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ZXSC310
LED驱动器解决方案为LCD背光
设备描述
该ZXSC310是一个单层或多层细胞LED驱动
专为LCD背光照明应用。输入
该装置的电压范围是0.8V和8V之间。
这意味着ZXSC310是用单个兼容
镍氢电池，镍镉或碱性电池，以及多小区或
锂离子电池。
该器件具有关断控制，造成了
待机电流小于5μA ，并能够输出
驾驶串行或并行的LED 。该电路产生
恒功率输出，这是理想的驾驶
单个或多个LED灯在很宽的范围内操作
电压。这些特性使该器件非常适用
驱动LED的特别是在LCD背光应用
用于数码相机和PDA的。
该ZXSC310是一个PFM DC-DC控制器IC ，驱动
具有非常低的外部Zetex的开关晶体管
饱和性。这些晶体管是最好的
切换为这种类型的转换可用的设备
实现低投入高效率转换
电压。该ZXSC310 LED驱动器的驱动器输出
生成一个动态驱动信号的开关
晶体管。
该电路可以在满载情况下启动并操作
下降到0.8伏的输入电压。该解决方案
配置可确保最佳效率在较宽的
负载电流范围内;几个电路配置
可能取决于电池寿命与
亮度方面的考虑。
该ZXSC310提供的SOT23-5封装其中，
当与SOT23封装开关晶体管相结合，
产生一个高效率的小尺寸电路的解决方案。
该IC和分立组合提供了终极
成本VS的LED背光性能的解决方案
应用程序。
特点
·
94 ％的效率
·
最小工作输入电压0.8V
·
最大工作输入电压8V
·
待机电流小于5μA
·
可编程输出电流
·
串联或并联的LED配置
·
低饱和电压开关晶体管
·
SOT23-5封装
典型应用电路
应用
·
LCD背光：
数字静态照相机
PDA
手机
·
LED手电筒和火把
·
白光LED驱动
·
多个LED驱动
V
IN
= 3.3V / 5V
V
CC
V
DRIVE
S
TDN
I
SENSE
GND
订购信息
设备
REEL
SIZE
ZXSC310E5
180mm
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000
设备标志
·
C310
暂定发行A - 2001年9月
1
ZXSC310
绝对最大额定值：
电源电压
最大电压其他引脚
功耗
工作温度
储存温度
电气特性：
-0.3 10V
-0.3到V
CC
+0.3V
450mW
-40到85°C
-55到125°C
试验条件除非另有说明： V
CC
= 1.5V ，T
AMB
=25 C
符号
参数
效率
V
CC
V
CC（分钟）
1
条件
民
典型值
最大
94
单位
%
V
V
推荐供应
电压范围
最小启动和
工作电压
静态电流
2
基极驱动电流
电源电流
3
0.8
I
DRIVE
=-600A
,
V
DRIVE
=0.7V
I
DRIVE
= -600μA ，V
DRIVE
=0.7V,
T
AMB
=-10°C3
V
EN =
V
CC
（启用）
V
EN =
0V （待机）
V
DRIVE
= 0.7V, V
ISENSE
= 0V
V
DRIVE
= 0.7V, V
ISENSE
= 0V
V
ISENSE
= 0V时，我
VDRIVE
=-0.5mA
V
ISENSE
= 50mV的，我
VDRIVE
= 5毫安
1.5
2
0.8
0.9
0.2
4
8
0.92
I
Q
I
VDRIVE
I
CC
V
VDRIVE （高）
V
VDRIVE （低）
V
EN （高）
V
EN （ LOW ）
I
EN
V
ISENSE
（阈值）的
mA
5
3.5
4
A
mA
mA
高层次的驱动电压
低电平驱动电压
设备启用
设备处于待机模式
使能输入电流
输出电流参考
电压
I
SENSE
电压温度合作。
2
I
SENSE
输入电流
V
CC
-0.3
0
0.7
V
CC
0.2
V
V
V
0.15
-1
14
19
0.4
V
ISENSE
= 0V
0
-30
-65
1
24
V
A
mV
%/°C
A
T
CVISENSE
I
ISENSE
电气特性： AC参数
2
试验条件除非另有说明： V
CC
= 1.5V ，T
AMB
= 0 70℃
符号
T
DRV
F
OSC
参数
放电脉冲宽度
推荐工作
频率
4
条件
民
1.2
典型值
1.7
最大
3.2
200
单位
s
千赫
1取决于应用，请参考设计
2这些参数保证的设计
3总电源电流= I
Q
+ I
VDRIVE
见典型特征
4工作频率为应用电路依赖。参见应用部分。
暂定发行A - 2001年9月
2
ZXSC310
FMMT618
在应用部分中描述的电路
Zetex的FMMT618是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据的设备，
更详细的信息可以在Zetex的发现
表面贴装产品数据手册或Zetex的网站上
页： www.zetex.com
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
5
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA
V
（ BR ） CEO
5
民
典型值
8
70
130
最大
15
150
200
单位
mV
集电极 - 发射极
击穿电压
5
I
C
=10mA
20
27
V
脉冲的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
ZHCS1000
对于在所描述的最大亮度电路
AP PL IC的IO NS s ECT我对泽TEX ZHC S1 0 0 0 isthe
推荐的肖特基二极管。
下面显示的轮廓数据， ZHCS ，
更详细的信息可以Zetex的Web上找到
页： www.zetex.com
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
F
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 1A
从我切换
F
= 500mA至
I
R
=500mA.
