【SM - 8互补中功率晶体管第1期？ 1996年1月ZDT6753C1C1C2C2PARTMARKI】,IC型号ZDT6753,ZDT6753 PDF资料,ZDT6753经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SM - 8互补中功率

晶体管

第1期？ 1996年1月

ZDT6753

C

1

C

1

C

2

C

2

PARTMARKING详细信息？ T6753

B

1

E

1

B

2

E

2

NPN

PNP

SM-8

（ 8铅SOT223 ）

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

T

j

:T

英镑

NPN

120

100

5

6

2

PNP

-120

-100

-5

-6

-2

单位

V

V

V

A

A

°C

-55到+150

热特性

参数

在T总功率耗散

AMB

= 25°C*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

减免上述25° C *

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

热阻 - 结到环境*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

符号

P

合计

价值

2.25

2.75

18

22

55.6

45.5

单位

W

W

毫瓦/°C的

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式

与铜等于2平方英寸的PCB 。

3 - 375

ZDT6753

NPN晶体管

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态前进

电流传输比

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

70

100

55

25

140

0.13

0.23

0.9

0.8

200

200

110

55

175

30

80

1200

分钟。

120

100

5

0.1

10

0.1

0.3

0.5

1.25

1

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=100

A，I

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

E

=100

A，I

C

=0

V

CB

=100V

V

CB

=100V,

T

AMB

=100°C

V

EB

= 4V ，我

C

=0

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=200mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

V

V

V

300

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

兆赫

pF

ns

ns

I

C

= 100mA时V

CE

=5V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 500毫安，V

CE

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

对于典型特征图看FZT653数据表。

3 - 376

ZDT6753

PNP晶体管

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射极导通

电压

静态前进

电流传输比

符号

V

（ BR ） CBO

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

70

100

55

25

100

-0.17

-0.30

-0.90

-0.8

200

200

170

55

140

30

40

600

分钟。

-120

-100

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-0.5

-1.25

-1.0

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=-100

A

I

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=-10mA*

I

E

=-100

A

V

CB

=-100V

V

CB

=-100V,

T

AMB

=100°C

V

EB

=-4V

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-200mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA*

I

C

= -1A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -50mA ，V

CE

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I

C

= -500mA ，V

CE

=-2V*

I

C

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CE

=2V*

I

C

= -2A ，V

CE

=-2V*

V

V

V

V

300

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

兆赫

pF

ns

ns

I

C

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f=100MHz

V

CE

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I

C

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CC

=-10V

I

B1

=I

B2

=50mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

对于典型特征图看FZT753数据表。

3 - 377

SM - 8互补中功率

晶体管

第1期？ 1996年1月

ZDT6753

C

1

C

1

C

2

C

2

PARTMARKING详细信息？ T6753

B

1

E

1

B

2

E

2

NPN

PNP

SM-8

（ 8铅SOT223 ）

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

T

j

:T

英镑

NPN

120

100

5

6

2

PNP

-120

-100

-5

-6

-2

单位

V

V

V

A

A

°C

-55到+150

热特性

参数

在T总功率耗散

AMB

= 25°C*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

减免上述25° C *

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

热阻 - 结到环境*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

符号

P

合计

价值

2.25

2.75

18

22

55.6

45.5

单位

W

W

毫瓦/°C的

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式

与铜等于2平方英寸的PCB 。

3 - 375

ZDT6753

NPN晶体管

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态前进

电流传输比

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

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V

BE（上）

h

FE

70

100

55

25

140

0.13

0.23

0.9

0.8

200

200

110

55

175

30

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1200

分钟。

120

100

5

0.1

10

0.1

0.3

0.5

1.25

1

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=100

A，I

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

E

=100

A，I

C

=0

V

CB

=100V

V

CB

=100V,

T

AMB

=100°C

V

EB

= 4V ，我

C

=0

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=200mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

V

V

V

300

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

兆赫

pF

ns

ns

I

C

= 100mA时V

CE

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f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 500毫安，V

CE

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

对于典型特征图看FZT653数据表。

3 - 376

ZDT6753

PNP晶体管

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射极导通

电压

静态前进

电流传输比

符号

V

（ BR ） CBO

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

70

100

55

25

100

-0.17

-0.30

-0.90

-0.8

200

200

170

55

140

30

40

600

分钟。

-120

-100

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-0.5

-1.25

-1.0

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=-100

A

I

C

=-10mA*

I

E

=-100

A

V

CB

=-100V

V

CB

=-100V,

T

AMB

=100°C

V

EB

=-4V

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-200mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA*

I

C

= -1A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -50mA ，V

CE

=-2V

I

C

= -500mA ，V

CE

=-2V*

I

C

= -1A ，V

CE

=2V*

I

C

= -2A ，V

CE

=-2V*

V

V

V

V

300

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

兆赫

pF

ns

ns

I

C

= -100mA ，V

CE

=5V

f=100MHz

V

CE

= -10V ， F = 1MHz的

I

C

= -500mA ，V

CC

=-10V

I

B1

=I

B2

=50mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

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联系人：陈泽强

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联系人：刘经理

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