
ZHCS系列二极管。
第3期 - 2006年5月
半导体
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ZLLS500
硅40V高电流低泄漏电流的肖特基二极管
摘要
肖特基二极管V
R
= 40V ;我
F
= 0.7A ;我
R
= 10 A
描述
这种紧凑的SOT23封装的肖特基二极管为用户提供了卓越的性能
组合包括高电流操作，极低的漏电流和低正向
电压确保适合于要求高效运行在更高的应用程序
高温（高于85℃ ），请参阅第4页上的运营效率图。
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB板面积节省
特点
超低漏电（ 10 A @ 30V ）
高电流能力（我
F
= 0.7A)
低V
F
，快速开关肖特基
SOT23封装
ZLLS500补充低温相当于ZHCS500
封装额定热至150℃
应用
直流 - 直流转换器
频闪灯
手机
充电电路
电机控制
订购信息
设备
REEL
（英寸）
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
ZLLS500TA 7
ZLLS500TC 13
器件标识
L05
顶视图
第3期 - 2006年5月
1
半导体
ZLLS500
绝对最大额定值
参数
肖特基二极管
连续反向电压
正向电流
重复峰值正向电流
矩形脉冲的占空比
不重复正向电流
包
在T功耗
AMB
=25 C
单芯片不断
在t<5秒测得的单芯片
存储温度范围
结温
T
英镑
Tj
符号
价值
单位
V
R
I
F
I
FPK
T = 100秒
T≤ 10毫秒
I
FSM
40
0.7
1.14
13
3.2
V
A
A
A
A
P
D
500
630
-55到+150
150
mW
mW
C
C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
R
JA
JA
价值
250
198
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t<5secs测量FR4 PCB 。
第3期 - 2006年5月
半导体
2
ZLLS500
电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
肖特基二极管特性
参数
反向击穿电压
正向电压
符号最小值。
V
（ BR ）R
V
F
40
305
335
395
465
550
620
710
415
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
R
C
D
t
rr
Q
rr
6
370
16
3
210
10
360
390
450
530
630
710
800
典型值。
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
ns
pC
条件
I
R
=200A
I
F
= 50毫安*
I
F
= 100毫安*
I
F
=250mA*
I
F
=500mA*
I
F
=750mA*
I
F
=1A*
I
F
=1.5A*
I
F
= 500毫安* ，TA = 100℃
V
R
=30V
V
R
= 30V ，TA = 85℃
f=1MHz,V
R
=30V
从切换
I
F
= 500mA至V
R
= 5.5V
测量@我
R
50mA.
迪/ D T = 500毫安/纳秒。
RSOURCE = 6 ; R负载= 10
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%.
运营效率图
运营效率图表显示在应用程序需要的有益利用ZLLS系列二极管
更高的电压，更高的温度下操作。需要低压低温操作电路
使用Zetex的低V获益
F
ZHCS系列二极管。
第3期 - 2006年5月
半导体
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