测量我
R
=50mA
I
R
反向电流
V
R
= 30V
50
100
A
12
民
典型值
最大
400
500
ns
单位
mV
部分
数
V
R
马克斯。
V
I
F
马克斯。
mA
200
2000
1000
750
500
400
I
FSM
马克斯。
A
0.6
20
12
12
6.75
6.75
V
F
at
马克斯。
mV
500
500
500
540
550
500
I
F
mA
30
2000
1000
750
500
400
I
R
at
马克斯。
A
250
1000
100
100
40
40
V
R
V
25
30
30
30
30
30
电容
在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
典型值。
pF
10
60
25
25
20
20
包
SOT23
SOT23-6
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
BAT54
ZHCS2000
ZHCS1000
ZHCS750
ZHCS500
ZHCS400
30
40
40
40
40
40
暂定发行A - 2001年9月
3
ZXSC310
典型特征
暂定发行A - 2001年9月
4
ZXSC310
设备描述
该ZXSC310是PFM ，控制器IC ，当
结合了高性能的外部晶体管
能够生产一种高效率升压
转换器的LED驱动应用。块
图示为下面的ZXSC310 。
芯片上比较器强制驱动电路和
因此，外部开关晶体管关闭，如果
电压在我
SENSE
超过19mV 。内部参考
电路和分频器设置这个门槛。
在我的电压
SENSE
取自一个电流检测
电阻器串联连接的发射极
开关晶体管。以下的单稳态
比较器的输出力的关断时间
输出级是典型的1.7us 。这确保了
有足够的时间来放电电感线圈
先下一期上。
每对脉冲中的开关晶体管被保持于
直到整个电流检测电阻上的电压
超过I的阈值
SENSE
输入。上的脉冲
长度，因此，开关频率，是
通过编程的峰值电流确定的，输入
电压和输入输出电压差。看
有关详细信息，应用部分。
驱动电路提供的外部开关
晶体管有一个固定的驱动电流。为了最大限度地提高
效率的外部晶体管切换迅速，
通常被30ns的范围内强制关闭。
V
CC
I
2
S
TDN
DRIVE
R1
V
RE
I
R2
V
DRIVE
I
SENSE
G
ND
ZXSC310框图
暂定发行A - 2001年9月
5
SOD323硅HIGH CURRENT
肖特基势垒二极管“ SuperBAT ”
ISSUE 1 1998年11月
产品特点：
低V
F
高电流能力
微型表面贴装封装
7
ZHCS400
C
应用范围：
直流 - 直流转换器
移动telecomms
PCMCIA
SOD323
A
Partmark详情 - BD
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流（连续）
正向电压@ I
F
=400mA
平均峰值正向电流;直流= 50 ％
不重复正向电流t≤100μs
t≤10ms
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
V
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
400
500
1000
6.75
3
250
-55到+150
125
单位
V
mA
mV
mA
A
A
mW
°C
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
典型值。
60
270
300
370
425
550
640
810
440
15
20
10
300
350
460
500
670
780
1050
40
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
条件。
I
R
=200A
I
F
=50mA*
I
F
=100mA*
I
F
=250mA*
I
F
=400mA*
I
F
=750mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
= 500毫安，T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
ZHCS400
典型特征
1
100m
10m
1m
100m
+100°C
+125°C
100u
10u
+50°C
+25°C
10m
+125°C
+25°C
-55°C
1u
100n
10n
-55°C
1m
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1n
0
10
20
30
40
V
F
- 正向电压（ V）
I
F V
V
F
V
R
- 反向电压（ V）
I
R
v V
R
0.6
t
0.4
DC
1
D =吨
1
/t
p
I
F（ PK）
Tj=125°C
D=0.5
t
0.3
p
F（ PK）
0.4
D=0.2
I
F（ AV ）
= DXI
P
F（ AV ）
=I
F（ AV ）
xV
F
0.2
t
1
0.2
D =吨
1
/t
p
D=0.1
D=0.05
I
F（ PK）
0.1
DC
DC=0.5
DC=0.2
DC=0.1
DC=0.05
t
p
I
F（ AV ）
= DXI
P
F（ AV ）
=I
F（ AV ）
F（ PK）
0
100
105
110
115
120
125
0
xV
F
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
