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SM - 8 DUAL PNP中功率
晶体管
第1期 - 1995年11月
ZDT758
C
1
C
1
C
2
C
2
PARTMARKING详细信息？ T758
B
1
E
1
B
2
E
2
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
T
j
:T
英镑
价值
-400
-400
-5
-1
-0.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
°C
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
减免上述25° C *
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
热阻 - 结到环境*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
符号
P
合计
价值
2.25
2.75
18
22
55.6
45.5
单位
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式
与铜等于2平方英寸的PCB 。
3 - 354
ZDT758
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-400
-400
-5
-100
-100
-100
-0.30
-0.25
-0.50
-0.9
-0.9
50
50
40
50
20
140
2000
兆赫
pF
ns
ns
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-320V
V
CE
=-320V
V
EB
=-4V
I
C
= -20mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1mA ，V
CE
=-5V
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -200mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -20mA ，V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -100mA ，V
C
=-100V
I
B1
= 10毫安，我
B2
=-20mA
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
静态正向电流
FE
传输比
过渡
频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 355
ZDT758
典型特征
1.6
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=50
T
AMB
=25°C
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
- （伏）
V
0.01
0.1
1
10 20
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
V
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
- （伏）
V
200
100
- 典型增益
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
h
0.01
0.1
1
10 20
I
+
-
集电极电流（安培）
h
I
+
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
CE
=10V
- （伏）
V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
+
-
集电极电流（安培）
V
BE（上）
V I
C
3 - 356
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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