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SM - 8互补中功率
晶体管
第1期 - 1995年11月
ZDT6757
C
1
C
1
C
2
C
2
PARTMARKING详细信息？ T6757
B
1
E
1
B
2
E
2
NPN
PNP
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
NPN
300
300
5
1
0.5
PNP
-300
-300
-5
-1
-0.5
单位
V
V
V
A
A
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+150
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
减免上述25° C *
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
热阻 - 结到环境*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
符号
P
合计
价值
2.25
2.75
18
22
55.6
45.5
单位
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式
与铜等于2平方英寸的PCB 。
3 - 378
ZDT6757
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态前进
电流传输比
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
50
40
30
20
兆赫
pF
分钟。
300
300
5
100
100
0.5
1
1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
条件。
I
C
=100
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0*
I
E
=100
A，I
C
=0
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FZT657数据表。
3 - 379
ZDT6757
PNP晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态前进
电流传输比
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
50
40
30
20
兆赫
pF
分钟。
-300
-300
-5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
条件。
I
C
=-100
A，I
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0*
I
E
=-100
A，I
C
=0
V
CB
= -160V ，我
E
=0
V
CB
= -200V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
-100
-100
-0.5
-1.0
-1.0
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FZT757数据表。
3 - 380
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ZB4-BW0G11
ZB4BW0G11
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    ZDT6757TA
    -
    -
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