C
- 外壳温度（ ° C）
I
F（ AV ）
V T，
C
I
F（ AV ）
- 平均正向币种（ A）
P
F（ AV ）
V I
F（ AV ）
125
90
RTH = 100 ° C / W
Rth=200°C/W
95
Rth=300°C/W
50
65
1
10
100
0
0
10
20
30
40
V
R
- 反向电压（ V）
T
a
v V
R
VR - 反向电压（ V）
C
D
v V
R
ZHCS400
典型特征
400m
DC=1
400
t1
D=t1
tP
tP
300
200m
200
DC=0.5
DC=0.2
DC=0.1
单脉冲
100
0
100u
1m
10m
100m
1
10
100
1k
0
0
50
100
150
脉冲宽度
T
A
- 环境温度（ ° C）
瞬态热阻
ZHCS400
SOD323硅大电流肖特基势垒二极管
“ SuperBAT ”
特点
低V
F
高电流能力
微型表面贴装封装
SOD323
引脚 - 顶视图
应用
直流 - 直流转换器
移动telecomms
PCMCIA
Partmark是例如只
器件标识
Partmark详情 - BD
绝对最大额定值
参数
连续反向电压
正向电流（连续）
正向电压@ I
F
=400mA
平均峰值正向电流;直流= 50 ％
不重复正向电流
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
吨为100μs
吨10毫秒
符号
V
R
I
F
V
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
400
500
1000
6.75
3
250
-55到+150
125
单位
V
mA
mV
mA
A
A
mW
°C
°C
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向击穿电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
典型值。
60
270
300
370
425
550
640
810
440
15
20
10
300
350
460
500
670
780
1050
40
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μA
pF
ns
条件
I
R
=200μA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
I
F
=250mA
I
F
=400mA
I
F
=750mA
I
F
=1000mA
I
F
=1500mA
I
F
= 500毫安，T
AMB
=100°C
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
I
R
C
D
t
rr
第4期 - 2007年3月
1
半导体
ZHCS400
典型特征
第4期 - 2007年3月
半导体
2
ZHCS400
典型特征（续）
第4期 - 2007年3月
3
半导体
ZHCS400
注意事项：
第4期 - 2007年3月
半导体
4
ZHCS400
释义
产品变化
捷特科保留更改的权利，恕不另行通知，规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件。
客户全权负责下订单前获得最新的相关信息。
应用免责声明
在本设计/应用笔记中的电路提供的设计思路。它是用户的责任，以确保该电路适合于用户的
应用，并满足与用户的要求。任何陈述或保证，并给出没有责任的承担与Zetex公司
对于此类使用或产生的专利或其他知识产权的准确性或使用此类信息，或侵权
否则。 Zetex公司不承担任何法律责任或不承担法律责任（不论是合同，侵权（包括过失） ，
违反法定责任，限制或以其他方式）的任何损害，利润，业务，合同的机会或后果性的损失，在使用损失
这些电路应用中，在任何情况下。
生命支持
Zetex的产品是专门未经书面明确授权用于生命支持设备或系统使用的关键部件
审批捷特科PLC的首席执行官。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内
or
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照说明书
在标签规定的使用可合理预期会导致显著的伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
复制
本出版物中包含的产品规格，发给大纲提供信息，仅这（除非同意由该公司在
写）可能不被使用的，应用或再现任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与一个表示
向有关的产品或服务。
条款和条件
所有产品的销售对象为Zetex的销售条款和条件，以及本免责声明（保存在两者之间的冲突事件时，
合同条款为准），按区域，在订单确认时所提供的。
有关技术，交货条款及条件和价格的最新信息，请联系距您最近的Zetex的销售办事处。
产品质量
Zetex公司是一家通过ISO 9001和TS16949认证的半导体制造商。
为了确保服务和产品的质量，我们强烈直接从捷特科提醒购买零件或者一个我们的区域
授权分销商。对于授权分销商，请访问的完整列表： www.zetex.com/salesnetwork
捷特科不作保证或接受任何方面的任何部分的任何责任，通过未经授权的销售购买
通道。
ESD （静电放电）
半导体器件容易受到ESD损坏。处理和运输设备时，合适的防范措施。该
