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SM - 8 DUAL PNP中功率
晶体管
第1期 - 1999年7月
ZDT795A
C
1
C
1
C
2
C
2
PARTMARKING详细信息 - T795A
B
1
E
1
B
2
E
2
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
T
j
:T
英镑
价值
-140
-140
-5
-1
-0.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
°C
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
减免上述25° C *
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
热阻 - 结到环境*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
符号
P
合计
2.25
2.75
18
22
55.6
45.5
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
价值
单位
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式
与铜等于2平方英寸的PCB 。
ZDT795A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
-140
典型值。
马克斯。
单位
V
条件。
I
C
= -100μA ，我
E
=0
V
（ BR ） CEO
-140
V
I
C
= -10mA ，我
B
=0*
V
（ BR ） EBO
-5
V
A
A
V
V
V
V
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
=-100V
I
CBO
-0.1
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-0.1
-0.3
-0.3
-0.25
-0.95
V
EB
= -4V ，我
E
=0
I
C
= -100mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -200mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
基射
饱和电压
基射
导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
-0.75
V
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
静态正向电流
FE
传输比
300
250
100
100
800
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -200mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -300mA ，V
CE
=-2V*
兆赫
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
CB
= -10V F = 1MHz的
I
C
= -100mA ，V
CC
=-50V
I
B1
=I
B2
=-10mA
跃迁频率
f
T
输出电容
开关时间
C
敖包
t
on
t
关闭
15
100
1900
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
ZDT795A
典型特征
1.8
1.6
1.4
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
1.8
T
AMB
=25°C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=40
V
CE （ SAT ）
- （伏）
V
CE （ SAT ）
- （伏）
0.01
0.1
1
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（安培）
I
C
- 集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=2V
1.6
750
h
FE
- 归一化增益
h
FE
- 典型增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
500
250
I
C
- 集电极电流（安培）
I
C
- 集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=2V
V
BE
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE（上）
V I
C
SM - 8 DUAL PNP中功率
晶体管
第1期 - 1999年7月
ZDT795A
C
1
C
1
C
2
C
2
PARTMARKING详细信息 - T795A
B
1
E
1
B
2
E
2
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
T
j
:T
英镑
价值
-140
-140
-5
-1
-0.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
°C
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
减免上述25° C *
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
热阻 - 结到环境*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
符号
P
合计
2.25
2.75
18
22
55.6
45.5
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
价值
单位
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式
与铜等于2平方英寸的PCB 。
ZDT795A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
-140
典型值。
马克斯。
单位
V
条件。
I
C
= -100μA ，我
E
=0
V
（ BR ） CEO
-140
V
I
C
= -10mA ，我
B
=0*
V
（ BR ） EBO
-5
V
A
A
V
V
V
V
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
=-100V
I
CBO
-0.1
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-0.1
-0.3
-0.3
-0.25
-0.95
V
EB
= -4V ，我
E
=0
I
C
= -100mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -200mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
基射
饱和电压
基射
导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
-0.75
V
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
静态正向电流
FE
传输比
300
250
100
100
800
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -200mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -300mA ，V
CE
=-2V*
兆赫
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
CB
= -10V F = 1MHz的
I
C
= -100mA ，V
CC
=-50V
I
B1
=I
B2
=-10mA
跃迁频率
f
T
输出电容
开关时间
C
敖包
t
on
t
关闭
15
100
1900
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
ZDT795A
典型特征
1.8
1.6
1.4
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
1.8
T
AMB
=25°C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=40
V
CE （ SAT ）
- （伏）
V
CE （ SAT ）
- （伏）
0.01
0.1
1
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（安培）
I
C
- 集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=2V
1.6
750
h
FE
- 归一化增益
h
FE
- 典型增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
500
250
I
C
- 集电极电流（安培）
I
C
- 集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=2V
V
BE
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（安培）
V
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Z7B250-RC-10
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ZMCJM9L0T
Z-15GW255-B6-106-K
Z86L825
ZM-PTZ4.7B
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型号
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    ZDT795A
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    -
    -
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ZDT795A
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23000
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联系人：何小姐
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联系人：刘经理
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21+
11362
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全新原装正品/质量有保证
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