ZHCS2000
40V硅大电流肖特基势垒二极管
摘要
V
R
= 40V ;我
C
= 2A
描述
表面贴装肖特基二极管具有低正向压降
适用于高频整流和反向电压保护。
特点
高电流能力
低正向电压（V
F
max=0.5V)
快速恢复时间
小尺寸封装
SOT23-6
C
应用
移动telecomms ， PCMIA & SCSI
DC- DC转换器
高频整流
订购信息
设备
ZHCS2000TA
ZHCS2000TC
器件标识
ZS20
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
A
C
C
A
顶视图
C
C
A
第2期 - 2002年12月
1
ZHCS2000
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流
平均峰值正向电流，直流= 50％
不重复正向电流T≤ 100μS
T≤ 10毫秒
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
2
4
20
10
1.1
-55到+150
125
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年12月
2
ZHCS2000
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
290
340
380
420
485
420
160
50
5.5
325
385
445
500
615
300
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=1mA
I
F
=500mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
=2000mA*
I
F
=3000mA*
I
F
=2000mA*,T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
第2期 - 2002年12月
4
ZHCS2000
40V硅大电流肖特基势垒二极管
摘要
V
R
= 40V ;我
C
= 2A
描述
表面贴装肖特基二极管具有低正向压降
适用于高频整流和反向电压保护。
特点
高电流能力
低正向电压（V
F
max=0.5V)
快速恢复时间
小尺寸封装
SOT23-6
C
应用
移动telecomms ， PCMIA & SCSI
DC- DC转换器
高频整流
订购信息
设备
ZHCS2000TA
ZHCS2000TC
器件标识
ZS20
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
A
C
C
A
顶视图
C
C
A
第2期 - 2002年12月
1
ZHCS2000
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流
平均峰值正向电流，直流= 50％
不重复正向电流T≤ 100μS
T≤ 10毫秒
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
2
4
20
10
1.1
-55到+150
125
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年12月
2
ZHCS2000
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
290
340
380
420
485
420
160
50
5.5
325
385
445
500
615
300
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=1mA
I
F
=500mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
=2000mA*
I
F
=3000mA*
I
F
=2000mA*,T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
第2期 - 2002年12月
4
ZHCS2000
40V硅大电流肖特基势垒二极管
摘要
V
R
= 40V ;我
C
= 2A
描述
表面贴装肖特基二极管具有低正向压降
适用于高频整流和反向电压保护。
特点
高电流能力
低正向电压（V
F
max=0.5V)
快速恢复时间
小尺寸封装
SOT23-6
应用
移动telecomms ， PCMIA & SCSI
DC- DC转换器
高频整流
订购信息
设备
ZHCS2000TA
ZHCS2000TC
器件标识
ZS2
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
第1期 - 2000年12月
1
ZHCS2000
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流
平均峰值正向电流，直流= 50％
不重复正向电流t≤100μs
t≤10ms
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
2
4
20
10
1.1
-55到+150
125
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
第1期 - 2000年12月
2
ZHCS2000
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
290
340
380
420
485
420
160
50
5.5
325
385
445
500
615
300
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=1mA
I
F
=500mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
=2000mA*
I
F
=3000mA*
I
F
=2000mA*,T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年12月
4
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