可能损坏设备依赖于处理和输送，并且该器件的性质的情况。损伤的程度
可以从直接的功能或参数失灵的功能或性能降低使用中随时间推移而变化。设备的嫌疑
受影响的应及时更换。
符合绿色环保
捷特科致力于环保卓越在其业务的各个方面包括满足或超过监管
要求对于使用有害物质。无数成功的项目已经实施，以减少使用
有害物质和/或排放。
Zetex的所有成分都符合RoHS指令，并通过这一点，是支持其客户在其符合WEEE和
ELV指令。
产品状态的关键：
"Preview"Future设备用于生产在一些点。样品可提供
"Active"Product状态建议用于新设计
"Last时间购买（ LTB ） "Device将停产，也是最后一次购买期限和交付生效
"Not推荐新designs"Device仍然在生产，支持现有的设计和生产
"Obsolete"Production已停产
数据状态的关键：
"Draft version"This项代表一个非常早期的数据表版本，并包含高临
信息，其可以以任何方式，而不通知改变。
"Provisional version"This词是指一个预发布的数据表。它提供了预期业绩的明确指示。然而，要改变
测试条件和规格可能发生在任何时间，恕不另行通知。
"Issue"This词是指含有敲定规格的发行数据。然而，更改规格可能发生在任何时间和
恕不另行通知。
第4期 - 2007年3月
5
半导体
ZXLD1100
可调式LED驱动器内部开关和开
电路保护采用SC70-6
描述
该ZXLD1100是烤瓷电感式升压转换器
设计用于驱动2 ， 3或4个串联连接的白
从锂离子电池以及多达8个LED从一个5V的LED
供应量。该器件的输入电源工作
2.5V和5.5V之间，并提供了一个可调节
高达50mA的输出电流。
该ZXLD1100包括输出开关和峰
电流检测电阻器，并且可以与操作
28V的最大输出电压。
静态电流典型值为60 A和关机
功能被提供，以减少该电流至小于
500nA的在“关断”状态。
输出电流可以通过施加的PWM调节
控制信号的“Enable”引脚。根据
控制频率，这将提供或者是连续
或“切碎”的输出电流。该PWM过滤器
部件都包含在芯片内。
该ZXLD1100包含一个内部雪崩二极管
保护输出开关。这使得设备
操作无限期如果负载开路。输入
这种情况下，在电源电流小于1mA 。
该装置组装在低调SC70-6销
包装与工业标准的引脚排列。
高级功能
内置30V NDMOS开关，电流检测和
开路保护
通过PWM真模拟调光
应用
手机
数码相机
掌上电脑
液晶显示模块
便携式互联网设备
掌上电脑
特点
低调SC70 6引脚封装
内置PWM过滤器无闪烁输出
高效率（ 80 ％典型值）
宽输入电压范围： 2.5V至5.5V
高达50mA的输出电流
低静态电流（ 60 A典型值）
最大电流500nA关断电流
高达1MHz的开关频率
低外部元件数量
固有匹配的LED电流
典型应用电路
引脚连接
第4期 - 2004年7月
1
半导体
ZXLD1100
订购信息
设备
ZXLD1100H6
设备描述
升压转换采用SC70-6
温度范围
-40至+ 85°C
零件标记
110
TAPING
选项
TA ， TC
ZXLD1100H6TA = 7 “ 3000卷的设备
10000设备ZXLD1100H6TC = 13 “卷轴
绝对最大额定值
（电压GND除非另有说明）
参数
输入电压
LX输出电压
开关输出电流
功耗
工作温度
储存温度
结温
符号
(V
IN
)
(V
LX
)
(I
LX
)
（PD）的
(T
OP
)
(T
ST
)
(T
j max的情况
)
极限
7
30
500
300
-40到85
-55到150
125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
第4期 - 2004年7月
半导体
2
ZXLD1100
电气特性
（在V
IN
= 3V ，T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
(1)
)
符号
V
IN
I
IN
参数
输入电压
电源电流
静
关闭
V
FB
I
FB
f
LX
T
关闭
T
ON
I
LXpk
R
LX
I
LX （泄漏）
V
OUT
FB引脚电压控制
FB引脚的输入电流
工作频率
LX输出“OFF”时
LX输出“ON”时
(2)
开关峰值电流限制
开关“开”阻力
开关漏电流
控制器的输出电压
V
LX
=20V
正常工作
VSENSE引脚
开路或
接地
VSENSE连接
VOUT
设备激活
器件在关断
V
EN
=0V
V
EN
=V
IN
V
EN
从切换
前高后低
10kHz的< F < 100kHz时，
V
ENH
=V
IN
20
4
f=30kHz
52.5
120
100
25
1.5
30
V
IN
0.4
-100
1
L = 10 H ，V
OUT
=10V,
I
OUT
=20mA
320
1.5
1
28
A
V
L = 10 H ，V
OUT
=10V,
I
OUT
=20mA
350
0.35
500
5
V
EN
= V
IN
, I
LX
= 0,
输出不切换
V
EN
= 0V
90.5
60
100
500
109.5
100
1
A
nA
mV
nA
兆赫
ns
s
mA
条件
分钟。
2.5
典型值。
MAX 。 UNIT
5.5
V
V
输出（最大）
控制器的输出电压与输出
开路
(3)
V
ENH
V
ENL
I
ENL
I
ENH
T
EN （保持）
T/T
f
LPF
A
LPF
EN引脚高电平输入电压
EN引脚低电平输入电压
EN引脚低电平输入电流
EN引脚高电平输入电流
EN引脚关断延迟
(4)
在“EN”输入PWM占空比范围
滤波PWM控制
(5)
内部PWM低通滤波器的截止
频率
滤波器衰减
V
V
V
nA
A
s
%
千赫
dB
注意事项：
（1 ）制备该装置的测试是在25℃下进行。该器件在-40°C的功能操作至+ 85 ° C的温度范围是
由设计，表征和过程控制保证。
（ 2 ） “关于”标称时间（T
ONnom
）由输入电压（所限定的V
IN
），线圈的电感（L）和峰电流（I
LXpkdc
）根据以下表达式：
T
ONnom
= {I
LX （ pkdc
）× L / V
IN
} + 200ns的。
（3 ）当使用开路保护功能，在正常操作下的最大输出电压应保持在低于
最小值规定，以防止电流控制环路的可能的干扰。
（ 4 ）这是该装置仍处于活动状态后， EN引脚被置为低电平的时间。这个延迟是必要的，以使输出为
DC PWM模式操作过程中保持不变。
（5）在这种操作模式下的最小的PWM信号的频率是确保该装置的PWM控制过程中保持活性。这
提供了一个连续的直流输出电流。对于较低频率，该装置将被选通“开启”和“关闭”的PWM控制期间。
（6）在这种操作模式下，最大的PWM信号的频率应保持尽可能低，以使误差最小，由于关断
该设备的延迟（见使能引脚关断延时） 。
第4期 - 2004年7月
3
半导体
ZXLD1100
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
名字
LX
GND
FB
EN
描述
NDMOS开关输出
地（ 0V ）
反馈引脚电流控制环路（连接电阻R1
此引脚与GND输出电流I = 100毫伏/ R1 ）
使能输入（高电平有效开启装置）
也可以用来调节输出电流的PWM信号。
连接到V
in
永久操作。
5
6
VSENSE
V
IN
输出电压感测（用于开路保护） 。
连接至GND ，如果不是必需的。
输入电压（ 2.5V至5.5V ） 。去耦电容有密切
到设备。
框图
第4期 - 2004年7月
半导体
4
ZXLD1100
设备描述
该装置是PFM反激式直流 - 直流升压变换器，
在非连续模式工作。
参照芯片方框图和典型
应用电路，该装置的操作是作为
如下所示：
控制回路
当“EN”为高时，控制电路被激活
和线圈（L1 ）的低压侧被切换到接地
通过NDMOS晶体管（ MN ） 。在L1中的电流是
可以建立一个内部定义级别
（标称320毫安） MN之前是关闭的。能源
存储在L1中，然后转移到输出电容器
（C2），通过肖特基二极管（D1） 。当C2上的电压
上述系列的阈值电压已上升
连接的LED ，电流将流过外部
检流电阻R1 。 R1两端产生的电压
感觉到脚' FB '和相比100mV的参考
电压（V
REF
） 。比较器检测时，
反馈电压是高于V
REF
并且其输出用于
控制输出开关的“关断”的时间。控制
环是自激振荡，产生高达5秒的脉冲
最大持续时间（ “上”开关），其频率
成比例地变化的LED电流。反馈
环路保持V的电压
REF
在FB引脚和
因此，定义了一个最大LED电流等于V
REF
由R1分。最小“关断”输出的时间
开关被固定在0.5秒的名义，以留出时间为
待耗散线圈的能量，开关是前
再次打开。这保持了稳定，高效的
运行在非连续模式。
开路保护
之间存在的一个内部雪崩二极管
V
SENSE
和FB管脚的装置。该二极管，一起
与相关的电阻器提供开路
保护时， V
SENSE
销被连接到
输出电压。在开路的情况下
状态时，输出电压将上升到高于
击穿电压的内部二极管的，这将
然后进行并覆盖从控制信号
电流检测电阻。这样可保持输出
电压在下面的击穿电压的电平
输出开关。在这种情况下电源电流将下降
到一个低的值作为控制回路仅提供偏压
当前的二极管。
滤波PWM操作
内部低通滤波器的输入端被切换到
V
REF
当EN引脚为高电平，并切换到地
当EN引脚为低电平。这种过滤器驱动输出
在控制回路中的比较器。连续
在EN为高电平状态，因此提供了一个滤波后的电压
值V
REF
到比较器。然而，通过改变
EN信号中的一个适当高频率占空比
（ f>10kHz ） ，控制回路将看到一个电压，即具有
的平均值等于占空比乘以
V
REF
。这提供了调整的输出的装置
为较低的值的电流。它也允许器件是
均导通，并与在所述单个信号调节
“EN”引脚。在这种操作模式下，输出将
是一个直流电流等于（Ⅴ
REF
/ R1 ）×占空比
门控PWM操作
该ZXLD1100的内部电路被关断
当没有信号出现在“EN”脚以上
120秒（标称值） 。施加到A的低频信号
EN引脚会因此栅极“导通”的设备，并在“关断”
选通频率和该信号的占空比可
变化，以提供一个“斩”的输出电流等于
到（Ⅴ
REF
/ R 1 ）×工作周期。为了获得最佳的精度，选通
频率应尽可能低（例如
低于1kHz ） ，使得芯片的关断延迟时间为
选通期间只有一小部分
设定输出电流的进一步细节在给出
在亮度控制应用部分。
第4期 - 2004年7月
5
半导体
ZHCS400
硅大电流肖特基势垒二极管
特点
低V
F
高电流能力
微型表面贴装封装
应用
DC-DC变换器
移动电信
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
SB
顶视图
标识代码： "SB"
简体外形SOD- 323和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
反向电压
正向电流（连续）
平均峰值正向电流
非重复正向电流T
≤
100
μs
t
≤
10毫秒
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
j
T
s
价值
40
400
1000
6.75
3
250
125
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
A
A
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
反向击穿电压
在我
R
= 200
μA
正向电压
在我
F
= 50毫安
在我
F
= 100毫安
在我
F
= 250毫安
在我
F
= 400毫安
在我
F
= 750毫安
在我
F
=千毫安
在我
F
= 1500毫安
反向电流
在V
R
= 30 V
二极管电容
在V
R
= 25 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
从我切换
F
= 500 mA至我
R
= 500毫安，
测量我
R
= 50毫安
符号
V
（ BR ）R
分钟。
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
马克斯。
-
300
350
460
500
670
780
1050
40
-
单位
V
V
F
mV
I
R
C
D
t
rr
A
pF
-
10
-
ns
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 01/09/2006
ZHCS400
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 01/09/2006
ZHCS400
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-323
A
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.10
0.80
b
p
0.40
0.25
C
0.15
0.00
D
1.80
1.60
E
1.35
1.15
H
E
2.80
2.30
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 01/09/2006
ZHCS400
SOD323硅大电流肖特基势垒二极管
“ SuperBAT ”
特点
低V
F
高电流能力
微型表面贴装封装
引脚 - 顶视图
SOD323
应用
直流 - 直流转换器
移动telecomms
PCMCIA
器件标识
Partmark详情 - BD
Partmark是例如只
绝对最大额定值
参数
连续反向电压
正向电流（连续）
正向电压@ I
F
=400mA
平均峰值正向电流;直流= 50 ％
不重复正向电流
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
吨为100μs
吨10毫秒
符号
V
R
I
F
V
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
价值
40
400
500
1000
6.75
3
250
-55到+150
单位
V
mA
mV
mA
A
A
mW
°C
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向击穿电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
典型值。
60
270
300
370
425
550
640
810
440
15
20
300
350
460
500
670
780
1050
40
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μA
pF
条件
I
R
=200μA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
I
F
=250mA
I
F
=400mA
I
F
=750mA
I
F
=1000mA
I
F
=1500mA
I
F
= 500毫安，T
AMB
=100°C
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
反向电流
二极管电容
I
R
C
D
第5期 - 2008年2月
半导体
1
ZHCS400
典型特征
第5期 - 2008年2月
半导体
2
ZHCS400
典型特征（续）
第5期 - 2008年2月
3
半导体
ZHCS400
注意事项：
第5期 - 2008年2月
半导体
4
ZHCS400
释义
产品变化
捷特科保留更改的权利，恕不另行通知，规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件。
客户全权负责下订单前获得最新的相关信息。
应用免责声明
在本设计/应用笔记中的电路提供的设计思路。它是用户的责任，以确保该电路适合于用户的
应用，并满足与用户的要求。任何陈述或保证，并给出没有责任的承担与Zetex公司
对于此类使用或产生的专利或其他知识产权的准确性或使用此类信息，或侵权
否则。 Zetex公司不承担任何法律责任或不承担法律责任（不论是合同，侵权（包括过失） ，
违反法定责任，限制或以其他方式）的任何损害，利润，业务，合同的机会或后果性的损失，在使用损失
这些电路应用中，在任何情况下。
生命支持
Zetex的产品是专门未经书面明确授权用于生命支持设备或系统使用的关键部件
审批捷特科PLC的首席执行官。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内
or
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照说明书
在标签规定的使用可合理预期会导致显著的伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
复制
本出版物中包含的产品规格，发给大纲提供信息，仅这（除非同意由该公司在
写）可能不被使用的，应用或再现任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与一个表示
向有关的产品或服务。
条款和条件
所有产品的销售对象为Zetex的销售条款和条件，以及本免责声明（保存在两者之间的冲突事件时，
合同条款为准），按区域，在订单确认时所提供的。
有关技术，交货条款及条件和价格的最新信息，请联系距您最近的Zetex的销售办事处。
产品质量
Zetex公司是一家通过ISO 9001和TS16949认证的半导体制造商。
为了确保服务和产品的质量，我们强烈直接从捷特科提醒购买零件或者一个我们的区域
授权分销商。对于授权分销商，请访问的完整列表： www.zetex.com/salesnetwork
捷特科不作保证或接受任何方面的任何部分的任何责任，通过未经授权的销售购买
通道。
ESD （静电放电）
半导体器件容易受到ESD损坏。处理和运输设备时，合适的防范措施。该
可能损坏设备依赖于处理和输送，并且该器件的性质的情况。损伤的程度
可以从直接的功能或参数失灵的功能或性能降低使用中随时间推移而变化。设备的嫌疑
受影响的应及时更换。
符合绿色环保
捷特科致力于环保卓越在其业务的各个方面包括满足或超过监管
要求对于使用有害物质。无数成功的项目已经实施，以减少使用
有害物质和/或排放。
Zetex的所有成分都符合RoHS指令，并通过这一点，是支持其客户在其符合WEEE和
ELV指令。
产品状态的关键：
"Preview"Future设备用于生产在一些点。样品可提供
"Active"Product状态建议用于新设计
"Last时间购买（ LTB ） "Device将停产，也是最后一次购买期限和交付生效
"Not推荐新designs"Device仍然在生产，支持现有的设计和生产
"Obsolete"Production已停产
数据状态的关键：
"Draft version"This项代表一个非常早期的数据表版本，并包含高临
信息，其可以以任何方式，而不通知改变。
"Provisional version"This词是指一个预发布的数据表。它提供了预期业绩的明确指示。然而，要改变
测试条件和规格可能发生在任何时间，恕不另行通知。
"Issue"This词是指含有敲定规格的发行数据。然而，更改规格可能发生在任何时间和
恕不另行通知。
第5期 - 2008年2月
5
半导体
ZXSC310
LED驱动器解决方案为LCD背光
设备描述
该ZXSC310是一个单层或多层细胞LED驱动
专为LCD背光照明应用。输入
该装置的电压范围是0.8V和8V之间。
这意味着ZXSC310是用单个兼容
镍氢电池，镍镉或碱性电池，以及多小区或
锂离子电池。
该器件具有关断控制，造成了
待机电流小于5μA ，并能够输出
驾驶串行或并行的LED 。该电路产生
恒功率输出，这是理想的驾驶
单个或多个LED灯在很宽的范围内操作
电压。这些特性使该器件非常适用
驱动LED的特别是在LCD背光应用
用于数码相机和PDA的。
该ZXSC310是一个PFM DC-DC控制器IC ，驱动
具有非常低的外部Zetex的开关晶体管
饱和性。这些晶体管是最好的
切换为这种类型的转换可用的设备
实现低投入高效率转换
电压。该ZXSC310 LED驱动器的驱动器输出
生成一个动态驱动信号的开关
晶体管。
该电路可以在满载情况下启动并操作
下降到0.8伏的输入电压。该解决方案
配置可确保最佳效率在较宽的
负载电流范围内;几个电路配置
可能取决于电池寿命与
亮度方面的考虑。
该ZXSC310提供的SOT23-5封装其中，
当与SOT23封装开关晶体管相结合，
产生一个高效率的小尺寸电路的解决方案。
该IC和分立组合提供了终极
成本VS的LED背光性能的解决方案
应用程序。
特点
94 ％的效率
最小工作输入电压0.8V
最大工作输入电压8V
待机电流小于5μA
可编程输出电流
串联或并联的LED配置
低饱和电压开关晶体管
SOT23-5封装
典型应用电路
应用
LCD背光：
数字静态照相机
PDA
手机
LED手电筒和火把
白光LED驱动
多个LED驱动
V
IN
= 3.3V / 5V
V
CC
V
DRIVE
S
TDN
I
SENSE
GND
订购信息
设备
REEL
SIZE
ZXSC310E5TA
180mm
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000
设备标志
C310
SOT23-5封装
第3期 - 2007年9月
1
半导体
ZXSC310
绝对最大额定值：
电源电压
最大电压其他引脚
功耗
工作温度
储存温度
-0.3 10V
-0.3到V
CC
+0.3V
450mW
-40到85°C
-55 ℃150℃
电气特性：
试验条件除非另有说明： V
CC
= 1.5V ，T
AMB
=25 C
符号
参数
效率
(1)
V
CC
V
CC（分钟）
推荐供应
电压范围
最小启动和
工作电压
静态电流
(2)
基极驱动电流
电源电流
(3)
条件
民
典型值
最大
94
单位
%
V
V
0.8
I
DRIVE
=-600A
,
V
DRIVE
=0.7V
I
DRIVE
= -600μA ，V
DRIVE
=0.7V,
T
AMB
=-10°C
(3)
V
EN =
V
CC
（启用）
V
EN =
0V （待机）
V
DRIVE
= 0.7V, V
ISENSE
= 0V
V
DRIVE
= 0.7V, V
ISENSE
= 0V
V
ISENSE
= 0V时，我
VDRIVE
=-0.5mA
V
ISENSE
= 50mV的，我
VDRIVE
= 5毫安
1.5
2
0.8
0.9
0.2
5
8
0.92
I
Q
I
VDRIVE
I
CC
V
VDRIVE （高）
V
VDRIVE （低）
V
STDN （高）
V
STDN （低）
I
STDN
V
ISENSE
（阈值）的
mA
10
3.5
4
A
mA
mA
高层次的驱动电压
低电平驱动电压
设备启用
设备处于待机模式
使能输入电流
输出电流参考
电压
I
SENSE
电压温度合作。
(2)
I
SENSE
输入电流
放电脉冲宽度
V
CC
-0.3
0
0.7
V
CC
0.2
V
V
V
0.15
-1
14
19
0.4
V
ISENSE
= 0V
0
1.2
-30
1.7
-65
3.2
1
24
V
A
mV
%/°C
A
s
T
CVISENSE
I
ISENSE
T
DRV
工作条件
符号
F
OSC
参数
推荐工作
频率
(4)
条件
民
典型值
最大
200
单位
千赫
（ 1 ）取决于应用，请参考设计
（ 2 ）这些参数通过设计和特性保证
（ 3 ）总电源电流= I
Q
+ I
VDRIVE
见典型特征
（ 4 ）工作频率为应用电路依赖。参见应用部分。
第3期 - 2007年9月
半导体
2
ZXSC310
FMMT618
在应用部分中描述的电路
Zetex的FMMT618是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据的设备，
米矿详细的I nform一化可以在这里找到
www.zetex.com/fmmt618
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
5
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA
V
（ BR ） CEO
5
民
典型值
8
70
130
最大
15
150
200
单位
mV
集电极 - 发射极
击穿电压
5
I
C
=10mA
20
27
V
脉冲的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
ZHCS1000
对于在所描述的最大亮度电路
应用部分Zetex的ZHCS1000是
推荐的肖特基二极管。
下面显示的轮廓数据， ZHCS ，更
详细的我nform一化可以在这里找到
www.zetex.com/zhcs1000
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
F
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 1A
从我切换
F
= 500mA至
I
R
=500mA.
测量我
R
=50mA
I
R
反向电流
V
R
= 30V
50
100
A
12
民
典型值
最大
400
500
ns
单位
mV
部分
数
V
R
马克斯。
V
I
F
马克斯。
mA
200
2000
1000
750
500
400
I
FSM
马克斯。
A
0.6
20
12
12
6.75
6.75
V
F
at
马克斯。
mV
500
500
500
540
550
500
I
F
mA
30
2000
1000
750
500
400
I
R
at
马克斯。
A
250
1000
100
100
40
40
V
R
V
25
30
30
30
30
30
电容
在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
典型值。
pF
10
60
25
25
20
20
包
SOT23
SOT23-6
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
BAT54
ZHCS2000
ZHCS1000
ZHCS750
ZHCS500
ZHCS400
30
40
40
40
40
40
第3期 - 2007年9月
3
半导体
ZXSC310
典型特征
第3期 - 2007年9月
半导体
4
ZXSC310
设备描述
该ZXSC310是PFM ，控制器IC ，当
结合了高性能的外部晶体管
能够生产一种高效率升压
转换器的LED驱动应用。框图
示为下面的ZXSC310 。
芯片上比较器强制驱动电路和
因此，外部开关晶体管关闭，如果
电压在我
SENSE
超过19mV 。内部参考
电路和分频器设置这个门槛。
在我的电压
SENSE
取自一个电流检测
电阻器串联连接的发射极
开关晶体管。以下的单稳态
比较器的输出力的关断时间
输出级是典型的1.7us 。这确保了
有足够的时间来放电电感线圈
先下一期上。
每对脉冲中的开关晶体管被保持于
直到整个电流检测电阻上的电压
超过I的阈值
SENSE
输入。上的脉冲
长度，因此，开关频率，是
通过编程的峰值电流确定的，输入
电压和输入输出电压差。看
有关详细信息，应用部分。
驱动电路提供的外部开关
晶体管有一个固定的驱动电流。为了最大限度地提高
效率的外部晶体管切换迅速，
通常被30ns的范围内强制关闭。
V
CC
I
2
S
TDN
DRIVE
R1
V
RE
I
R2
V
DRIVE
I
SENSE
G
ND
ZXSC310框图
第3期 - 2007年9月
5
半导体
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